Page 87 - 《精细化工》2023年第8期
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第 8 期          汤   朋,等: NIPAM 改性 PEDOT:PSS 导电聚合物的制备及在电致变色器件中的应用                         ·1701·


                 图 4 中,0 代表纯 PEDOT:PSS 导电聚合物薄膜,                压作为驱动电压加至器件的两个电极上,在驱动电
            在可见光范围内平均透光率在 85%左右,而改性后                           压作用下,器件从黄色转变为绿色。图 6 是两种电
            NIPAM 摩尔分数为 10%和 15%的 PEDOT:P(SS-                  致变色器件变色前后在可见光波段的透光率。由图
            co-NIPAM)导电薄膜透光率略有下降,但平均透光                         6 可知,两种电致变色器件均在 535 nm 处具有最大
            率仍在 80%左右,说明改性后的导电薄膜其透光率                           光学对比度(ΔT)。
            的变化较小。
                 综合导电薄膜的电导率、水接触角和透光率结
            果,发现 NIPAM 摩尔分数为 15%时,薄膜的疏水
            性相对较好,电导率与透光率与未改性的 PEDOT:
            PSS 薄膜相似,因此,选择该比例的薄膜作为离子
            储存层,应用于柔性电致变色器件。
            2.5   导电薄膜弯折稳定性分析
                 通过弯曲实验对 NIPAM 摩尔分数为 15%的
            PEDOT:P(SS-co-NIPAM)导电薄膜的柔性进行测试。
            图5 是弯曲1000 次后该导电薄膜与未改性 PEDOT:PSS
            薄膜的方阻变化。














                                                                     a—PEDOT:PSS;b—PEDOT:P(SS-co-NIPAM)
                                                                      图 6   电致变色器件变色前后的透光率
                                                               Fig. 6    Transmittance of electrochromic device before and
                                                                     after color change
            图 5  PEDOT:PSS 和 PEDOT:P(SS-co-NIPAM)(NIPAM
                  摩尔分数为 15%)导电薄膜样品弯曲实验方阻变化                         为了得到电致变色器件的变色响应时间,将紫
            Fig.  5    Variation of square resistance in bending experiment   外-可见分光光度计与电化学工作站联用,设定测试
                   of PEDOT:PSS and PEDOT:P(SS-co-NIPAM) (NIPAM   波长为 535 nm,以 20 s 为一个循环周期,连续施加
                   mole fraction 15%) conductive films
                                                               +2.0 V 和–2.0 V 的电压,使器件变色后在一段时间
                 由图 5 可知,两种导电薄膜的方阻均随着弯曲                        内保持稳定。待器件透光率变化稳定,选择其中一
            次数的增加而逐渐增大。经过 800 次弯曲后,PEDOT:                      个循环周期,如图 7a 所示。根据图 7a 计算可知,
            P(SS-co-NIPAM)导电薄膜的方阻从 7.08 kΩ/sq 增加               以 PEDOT:PSS 作为离子储存层的电致变色器件的
            至 9.90 kΩ/sq,1000 次弯曲后导电薄膜的方阻增至                    ΔT 为 7.40%。电致变色器件的响应时间为 ΔT 变化
            12.79 kΩ/sq,与初始相比,方阻增加了 5.71 kΩ/sq。                90%所用的时间,PEDOT:PSS 电致变色器件从原始
            而未改性的 PEDOT:PSS 导电薄膜经过 800 次弯曲                     的黄色变为绿色的响应时间(t c )为 1.67 s,从绿色
            后,方阻从 6.03 kΩ/sq 增至 11.27 kΩ/sq,1000 次弯            变为黄色的响应时间(t b )为 1.37 s。

            曲后,薄膜的方阻增加至 16.63 kΩ/sq,与初始相比
            方阻增加 10.60 kΩ/sq。这说明引入 NIPAM 后导电
            薄膜柔韧性提高,在弯曲过程中方阻变化幅度小于
            未改性的 PEDOT:PSS 薄膜。
            2.6   电致变色器件的光学对比度与响应时间分析
                 分别以 NIPAM 摩尔分数为 15%的 PEDOT:
            P(SS-co-NIPAM)导电薄膜和未改性的 PEDOT:PSS
            导电薄膜作为离子储存层制备电致变色器件,比较
            二者的光学对比度与响应时间。将+2.0 V 的直流电
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