Page 105 - 《精细化工》2021年第4期
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第 4 期                    文晓慧,等: p-n 异质结 CuO-CeO 2 的制备及其丙酮气敏性能                            ·739·





































            图 4   纯 CeO 2 、纯 CuO 和样品Ⅱ的 UV-Vis 谱图(a)及           图 5   样品Ⅱ的 XPS 全谱(a)、Ce 3d(b)、Cu 2p(c)
                                2
                 其禁带宽度与(ahv) 的关系(b)                                 和 O 1s(d)分谱
            Fig. 4    UV-Vis spectra of pure CeO 2 , pure CuO and sample
                   Ⅱ(a); relationship  between band  gap width  and   Fig. 5    XPS full spectrum of sampleⅡ(a), Ce  3d(b), Cu
                       2
                   (ahv)  (b)                                        2p(c) and O 1s(d)

            2.1.4  XPS 分析                                          由图 5a(样品Ⅱ的 XPS 全谱)可以看出,样品
                 XPS 是分析物质表面化学性质的一项技术,可                        Ⅱ中含有 Ce、Cu 和 O 元素,说明成功制备出
            以测量材料中的元素组成、元素化学态和电子态。
                                                               CuO-CeO 2 复合材料。由图 5b(Ce 3d)看出,图中
            采用 XPS 研究样品Ⅱ表面元素组成和化学价态,结
                                                                                            4+
                                                               U‴、U″、U、V‴、V″和 V 对应 Ce  3d 3/2 和 3d 5/2 ,U′
            果如图 5 所示。                                                      3+             [22]
                                                               和 V′对应 Ce 的 3d 3/2 和 3d 5/2  ,说明样品Ⅱ中存

                                                                   4+
                                                                         3+
                                                               在 Ce 和 Ce 。由图 5c(Cu 2p)可见,Cu 2p 3/2 的结
                                                               合能出现在 932.9 eV,Cu 2p 1/2 结合能出现在 952.6 eV。
                                                                                          2+
                                                               在 942.8 eV 出现的卫星峰是 Cu 特征峰的信号            [23-24] ,
                                                               表明样品Ⅱ中 Cu 元素以 CuO 的形式存在。由图 5d
                                                               (O 1s)可见,在 528.9 eV 处的峰为晶格氧特征峰             [25] ,
                                                               531.0 eV 处的峰为样品Ⅱ的吸附氧特征峰。XPS 的
                                                               结果进一步证实在 CuO-CeO 2 复合材料中 CuO 与
                                                               CeO 2 共存,这与 XRD 结果吻合良好。
                                                               2.1.5  BET 分析
                                                                   采用 BET 研究纯 CeO 2 和样品Ⅱ的比表面积和
                                                               孔径分布,纯 CeO 2 和样品Ⅱ的 N 2 吸附-脱附等温线
                                                               和孔径分布如图 6 所示。
                                                                   由内插图可知,纯 CeO 2 和样品Ⅱ平均孔径分别
                                                               为 85 和 36 nm 左右,均具有介孔结构。由 N 2 吸附-
                                                               脱附等温线可知,两个样品均属于 H1 回滞环和Ⅳ
                                                               型等温线    [26] 。根据 BET 数据得出,纯 CeO 2 和样品
                                                                                            2
                                                               Ⅱ的比表面积分别为 19 和 38 m /g,样品Ⅱ的比表
                                                               面积大于纯 CeO 2 ,复合材料比表面积的提高有利
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