Page 101 - 《精细化工》2022年第6期

第 6 期 李 桢，等: 细菌纤维素@Fe 3 O 4 /AgNWs 复合薄膜的制备与电磁屏蔽性能 ·1167·

2.3 BC@Fe 3 O 4 /AgNWs 复合薄膜的导电性能 BC@Fe 3 O 4 /AgNWs 复合薄膜（AgNWs 面积含量
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图 7a 为不同 AgNWs 面积含量 BC@Fe 3 O 4/AgNWs 1.8 g/m ）在弯曲不同半径前后的相对方阻变化
复合薄膜的方阻（R s ）。可以看出，复合薄膜的 R s （R/R 0 ，其中，R 为复合薄膜弯曲不同半径后的方
随着 AgNWs 面积含量的增加而逐渐减小。当 阻；R 0 为未弯曲时的方阻）曲线。可以看到，复合
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AgNWs 面积含量为 1.8 /m 时，复合薄膜的 R s 最低， 薄膜在发生不同程度弯曲形变后表现出稳定的相对
为 0.42 Ω/sq。这是因为随着 AgNWs 面积含量增加， 方阻（1.0~1.1 之间）。从图 7j 可观察到，折叠后的
复合薄膜表面构筑形成了更高效的导电网络通路， 复合薄膜仍可点亮“SUST”LED 灯。AgNWs 与
从而使复合薄膜的方阻减小。图 7c~i 为不同 AgNWs BC@Fe 3 O 4 之间形成的氢键作用增强了导电层与磁
面积含量 BC@Fe 3 O 4 /AgNWs 复合薄膜点亮 LED 的 性层间的界面粘接能力，使复合薄膜在反复弯折下
图片。随着 AgNWs 面积含量增加，LED 灯的亮度 AgNWs 不易从复合薄膜表面脱落，从而赋予复合薄
不断增强，也证实高效导电网络的形成。图 7b 为 膜良好的导电稳定性。

图 7 不同 AgNWs 面积含量 BC@Fe 3 O 4 /AgNWs 复合薄膜的方阻（a）；BC@Fe 3 O 4 /AgNWs 复合薄膜在弯曲不同半径前
后的相对方阻变化（b）；不同 AgNWs 面积含量 BC@Fe 3 O 4 /AgNWs 复合薄膜点亮 LED 灯的照片（c~i）；折叠后
的 BC@Fe 3 O 4 /AgNWs 复合薄膜点亮“SUST”LED 灯的照片（j）
Fig. 7 Square resistance of BC@Fe 3 O 4 /AgNWs composite films with different AgNWs area contents (a); Relative square
resistance change of BC@Fe 3 O 4 /AgNWs composite film at different bending radius (b); Pictures of LED lamps
lighted by BC@Fe 3 O 4 /AgNWs composite films with different AgNWs area contents (c~i); Picture of "SUST" LED
lamp by the folded BC@Fe 3 O 4 /AgNWs composite film (j)

2.4 BC@Fe 3 O 4 /AgNWs 复合薄膜的电磁屏蔽效能 SE   10logT （1）
T
吸收损耗（SE A ）、反射损耗（SE R ）、多重反射 SE   10log(1 R ) （2）
R
损耗（SE M ）构成总电磁屏蔽效能（SE T ）。电磁屏  T 
SE  10log  SE  SE  SE （3）
蔽材料采用直接测试法对电磁屏蔽材料的电磁参数 A   1 R    T M R
进行测量，由此计算 BC@Fe 3 O 4 /AgNWs 复合薄膜中 式中：SE T 、SE A 、SE R 、SE M 分别表示总电磁屏蔽
的 SE T 、SE A 和 SE R 。且当 SE T >15 dB，SE M 可忽略 效能、电磁波吸收损耗、电磁波反射损耗和电磁波
不计，SE T 、SE A 和 SE R 的计算公式如下： 的多重反射损耗；T 与 R 分别代表透射与反射的功