Page 117 - 《精细化工》2023年第9期
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第 9 期 赵 鹏,等: 含唑硅烷偶联剂有机金属涂层的制备及性能 ·1965·
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羟基分子已经趋于饱和,过量的硅羟基之间发生了 阻抗模量|Z| 0.01 Hz 分别达到 1.24×10 和 1.88×10 ,比
脱水缩合反应生成了高聚物,团聚在铜表面 [27-28] 。 KH132(54.0)和 KH580(71.4)提高近 2 个数量级,
故 IAP 涂层和 TUP 涂层相对于传统的硅烷偶联剂和 比棕化涂层(105)提高了一个数量级。综合图 8 和图
棕化工艺,防腐性能更好,其中 IAP-3 和 TUP-3 涂 9 可知,合成的两种唑硅烷 IAP 和 TUP 在铜箔表面构
层的缓蚀效率分别达到了 98.8%和 99.2%,防腐性 筑的有机涂层耐腐蚀性能均优于现有的 KH132、
能更优异,TUP-3 涂层的防腐效果相对最强。 KH580 和棕化工艺制得的涂层,其中,TUP-3 涂层
2.5.2 电化学阻抗谱(EIS)分析 的防腐效果相对来说最优。
图 8 和图 9 分别是空白、KH132、KH580、棕 2.6 耐盐雾分析
化、TUP-1~5 和 IAP-1~5 涂覆的铜箔在质量分数为 图 10 是不同有机涂层试片经盐雾实验 7 d 和
3.5%的氯化钠溶液中浸泡 72 h 的 Nyquist 图和 14 d 后的照片。由图 10 可见,盐雾 7 d 后,空白试
Bode 图。 样表面已被严重腐蚀,经 KH132、KH580 和棕化处
理的铜箔表面也出现明显的腐蚀斑点,表明 KH132
和 KH580 硅烷涂层以及棕化膜的阻隔性能较差,未
能有效地阻止腐蚀发生;TUP 和 IAP 系列涂层表面
没有形成明显的腐蚀产物,表明 TUP 和 IAP 涂层具
有良好的防腐性能。可能是由于这两种唑硅烷在铜
箔表面交联聚合形成致密的保护涂层具有较强的疏
水性,减少了涂层表面的吸水性,从而提高了涂层
的耐腐蚀性能 [29] 。当盐雾 14 d 时,KH132、KH580
和棕化膜表面积累了更多的腐蚀产物,TUP 和 IAP
系列涂层表面也开始出现腐蚀产物。在 TUP-1~5 和
图 8 铜面有机保护涂层的 Nyquist 图 IAP-1~5 涂层中,随着硅烷含量的增加,对铜面的
Fig. 8 Nyquist curves of anticorrosive coatings on copper 防护作用先增强后减弱,这是由于硅烷浓度对有机
test plates 金属保护涂层的耐腐蚀性有很大的影响,硅烷含量
越大,在铜表面交联聚合形成的不溶性保护膜越厚,
对铜面的保护作用越强,但是硅烷真正起作用的是
分子,硅烷浓度过高,水解后产生的硅醇易发生分
子间缩聚反应产生大量的多聚体,这些多聚体并未
与铜面发生化学键合作用,而只是以物理吸附的方
式沉积在铜表面形成大量结构疏松的物理吸附层,
从而减弱了对铜基材的防护作用 [30-31] 。其中,TUP-3
涂层表面腐蚀产物最少,说明该涂层防腐性能最佳,
耐盐雾可达 14 d。
2.7 盐水浸泡实验分析
图 9 铜面有机保护涂层的 Bode 图 有机金属保护涂层在质量分数为 3.5%的氯化
Fig. 9 Bode curves of copper anticorrosive coatings on 钠溶液中浸泡 30 d 的外观形貌如图 11 所示。由图
copper test plates
11 可见,空白试样浸泡 30 d 已严重腐蚀,腐蚀面积
Nyquist 曲线电容阻抗半径越大,电极表面转移 几乎覆盖整个基体,KH132、KH580 和棕化涂层腐
电阻值越高,越能有效阻碍电极表面电子的扩散, 蚀程度也较为严重,表明其耐盐水浸泡性能较差。
金属的缓蚀效率越大 [29] 。由图 8 可知,IAP-1~5 和 相比之下,TUP 和 IAP 系列试样表面的腐蚀面积明
TUP-1~5 涂层的阻抗弧均大于棕化、KH580 和 显减小,耐腐蚀性大幅增强,在 TUP-1~5 和 IAP-1~5
KH132 涂层,表明 IAP 和 TUP 这两种唑硅烷在铜 系列涂层中,随着 TUP 和 IAP 含量的增加,涂层的
面键合形成的有机涂层能有效屏蔽腐蚀介质(如 耐腐蚀性能呈现先增强后降低的趋势,这是由于硅
–
Cl )进入到金属表面,涂层耐腐蚀性能更好,尤其 烷在金属表面的作用主要包括化学键合和物理吸
是 IAP-3 和 TUP-3 涂层,阻抗弧最大。图 9 显示, 附,当硅烷含量较低时,以化学键合为主,随着硅
IAP-1~5 和 TUP-1~5 涂层的低频阻抗均高于 KH132、 烷含量的提高,与铜面发生键合作用的 Si—OH 增
KH580 和棕化涂层,特别是 IAP-3 和 TUP-3 的低频 多,形成不溶性有机聚合物保护膜且更厚实致密,