Page 17 - 《精细化工》2021年第11期
P. 17
第 11 期 高党鸽,等: 柔性基电磁屏蔽材料的研究进展 ·2163·
于制备电磁屏蔽材料的碳系材料 [14] 。 屏蔽性能较差 [29] 。
2.2.1 石墨烯损耗材料 2.4 二维碳化物 MXene 损耗材料
2
石墨烯是由碳原子 sp 杂化轨道通过共价键连
接而形成的原子层厚晶体,其质量轻、柔韧性能好、 MXene 是一种新型二维过渡金属碳/氮化合物,
导电性能高 [15] ,但纯石墨烯结构单一、磁导率低 [16] , 通式为 M n+1 X n T x(其中:M 为过渡金属元素;X 为
因此,研究者将石墨烯与金属 [17-19] 、磁性粒子 [20] 、 C 或 N 元素;n=1、2、3;T x 为表面基团,通常为
聚合物 [21] 和 CNT [22] 等进行复合,以获得更好阻抗匹 —O、—OH、—F)是从其前驱体 MAX 相(新型可
配及吸收损耗的损耗材料。 加工陶瓷材料)中刻蚀剥离出来的。已成功剥离出
2.2.2 CB 损耗材料 来的 MXene 有 Ti 3 C 2 、Nb 2 C、Ti 2 C、MoN、Sc 2 C、
CB 是天然的半导体材料,体积电阻率在 0.5~ Mo 2 C 等 20 余种,研究以 Ti 3 C 2 T x 最为普遍。与石墨
20 Ω·cm 之间,价格低廉、来源广、单位密度小、 烯类似,MXene 也具有六方晶格结构、高导电率、
易加工成型、化学性能稳定、导电性能稳定持久, 大的比表面积,不同的是,经过 HF 的腐蚀与超声
是复合体系中导电材料的优良选择 [23-24] ,也是目前 剥离,呈手风琴层状结构,表面具有—O、—OH、
应用最广、用量最大的碳系损耗材料 [25] ,广泛用作 —F 官能团,这些丰富的官能团有利于 MXene 与其
抗静电材料、电磁屏蔽材料等 [26] 。 他材料复合,可覆盖在任意形状的物体上形成屏蔽
2.2.3 CNT 损耗材料 体,有望成为轻柔、可设计、易加工、耐腐蚀、吸
CNT 是由单层或多层石墨片卷曲而成的,呈无 波频带宽的电磁屏蔽材料 [30] 。
缝纳米级管状壳层结构,具有高强度、大长径比、
大比表面积和优异的电学、磁学性能,其质量分数 3 柔性基电磁屏蔽材料的制备方法
在 1%~2%或临近范围内,所形成的聚合物基复合材 3.1 原位聚合法
料实现了性能的逾渗过程,在导电和电磁屏蔽方面 原位聚合法是将柔性基材浸渍在单体混合液
效果显著 [27] 。 中,随后加入引发剂引发聚合,使导电聚合物沉积
2.3 导电聚合物损耗材料 在柔性基材上,如图 2 所示。通过控制引发剂的用
导电聚合物是一类可以导电的高分子,一般含 量、单体用量能够改变柔性基电磁屏蔽材料的导电
有一个共轭键,掺杂后的导电聚合物共轭键上的电 性能与电磁屏蔽性能,如 WANG 等 [31] 在含镍的聚丙
子可以在外接电压时发生移动,使导电聚合物具有 烯腈纤维上低温原位聚合 PPy,再用疏水的全氟十
导电性。常用的导电聚合物主要有聚苯胺(PANI)、 二烷硫醇进行包覆,制备了具有超疏水、自清洁性
聚吡咯(PPy)、聚乙炔、聚噻吩、聚苯亚乙烯及其 能的电磁屏蔽薄膜。原位聚合法用于制备柔性基电
衍生物等 [28] 。 磁屏蔽材料可大批量生产,并且可以在基材上均匀
2.3.1 PANI 损耗材料 分布,但其大多使用导电聚合物为损耗材料,具有
PANI 具有共轭结构的分子链,其离域 p 电子和 一定的局限性。
掺杂剂形成的极化子充当导体的载流子,这种载流
子在共轭分子链上通电可移动,形成电流,从而具
有导电性。PANI 物理化学性质优异、导电性能好、
吸收带宽、稳定性强。
2.3.2 PPy 损耗材料
PPy 是由单双键构成的 π 键大分子,质量轻、
环境稳定性好、合成方便、绿色无毒,但其导电率
较低,与其他材料复合后广泛应用在抗静电材料和 图 2 原位聚合法制备柔性基电磁屏蔽材料
电磁屏蔽材料领域。 Fig. 2 Preparation of flexible-based electromagnetic shielding
materials by in situ polymerization
2.3.3 其他导电聚合物损耗材料
聚乙炔是研究最早、最系统也是迄今为止实测 3.2 浸涂法
电导率最高的结构型导电高分子,其最高电导率为 浸涂法是将电磁屏蔽损耗材料均匀分散在溶液
5
2×10 S/cm,接近于铜,但由于其不稳定性,很难 中得到分散液,然后将柔性基材浸渍在分散液中或
成为有实用价值的电磁屏蔽材料。聚噻吩和聚苯亚 者将分散液涂覆在柔性基材的表面,从而制备柔性
乙烯也具有导电性,但掺杂剂种类尤其是掺杂程度 基电磁屏蔽材料,浸涂法的原理如图 3 所示。随着
对这类材料的屏蔽效果影响较大,实际应用的电磁 浸涂次数的增加,柔性基电磁屏蔽材料导电性及屏