Page 112 - 《精细化工》2022年第2期
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·316·                             精细化工   FINE CHEMICALS                                 第 39 卷

                 将 URPD 溶解于四氢呋喃(THF)中,以 THF                    线透射率测试仪来测量涂层织物的 UPF 和紫外透射
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            为流动相,在 190~800 nm 波长内和 0~20 cm /min                率曲线。
            流速下在室温下进行 GPC 测试。测试后进行数据处
            理,计算出样品数均相对分子质量(M n )、峰值相                          2    结果与讨论
            对分子质量(M p )、重均相对分子质量(M w )及多
                                                               2.1  QL@ZnO/URPD 高分子染料的结构表征
            分散系数(PDI)。                                             为了探究 ZnO 和 QL@ZnO 的微观形貌和 QL
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                 采用 λ=365 nm 和 175 mW/cm 的紫外灯照射样
                                                               的改性结果,对 ZnO 和 QL@ZnO 进行 SEM 和 EDS
            品 80 s,使其固化。采用 X-Rite 8400 型电子测色配
                                                               表征,结果如图 2、3 所示。
            仪,在 D65 光源,10º视场选用 CIE Lab 测色系统进

            行测试。测试彩色聚氨酯薄膜 3 个不同点表观色深
            度(K/S 值),取平均值,同时测量其色度值〔L*(明
            度),a*(红/绿值),b*(蓝/黄值)〕。
                 依据 GB/T 3920—2008《纺织品色牢度试验耐
            摩擦色牢度》和 GB/T 3921—2008《纺织品色牢度
            试验耐皂洗色牢度》测试彩色 PU 薄膜干、湿摩擦
            牢度和耐水洗色牢度。采用标准灰色样卡对薄膜耐
            皂洗色牢度进行评测。
                 将涂层织物在真空条件下喷金处理,采用扫描
            电子显微镜对合成的粉末和印花织物的表面微观形

            貌进行观察。                                                图 2    ZnO(a)和 QL@ZnO(b)粉末的 SEM 图

                 为了表征印花织物的抗紫外线性能,用织物紫外                         Fig. 2    SEM images of ZnO (a) and QL@ZnO (b) powder


























              图 3  QL@ZnO 粉末的 SEM 图(a)和 EDS 图(b),以及对应的 C(c)、Zn(d)、O(e)和 N(f)的元素映射图
            Fig. 3    SEM image (a) and EDS image (b) of QL@ZnO powder, as well as corresponding element mapping maps of C (c), Zn
                   (d), O (e) and N (f)


                 由图 2a 可以看出,ZnO 呈现出棒状类似于花瓣                     收。ZnO 仅在紫外光区表现出较大的光吸收,这是
            状结构排布;由图 2b 可以看到,在 ZnO 棒状结构                        由于电子从价带向导带的促进作用。其中,QL@ZnO
            上附着许多 QL。由图 3 可以看出,QL@ZnO 的表                       对紫外光的吸收强于 QL 和纯 ZnO,表现出对紫外
            面元素中 Zn 原子个数百分比为 18%,N 原子个数百                       光的协同增强吸收。用 Kubelka-Munk 法计算了 ZnO
            分比为 5%,说明了 QL 的改性成功,并进一步证明                         和 QL@ZnO 的带隙能(E g ),直接带隙半导体的光
            了 QL 附着在 ZnO 周围这一微观结构的存在。                          子能量(hv)与吸收系数(α)之间的关系可由下式确定:
                 用紫外-可见分光光度计对 QL、ZnO 和 QL@ZnO                                  B d (hv E  g  ) 1/2  / (h )v
            的光学性质进行表征,结果见图 4。从图 4a 可以看                         其中:B d 为吸收常数,可以根据 Kubelka-Munk 理
            出,QL 在紫外和可见光范围内具有强而宽的光吸                            论从反射光谱中确定。ZnO 和 QL@ZnO 的带隙能可
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