Page 190 - 《精细化工》2022年第12期
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·2556· 精细化工 FINE CHEMICALS 第 39 卷
内阻是影响功率密度大小的重要因素,高的最大功 rGO-MFC;而 Cu 2 O/rGO 阴极因具有良好的电化学
率密度建立在低内阻的基础上 [36] 。采用 EIS 曲线分析 性能,提高了 MFC 阴极对电子的消耗,间接改善了
Pt/C-MFC 和 Cu 2O/rGO-MFC 的内阻分布情况,结果 阳极回收电子的效率,从而促进了 MFC 的产电性能。
如图 6c 和表 1 所示。由图 6c 和表 1 可以发现, Cu 2 O/
rGO-MFC 和 Pt/C-MFC 的 R s 分别为 20.32 和 19.27 Ω,
两者差别不大,主要是 Cu 2 O/rGO-MFC 和 Pt/C-MFC
体系中的溶液成分、离子浓度和电池结构基本一致。
但是 Cu 2 O/rGO-MFC 的 R ct (71.64 Ω)和 W o (2.13 Ω)
均明显小于 Pt/C-MFC(R ct =130.6 Ω,W o =4.57 Ω),
说明 Cu 2 O/rGO 复合材料修饰阴极后降低了电子转
移阻抗和溶液离子的扩散阻抗,改善了 MFC 的电催
化活性和电子转移效率。因此,Cu 2 O/rGO-MFC 可
以实现更好的产电性能。以上结果表明,Cu 2 O/rGO
复合材料修饰阴极改善了 MFC 的产电性能。
表 1 Pt/C-MFC 和 Cu 2 O/rGO-MFC 模拟电路的拟合结果
Table 1 Fitting results of Pt/C-MFC and Cu 2 O/rGO-MFC
based on the equivalent model
2
反应器 R s/Ω R ct/Ω W o/Ω CPE/(μF/cm )
Pt/C-MFC 19.27 130.60 4.57 0.72
Cu 2O/rGO-MFC 20.32 71.64 2.13 0.63
2.3.2 Cu 2 O/rGO 修饰阴极对 MFC 脱氮性能的影响
为研究 Cu 2 O/rGO 阴极应用于单室 MFC 的实用
性,测量 Pt/C-MFC 和 Cu 2 O/rGO-MFC 对 COD 和
–
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NO 3 -N 的去除率、NO 2 -N 的积累量,结果如图 7 所
示。由图 7a 可知,Cu 2 O/rGO-MFC 在 3 个运行周期
中 COD 去除率分别为 82.70%±0.20%、92.58%±0.39%、
99.53%±0.42%,平均去除率为 91.60%。Pt/C-MFC
在 3 个运行周期中 COD 去除率分别为 77.40%±
0.45%、92.26%±0.66%、99.47%±0.75%,平均去除
率为 89.71%;即 Cu 2 O/rGO-MFC 对 COD 的去除效
果稍高于 Pt/C-MFC,同时高于 Pt-Fe 修饰阴极的
MFC 处理生活污水的 COD 去除率(55.7%) [37] ,说
明经 Cu 2 O/rGO 复合材料修饰阴极后,MFC 还原
COD 产生的理论电子数量并未受到影响,且较
Pt/C-MFC 稍有提高。但值得关注的是,Cu 2 O/rGO-
MFC 的输出电压却明显高于 Pt/C-MFC(图 6a)。库
仑效率是指在一次循环中以电流形式回收的电子与
理论总电子的百分比,可用来评价 MFC 电子回收效
率。由图 7b 可知,Cu 2 O/rGO-MFC 在 3 个运行周期
中库仑效率(24.63%±0.25%、34.77%±0.21%、36.65%±
0.11%)均高于 Pt/C-MFC(13.48%±0.16%、3.80%±
图 7 Pt/C-MFC 和 Cu 2 O/rGO-MFC 的 COD 去除率(a)、库
0.16%、4.85%±0.10%),且 Cu 2 O/rGO-MFC 的平均 仑效率(b)、NO 3 -N 去除率(c)及 NO 2 -N 积累量(d)
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库仑效率(32.02%)比 Pt/C-MFC(7.38%)提高了 Fig. 7 COD removal rate (a), coulomb efficiency (b), NO 3 -N
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333.88%,而且,还高于王奥林 [38] 报道的 MnO 2 /GNS removal rate (c) and NO 3 -N accumulation (d) of
修饰阴极的 MFC 的库仑效率(15.4%)。结果表明, Pt/C-MFC and Cu 2 O/rGO-MFC
Pt/C-MFC 降解有机物产生的电子没有被产电菌充分 由图 7c 可知,Cu 2 O/rGO-MFC 可以实现对
用于发电,而更多是被非产电菌用于自身生长来适应 NO 3 -N 的还原,而且还原效果较 Pt/C-MFC 优异。
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NO 3 -N 水环境,致使 Pt/C-MFC 输出电压低于 Cu 2 O/ 在 3 h 时,Cu 2 O/rGO-MFC 已完成 NO 3 -N 的去除,
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