Page 107 - 《精细化工》2023年第6期
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第 6 期                 黄   睿,等:  功能化纳米纤维素复合 PLA/PBAT 薄膜的制备及性能                            ·1257·


            中的羟基脱水所得到的 Si—O—Si 键的伸缩振动吸                         键含量与 CNF 相比有所降低,这主要是因为 CNF 上
            收峰  [27] 。以上新增特征峰的出现说明反应顺利进行,                      的羟基和硅烷偶联剂水解形成的硅醇基团发生反
            KH550 成功接枝到 CNF 表面上。                               应,偶联剂水解后形成的大分子结构接枝在 CNF 表
            2.2  CNF、CNF-KH550 和 CNF-PPG 的 XPS 分析              面 [28] 。图 5e、f 是 Si 的 2p 轨道能谱。可以看到,
                 为了进一步证明 PPG 成功包覆在 CNF 表面,                     结合能位于 101.48 和 102.08 eV 处出现两个峰,分
            对 CNF、CNF-KH550 和 CNF-PPG 进行了 XPS 测试,              别代表 Si—O—Si 和—SiO 3 键。另外,从表 1 中可
            结果见图 5。由图 5a 可以看出,在结合能 401.70 和                    以看出,C—C 键相对含量从 CNF-KH550 中的 73.99%
            101.68 eV 处分别出现 N 和 Si 的特征信号峰,这是                   增加到 CNF-PPG 中的 80.98%,这说明 CNF 被 PPG 成
            硅烷偶联剂中所特有的元素。从图 5b~d 中可以看                          功包覆。这是因为,PPG 的主链为—(CH 2 —) 3 ,所以
            出,CNF-KH550 和 CNF-PPG 中的 C—O 和 C—O—C               CNF 表面包覆上 PPG 后,C—C 键相对含量增加。































                 图 5  CNF、CNF-KH550、CNF-PPG 的 XPS 全谱图(a)、C 1s 轨道能谱(b~d)和 Si 2p 轨道能谱(e、f)
            Fig. 5    XPS full spectra of element distribution of CNF, CNF-KH550 and CNF-PPG (a), XPS C 1s spectrum (b~d)and XPS Si
                   2p spectrum (e, f)

             表 1  CNF、CNF-KH550、CNF-PPG 中含碳基团相对含量              CNF-KH550 在 PLA/PBAT 基体中的聚集程度有所
            Table 1    Relative content of  carbon-containing groups of   改善。
                    CNF, CNF-KH550, CNF-PPG
                                      相对含量/%
                 样品
                             C—C       C—O       C—O—C
               CNF           62.28     22.70      15.02
               CNF-KH550     73.99     17.00       9.01
               CNF-PPG       80.98     10.88       8.14

            2.3   复合薄膜的微观形貌分析
                 图 6 是不同质量比 PLA/PBAT 薄膜和 PLA/
            PBAT/CNF 、 PLA/PBAT/CNF-KH550 、 PLA/PBAT/
            CNF-PPG 复合薄膜的微观形貌图。从图 6a~d 中可
            以看到,PLA 薄膜的断裂横截面是光滑的,随着
            PBAT 含量的增加,PLA 和 PBAT 两者间相容性下
            降,在相界面处存在孔隙,出现相分离现象。从图
            6e、f 中可以看到,未经任何处理的 CNF 在 PLA/
            PBAT 基体中发生明显聚集;经 KH550 改性后,
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