Page 48 - 精细化工2019年第12期
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·2376·                            精细化工   FINE CHEMICALS                                  第 36 卷

            LUMO 能级( E     LUMO  )分别为–3.36、–3.43、–3.43         器件(图 6a)G3 启亮电压最低,最大亮度也最高,
            和–3.38 eV。                                         这是因为 IP-8-PhCz 拥有高的荧光量子产率所致。
                                                               IP-6-PhCz 和 IP-9-PhCz 虽然具有 TADF 性质,但是
                                                               较低的荧光量子产率导致它们的器件发光效率不如
                                                               普通荧光材料 IP-7-PhCz 和 IP-8-PhCz。基于 IP-6-PhCz
                                                               的器件 G1 和基于 IP-9-PhCz 的器件 G4 效率滚降较
                                                               快(图 6b),这是由于 IP-6-PhCz 和 IP-9-PhCz 的三
                                                               重态激子寿命过长,发生了三重态-三重态湮灭和三
                                                               重态-极化子湮灭       [21] 。基于 IP-7-PhCz 的 G2 器件性
                                                                                                          2
                                                               能表现最佳,其启亮电压(V on ,亮度为 1  cd/m 的
                                                               电压)为 3.8 V,最大电流效率(η c )为 8.3 cd/A,
                                                               最大功率效率(η p )为 6.7  lm/W,最大外量子效率

            图 5    在 CH 2 Cl 2 和 DMF 中以 100  mV/s 的扫描速率测试      (η ext )为 2.8%。
                  IP-6-PhCz、IP-7-PhCz、IP-8-PhCz 和 IP-9-PhCz 的
                  循环伏安曲线
            Fig.  5    Cyclic  voltammograms  of  IP-6-PhCz,  IP-7-PhCz,
                   IP-8-PhCz and IP-9-PhCz measured in CH 2 Cl 2  and
                   DMF at a scan rate of 100 mV/s

            2.3    电致发光性质
                 通过真空蒸镀法将这 4 例染料制成 OLED 器
            件,器件结构如下:ITO/PEDOT︰PSS (45 nm)/TAPC
            (20 nm)/mCP (10 nm)/DPEPO︰emitter (掺杂质量比
            为 9︰1,20 nm)/DPEPO (10 nm)/TmPyPB (40 nm)/
            LiF (1 nm)/Al (200 nm)(器件中的数值代表的是每
            个有机功能层的厚度,通过设备中的膜厚仪探测)。
            TAPC 是第一空穴传输层,mCP 是第二空穴传输层
            兼电子阻挡层。DPEPO 既作主体材料也作空穴阻挡
            层,因为 DPEPO 具有较高的三重态能级(T 1 =
            3.0 eV) [19] ,可以将能量有效限制在发光层内,减
            小器件效率滚降;DPEPO 具有较低的 HOMO 能级,
            能将空穴限制在发光层中,防止漏电流的发生                      [20] 。

            具有较高电子迁移率的 TmPyPB 作为电子传输层,
            PEDOT:PSS 和 LiF 分别作为空穴注入层和电子注入                     图 6    基于 IP-6-PhCz、IP-7-PhCz、IP-8-PhCz 和 IP-9-PhCz
            层。相关器件数据列于表 2。                                          的器件 G1、G2、G3 和 G4 的 J-V-B 特性(a),效
                                                                    率曲线(b)以及电致发光光谱(插图)
                                                               Fig.  6    J-V-B  characteristics  (a),  efficiency  curves(b)  and
            表 2    IP-6-PhCz、IP-7-PhCz、IP-8-PhCz  和 IP-9-PhCz        EL spectra (inset) for devices G1, G2, G3 and G4
                  的电致发光性质                                            based  on  IP-6-PhCz,  IP-7-PhCz,  IP-8-PhCz  and
            Table  2    EL  characteristics  of  IP-6-PhCz,  IP-7-PhCz,   IP-9-PhCz
                     IP-8-PhCz and IP-9-PhCz
             Device   V on/V   η c/(cd/A)   η p/(lm/W)   η ext/%   CIE (x,y)  3    结论
               G1     4.3    4.6      3.2     1.6   0.42, 0.53
               G2     3.8    8.3      6.7     2.8   0.41, 0.54     以 4-氮杂芴-9-酮(IP)为电子受体,咔唑(Cz)
               G3     3.6    3.2      2.0     1.0   0.34, 0.55  为电子供体合成了 4 例同分异构体绿色荧光染料。
               G4     3.7    1.7      1.5     0.6   0.40, 0.53  咔唑(Cz)在 IP 上的取代位置影响分子的立体构型,
                 注:CIE(x, y)表示国际照明委员会坐标。                       并最终影响分子的发光性质。IP-6-PhCz 和 IP-9-
                                                               PhCz 因为高度扭曲的分子结构而具有 TADF 特性,

                 器件的电流密度-电压-亮度曲线(J-V-B)以及                      但是由于它们的荧光量子产率太低,导致其电致发
            效率曲线见图 6。在这些器件中,基于 IP-8-PhCz 的                     光器件性能较差。而 IP-7-PhCz 和 IP-8-PhCz 虽然是
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