Page 216 - 《精细化工》2022年第11期
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·2366·                            精细化工   FINE CHEMICALS                                 第 39 卷

                                                                                                          –1
                                                                                         –1
            使用 Cu 靶,扫描角度范围 2θ=2°~10°,扫描速度 2                    Si—O—Si 骨架(518、1025 cm )和—OH(3631 cm )
            (°)/min,MMT 和 OMMT 的层间距采用布拉格方                      的伸缩振动峰,说明利用溶液插层法成功引入 OMMT
            程计算,具体公式如式(1)所示:                                   制备了 PSMS/OMMT。
                               d=nλ/(2sinθ)           (1)
            式中:n 为衍射级数,n=1;λ 为衍射波长,取值
            0.155 nm;θ 为入射线、反射线与反射晶面夹角,°;
            d 为层间距,nm。
                 凝点按 SY/T 0541—2009 标准测定,凝点降幅
            计算方法如式(2)所示:

                                 PP T  1   T 0     (2)
            式中:ΔPP 为凝点降幅,℃;T 1 为加降凝剂前凝点,
            ℃;T 0 为加降凝剂后凝点,℃。
                 黏度按 SY/T 0520—2008 标准,在 20~60  ℃、

            温度梯度为 5  ℃下进行黏度测定,降黏率计算方法                          图 1  OMMT(a)、PSMS(b)、PSMS/OMMT(c)的 FTIR
            如式(3)所示:                                                谱图
                                                            Fig. 1    FTIR spectra of OMMT (a), PSMS (b) and PSMS/
                             /%   0  1   100       (3)            OMMT (c)
                                     0
            式中:  为降黏率,%; 为原油加降凝剂前的黏                          2.1.2  SEM 分析
                                    0
            度,Pa·s; 为原油加降凝剂后的黏度,Pa·s。                             纳米材料层间距大小影响复合效果,故对改性
                       1
                 降凝剂的抗老化性能评价方法为:按行业标准                          前后 MMT 进行了 SEM 测试,以判断其改性效果,
            SY/T 0541—2009 和 SY/T 0520—2008 对加入降凝              结果如图 2 所示。由图 2 可知,MMT 为高度有序排
            剂的原油进行凝点和黏度测试,每隔 5 或 15 d 测定                       列的层状硅酸盐。经过有机改性后,插层剂 CTAB
            一次,每次测试前需对加入降凝剂后的原油重复 4                            拉伸了层状结构,相比之下,OMMT 的分层结构在视
            次加热(60  ℃)再冷却至室温的预处理过程。                            觉上比 MMT 更清晰,层状结构更加松散,表明 CTAB
                                                               分子链已经成功插入 MMT 层间或吸附在外表面。
            2   结果与讨论


            2.1   结构表征
            2.1.1  FTIR 分析
                 对 OMMT、PSMS 和 PSMS/OMMT 行了 FTIR
                                                     –1
            测试,结果如图 1 所示。在图 1 a  中,1016 cm 处为
                                               –1
            Si—O—Si 的特征伸缩振动峰;514 cm 处为 Si—O
                                     –1
            键的伸缩振动峰;3636 cm 处为—OH 的伸缩振动
                                                                    图 2  MMT(a)和 OMMT(b)的 SEM 图
            峰,这些都是 MMT 的特征吸收峰。值得注意的是,                              Fig. 2    SEM images of MMT (a) and OMMT (b)
            在 OMMT 谱图中新出现了插层剂 CTAB 的特征吸收
                                    –1
            峰〔C—N 吸收峰(1470 cm )、长链烷基上饱和 C—                     2.1.3   小角度 XRD 分析
                                         –1
            H 的伸缩振动峰(3000~2800 cm )〕,表明由于离子                        MMT 的层间距可用小角度 XRD 测试结果结合
            交换作用,CTAB 成功插层或吸附在 MMT 上。                          布拉格方程进行分析。为验证 CTAB 对 MMT 的改
                 在图 1b、c 中,SA 的长烷基链甲基 C—H 的伸                   性效果,对改性前后的 MMT 进行小角度 XRD 表征,
                             –1
            缩振动峰在 2916 cm 处,亚甲基—(CH 2 ) 17 —的特征峰               结果如图 3 所示。
                            –1
            在 1452、2845 cm 处,酯基的—C==O 伸缩振动峰                        如图 3 所示,MMT 在 2θ=6.57°处存在单峰,根
                      –1
            在 1772 cm 处。MA 中 C—O—C 的伸缩振动峰出现                    据公式(1)计算可得此时层间距 d=1.33 nm。经
                      –1
            在 1182 cm 处。St 中苯环的 C—H 伸缩振动峰和面外                   CTAB 改性后,OMMT 在 2θ=4.45°处出现明显的单
                                        –1
            振动峰分别位于 3034 和 701 cm 处。值得注意的是,                    峰,计算可得改性后层间距 d=2.01 nm,经过有机改
                                    –1
            在图 1b 中,1695~1630 cm 处无烯烃 C==C 双键的                 性后层间距增大了 0.68 nm,这与 SEM 分析结果相
            伸缩振动峰,上述结果表明成功制备了 PSMS 降凝                          互印证,说明 CTAB 已经成功插层进入 MMT 层间,
            剂。对比图 1b、c 可知,c 曲线中出现了 OMMT 中                      增大了片层间距,有利于高分子聚合物进入 MMT
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