Page 181 - 《精细化工》2022年第2期

第 2 期 叶 军，等: 花状 SnSe 0.5 S 0.5 @N-C 复合材料的制备及其在钠离子电池中的应用 ·385·

通过 XRD 进一步分析了 SnSe 0.5 S 0.5 和 SnSe 0.5 S 0.5 @
N-C 复合材料中的晶相，结果如图 3 所示。由图 3
可知，SnSe 0.5 S 0.5 和 SnSe 0.5 S 0.5 @N-C 复合材料的所
有特征峰都符合 SnSe 0.5 S 0.5 的标准卡（JCPDS No.
48-1225）。2θ=25.7°、27.1°、30.1°、31.1°、31.6°、
38.5°、44.2°和 48.0°处的衍射峰分别对应(201)、
(210)、(011)、(111)、(400)、(311)、(411)和(302)晶
面 [19] 。SnSe 0.5S 0.5@N-C 的衍射峰与 SnSe 0.5S 0.5 的衍射
峰基本一致，说明碳包覆对 SnSe 0.5 S 0.5 @N-C 的晶体
结构影响不大。从 TEM 数据分析，各晶面参数为
d 111 =0.287、d 211 =0.263、d 112 =0.190、d 002 =0.219 和
d 122 =0.147 nm。XRD 与 TEM 结果一致。

图 3 SnSe 0.5 S 0.5 和 SnSe 0.5 S 0.5 @N-C 复合材料的 XRD
谱图
Fig. 3 XRD patterns of SnSe 0.5 S 0.5 and SnSe 0.5 S 0.5 @N-C
composite material

通过 XPS 对 SnSe 0.5 S 0.5 @N-C 复合材料进行了
测试，结果如图 4 所示。

a—XPS 全谱；b—C 1s；c—N 1s；d—Sn 3d；e—Se 3d；f—S 2p
图 4 SnSe 0.5 S 0.5 @N-C 复合材料的 XPS 谱图
Fig. 4 XPS spectra of SnSe 0.5 S 0.5 @N-C composite material

由图 4a 可知，C、N、Sn、Se、S 元素均存在
于 SnSe 0.5 S 0.5 @N-C 复合材料中，与图 1 中元素映射
结果一致。由图 4b 可知，在 289.0、286.5、285.8 和
284.7 eV 处的结合能分别对应于 O—C==O、C==O、
C—S 和 C==C 键，C 主要是由 PPy 炭化而来，C—S
键的形成证明硫化过程中一部分 S 以有机掺杂的形
态出现，这有利于提高电导率。由图 4c 可知，N 1s 可