Page 112 - 《精细化工》2022年第3期
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·534·                             精细化工   FINE CHEMICALS                                 第 39 卷

            被排放到环境中,进而产生耐抗生素的病菌,对生                             1   实验部分
            态系统和人类健康带来危害             [1-2] 。TC 浓度较低时传
            统的去除方法,如吸附法,只能将其从废水中转移                             1.1   试剂与仪器
            到固体吸附剂上,难以将其彻底除去                 [3-4] 。半导体光           硝酸银、乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)、异
            催化技术是一种高效去除水中污染物的技术,其光                             丙醇(IPA)、无水乙醇,AR,广东光华科技有限公
            催化过程可以简单概括为半导体材料受光激发后产                             司;盐酸四环素、二水合钼酸钠、磷酸氢二钠,AR,
            生电子-空穴对,电子和空穴分别迁移到半导体表                             国药集团化学试剂有限公司;对苯醌(BQ,质量分
                                                  [5]
            面,与电子供体和受体发生氧化还原反应 。但是                             数 97%)、三聚氰胺(质量分数 99%),阿拉丁试剂
            单一半导体催化剂存在太阳光利用效率低和光生电                             (上海)有限公司;乙二醇,AR,成都金山化学试
            子-空穴对复合率高等问题,严重制约了光催化技术                            剂有限公司;五水合硝酸铋,AR,天津市大茂化学
            在实际中的应用        [5-6] 。                             试剂厂。
                 g-C 3 N 4 和 Bi 2 MoO 6 都是窄带隙半导体,具有可               SU8220 型扫描电子显微镜,牛津能谱公司;
            见光吸收能力强、无毒、高化学稳定性等优点,成                             Ultima Ⅳ型 X 射线衍射仪,日本理学公司;UV-2600
            为光催化领域的研究热点,但是 g-C 3 N 4 较低的导电                     型紫外-可见漫反射光谱仪,上海天美仪器有限公
            率和 Bi 2 MoO 6 较高的光生载流子复合效率抑制了两                     司;K-Alpha 型 X 射线光电子能谱仪,美国 Carl Zeiss
            者的光催化活性       [7-8] 。对于常见半导体来说,形成异质                公司;ORBITRAP ELITE 型组合式质谱仪,美国 Thermo
                                                       [9]
            结是最有效的提高其光催化降解能力的方法之一 。                            Fisher 公司。
            g-C 3 N 4 (–1.22 eV)具有比 Bi 2 MoO 6 (–0.38 eV)更负的   1.2   方法
            导带,而 Bi 2 MoO 6 (2.34 eV)具有比 g-C 3 N 4 (1.57 eV)   1.2.1  g-C 3 N 4 的制备
            更正的价带。从理论上来说,g-C 3 N 4 和 Bi 2 MoO 6 可                  称取 10 g 三聚氰胺置于坩埚中,带盖在马弗炉
            以形成异质结       [10] 。ZHEN 等 [11] 制备了 S 型的 g-C 3 N 4 /   中处理,以 5  ℃/min 的升温速度升至 550  ℃,恒温
            Bi 2 MoO 6 异质结,研究指出,对于 S 型的 g-C 3 N 4 /            4 h,降温至室温后取出,研磨称重,获得约 5.1 g
            Bi 2 MoO 6 在 g-C 3 N 4 和 Bi 2 MoO 6 之间形成内建电场,      g-C 3 N 4 粉末样品。
            能促进电子和空穴的有效分离。除了构建异质结外,                            1.2.2  g-C 3 N 4 /Bi 2 MoO 6 的制备
            引入助催化剂也是很好的提升光催化能力的方法,                                 称取 0.2289 g(0.0024 mol)g-C 3 N 4 溶于 20 mL
            常见的助催化剂有 Pt、Pd、Ag 等           [12] 。但是这些贵金         无水乙醇中,搅拌下超声 30 min;同时,另一烧杯
            属的价格比较昂贵,因此,科研人员主要采用以下                             中分别称取 0.8433 g(0.0017 mol)五水合硝酸铋和
            两种策略来满足实际应用的需要:一种是采用非金                             0.2103 g(0.0008 mol)二水合钼酸钠,加入 10 mL
            属材料如石墨烯或者活性炭等代替贵金属                    [13] ,本课     乙二醇,搅拌 30 min,然后将其倒入上述装有 g-C 3 N 4
            题组前期采用活性炭作为助催化剂,提高了光生载                             的烧杯中,搅拌 1 h,转入 50 mL 高压反应釜中,置
            流子分离效率的同时还提供了更多活性位点                     [14] ;另    于烘箱中 160  ℃下恒温 12 h。降至室温后取出,离
            外一种策略为降低贵金属的含量,采用含贵金属的                             心洗涤,60  ℃烘干,获得 g-C 3 N 4 /Bi 2 MoO 6 样品。
            金属氧化物 或者硫化物 来代替, 如 Ag 3 PO 4 和                     Bi 2 MoO 6 的制备过程如上,不添加 g-C 3 N 4 。
                 [15-17]                                       1.2.3  g-C 3 N 4 /Bi 2 MoO 6 /Ag 3 PO 4 的制备
            MoS 2    。Ag 3 PO 4 作为常见的半导体催化剂,光催
            化能力强并且量子产率高,但是又由于自身光化学                                 称取 0.2667 g g-C 3 N 4 /Bi 2 MoO 6 溶于 30 mL 去离
            稳定性差,在缺乏合适的电子清除剂时容易还原成                             子水中,超声 30 min,加入 0.2378 g(0.0013 mol)
            银单质而限制了其应用           [18] 。为了获得更好的光催化              硝酸银,搅拌 2 h。称取 0.1704 g(0.0014 mol)磷酸
            性能,本研究将构建异质结和引入助催化剂两种方                             氢二钠溶于 10 mL 去离子水中,将其滴加到上述混
            法结合起来制备复合光催化剂。目前,鲜见将 g-C 3N 4、                     合液中,避光搅拌 4 h,转入 40 mL 离心管,离心洗
            Bi 2 MoO 6 和 Ag 3 PO 4 复合制得复合材料的报道。                涤,60 ℃烘干,获得黄色粉末状的 g-C 3N 4/Bi 2MoO 6/
                                                               Ag 3PO 4 样品;Ag 3PO 4 的制备过程同上,不加入
                 本研究先通过溶剂热法制备得到 g-C 3 N 4/Bi 2 MoO 6
            前驱体,再通过共沉淀法将 Ag 3 PO 4 负载在前驱体                      g-C 3N 4/Bi 2MoO 6;按照同样比例制备 g-C 3 N 4 /Ag 3 PO 4
            上,合成 g-C 3 N 4 /Bi 2 MoO 6 /Ag 3 PO 4 复合物并进行表      催化剂,步骤同上,将 g-C 3 N 4 /Bi 2 MoO 6 换成 g-C 3 N 4 ;
            征,其活性和稳定性通过降解 TC 来进行评估,最                           按照制备 g-C 3 N 4 /Bi 2 MoO 6 /Ag 3 PO 4 复合材料的比例
            后根据降解 TC 的活性物种和 TC 降解的中间产物提                        将 g-C 3 N 4 、Bi 2 MoO 6 和 Ag 3 PO 4 混合在一起,得到
            出了在可见光下降解 TC 的可能机理和降解路径。                           g-C 3 N 4 +Bi 2 MoO 6 +Ag 3 PO 4 混合物。
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