Page 87 - 《精细化工》2023年第11期
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第 11 期                  辛   华,等:  聚多巴胺/SiO 2 改性聚氨酯制备含结构色复合材料                            ·2399·


            2.2.3   光学性能分析                                     产生光子禁带,处于禁带位置的价电子不会进行跃
                 图 6 为非晶光子晶体 PDA/SiO 2 的 UV-Vis 漫反             迁,导致吸收率陡然降低,禁带结束后价电子继续
            射光谱,图 7 为单分散 SiO 2 微球及非晶光子晶体                       跃迁,吸收率回升        [17] 。
            PDA/SiO 2 的光学数码照片。                                     由图 6 可知,PDA/SiO 2 -0.1c 与 PDA/SiO 2 -0.2c

                                                               的光子禁带中心波长在 600 nm 附近的吸光度明显
                                                               小于其他波段,与 SEM 验算推测的波长存在微小差
                                                               异,可推测为理论值是基于光子晶体的高度规整,
                                                               以面心立方为参数带入公式推演,而非晶光子晶体
                                                               PDA/SiO 2 存在的结构缺陷造成部分差异             [18-19] 。如图
                                                               7 所示,PDA/SiO 2 -0.1c 与 PDA/SiO 2 -0.2c 仍保持在
                                                               红色波长范围,且与外观颜色一致。而深蓝色的
                                                               PDA/SiO 2 -0.1a 外观颜色近乎于黑,进而在整个可见
                                                               光波段的吸光度均>1。同一粒径在包覆量不同的情

                                                               况下,深色的吸光度比浅色的吸光度高,表现为谱
              图 6   非晶光子晶体 PDA/SiO 2 的 UV-Vis 漫反射光谱
            Fig. 6    UV-Vis diffuse reflectance spectra of amorphous   线的上移,与图 7 表现一致。可以得出,非晶光子
                   photonic crystals PDA/SiO 2                 晶体 PDA/SiO 2 可以通过调节 PDA 用量实现饱和度

                 非晶光子晶体内部结构存在入射光的条件下可                          的调控。



































                                图 7   单分散 SiO 2 微球及非晶光子晶体 PDA/SiO 2 样品的光学数码照片
              Fig. 7    Optical digital photographs of monodisperse SiO 2  microspheres and amorphous photonic crystal PDA/SiO 2  samples

                                                                             –1
            2.3   复合材料 PDA/SiO 2 /PU 表征                        2356 及 1685 cm 处的吸收峰透过率较 PU 均发生了
            2.3.1  FTIR 分析                                     一定程度的增强,是由于 PDA/SiO 2 中的 N—H 键与
                                                                                       –1
                 图 8 为 PU 及复合材料 PDA/SiO 2 -0.1a/PU-0.6         PU 发生部分重合。1100 cm 为 Si—O—Si 键的反对
                                                     –1
            的 FTIR 谱图。由图 8 可知,3580 及 1643 cm 为氨                称伸缩振动峰,以上分析表明,PDA/SiO 2 已成功引
            基甲酸酯基团中的 N—H 键的伸缩振动和弯曲振动吸                          入复合材料 PDA/SiO 2-0.1a/PU-0.6 中。
                        –1
            收峰。2354 cm 为—NCO 的特征峰,因 PU 为—NCO                   2.3.2   光学性能分析
            封端,所以吸收峰较为尖锐。且 PDA/SiO 2 的引入没                          图 9 为 PU 膜及复合材料 PDA/SiO 2 /PU 膜的
            有影响 PU 的结构,PDA/SiO 2-0.1a/PU-0.6 在 3598、           UV-Vis 光谱,图 10 为 PU 膜及复合材料 PDA/SiO 2 /
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