Page 32 - 《精细化工》2020年第7期
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·1314·                            精细化工   FINE CHEMICALS                                 第 37 卷

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            墨结构(sp 杂化键)的非晶态物质,具有一些类似                           以真空中制成的 DLC 薄膜必会有残余应力(内应力
            天然金刚石的性能。必须强调的是,DLC 薄膜其实                           和热应力)。残余应力以内应力为主,其形成原因主
            是 1 个集合术语,不是 1 种材料而是 1 组具有各种                       要是由薄膜沉积过程中所引入的杂质效应和薄膜内
            特性的材料。                                             部的晶格缺陷引起。对于 a-C 薄膜,内应力与薄膜
                                                                                           3
            1.1    DLC 薄膜的分类                                   中碳键变形和键角扭曲有关,sp 越高,内应力越大。
                 根据 DLC 薄膜中氢含量可以简单地将 DLC 分                     a-C:H 薄膜的内应力与氢含量有关,氢含量增加,
            为两类:含氢类金刚石(a-C:H)和不含氢类金刚石                          内应力变大     [12] 。
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            (a-C)薄膜。根据 DLC 薄膜中所含 sp 、sp 及氢                         目前,主要通过在 DLC 薄膜沉积过程中掺杂不
            含量的不同,可将 DLC 薄膜细分为以下几类,如图                          同的元素降低其内应力。周琼等               [12] 综述了不同类型
            1 所示。                                              的元素掺杂降低 DLC 内应力的机理,主要是通过形
                                                               成纳米晶或非晶埋嵌在 DLC 非晶基质中,改变 DLC
                                                               薄膜中碳键和键角,进而降低其内应力。掺杂金属
                                                               也可以使 DLC 薄膜具有良好的抗磨减摩性,添加不
                                                               同金属元素,DLC 薄膜性能也不同,如掺杂钨和掺
                                                               杂钛相比,W-DLC 的硬度和结合力明显高于 Ti-DLC
                                                               的。膜层硬度由 2577 HV 0.025,15 增加为 3550 HV 0.025,15,
                                                               膜基结合力由 44  N 增加为 60  N       [13] 。但并非所有的
                                                               掺杂都会使其耐磨性能提高,如掺杂银使硬度由 17 GPa
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                                                               下降到 7 GPa,sp 和 sp 键含量比(sp /sp )也未有
                                                               显著变化。在胎牛血清润滑条件下与 UHMWPE 对

                                                               磨时,DLC 摩擦学行为也未显示出对银浓度的明显
            a—四面体非晶碳;b—含氢四面体非晶碳;c—含氢类金刚石;d—
            阴极溅射非晶碳;e—石墨碳;f—高分子状碳氢化合物;g—无                      依赖性   [14] 。
            薄膜
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                图 1  不同 sp 、sp 和氢含量的 DLC 薄膜分类三元图               2    膜基结合力
            Fig. 1    Ternary phase diagram for various DLC films with
                                2
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                   respect to sp , sp  and hydrogen contents       临床中发现,DLC 薄膜应用于人造关节表面时
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                 当 DLC 薄膜具有高 sp 键时,其维氏硬度可达                     会发生 DLC 薄膜机械失效的现象               。这种机械失效
            80 GPa,这种 DLC 薄膜通常为四面体非晶碳(ta-C)                    与薄膜的残余应力和膜基结合力密切相关                   [16-17] 。其
            或含氢四面体非晶碳(ta-C:H)薄膜。图 1 中 d、e                      中,薄膜的残余应力在上一节已说明。而膜基结合
            和 f 区分别对应的是阴极溅射非晶碳膜、石墨碳或                           力差的主要原因是由膜基热膨胀系数和晶格结构的
            玻璃态碳和高分子状碳氢化合物,而在 g 区时并未                           不同引起的。
            形成薄膜。                                                  目前,国内外研究学者通过制造中间过渡层来
            1.2    DLC 薄膜的制备                                   提高膜基结合力,使 DLC 和基体之间形成一种化合
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                 DLC 薄膜中 sp 、sp 以及氢含量与其制备方法                    物中间层(一层或多层),膜基之间没有单纯的界面,
            有关,目前主要有气相沉积和液相沉积法。气相沉                             不是简单附着。针对金属基底,主要是采用非金属
            积法包括化学气相沉积(Chemical vapour deposition,             过渡层如碳化物       [18] 、Si [19] 、SiN 和单层 C 或多 DLC [20]
            CVD)和物理气相沉积(Physical vapour deposition,            等,以及金属过渡层如 Ti          [21] 、CrN-W [22] 和 Cr [23] 等
            PVD),液相沉积主要采用电化学沉积方法。通常                            来增强结合力。通过过渡层的设计,DLC 薄膜的硬
            a-C:H 薄膜是使用烃气如甲烷或乙炔作为前驱体,                          度及膜基结合力和耐磨性都明显提高,主要是因为
            采用等离子体增强化学气相沉积方法制备。此方法                             基底具有与碳相近的晶格匹配、热膨胀系数以及能
            可以提供所需求的能量,可降低沉积温度。相反,                             与碳形成强有力的化学键的特点。过渡层离子(如
            a-C 和 ta-C 薄膜是采用 PVD 方法,通过蒸发含碳的                    C 离子)与基体中的钛发生反应生成 TiC,或金属
            材料使碳离子沉积在衬底表面而制备的。常见的                              过渡层上的金属离子(如 Ti、Gr 和 W)与沉积 DLC
            PVD 方法有磁控溅射、脉冲激光、真空电弧蒸发以                           时 C 离子发生反应生成新相。因 Si 与陶瓷表面结构、
            及离子注入等       [8-11] 。                              硬度、弹性模量和热膨胀系数接近,所以选择 Si 过
            1.3    DLC 薄膜的内应力                                  渡层来提高 DLC 在陶瓷表面的结合力               [24] 。
                 由于 DLC 薄膜是在非热平衡状态下制备的,所                           采用先进的材料复合技术也可使薄膜之间的组
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