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第 7 期 李菁熠，等: ATO/GO 纳米复合材料的制备及性能
图 2 GO（a）与 ATO/GO（b）的 X 射线光电子能谱全
谱；ATO/GO 的 X 射线光电子能谱 C 1s 图（c）和
Sn 3d 图（d）
Fig. 2 XPS survey scans of GO (a) and ATO/GO (b); C 1s
XPS spectrum of ATO/GO (c) and Sn 3d XPS
spectrum of ATO/GO (d)
由图 2 可知，与 GO 相比，ATO/GO 中增加了
图 3 ATO 粉末（a），GO（b）和 ATO/GO（c）的扫描电镜；ATO（d），GO（e）和 ATO/GO（f）的透射电镜
Fig. 3 SEM images of ATO (a), GO (b) and ATO/GO (c), TEM images of ATO (d), GO (e) and ATO/GO (f)
·1251·
N、Si、Sb 和 Sn 元素。在 ATO/GO 的 C 1s XPS 图
（图 2c）中出现了 5 组位于 284.60、284.88、285.50、
286.38 和 288.58 eV 处分别对应 C==C，C—C，C—
N，C—O 和 C==O 的衍射峰 [20-21] ，证明 ATO 表面
氨基与氧化石墨烯表面的环氧基团和羧基发生反
应，ATO 成功接枝到了 GO 纳米片上。从图 2d 中
Sn 3d 5/2 （487.3 eV）和 Sn 3d 3/2 （495.7 eV） [22] 可以
确认，Sn 元素以+4 价存在于 ATO-GO 复合材料中。
另外，从图 2b 的局部放大图中可以看出，Sb 的 3d
出现在 536.9 eV 处，说明 Sb 元素存在于复合材料
中。以上 XPS 数据表明，通过 KH550 成功将 ATO
负载到氧化石墨烯片层上。
GO 和 ATO-GO 的元素种类及含量见表 1。
采用 XPS 对 ATO-GO 复合材料的元素含量进行
分析并计算得出，ATO 在 GO 层上的负载率为
30.13%。
表 1 GO 与 ATO/GO 的元素种类及含量
Table 1 Elemental types and contents of GO and ATO/GO
w(C)/% w(O)/% w(N)/% w(Si)/% w(Sn)/% w(Sb)/%
GO 72.91 27.09 – – – –
ATO/GO 49.41 25.2 0.51 0.92 20.03 3.93
注：“–”代表该元素未检出。
2.3 ATO/GO SEM 与 TEM 分析
ATO、GO 和 ATO/GO 复合材料用无水乙醇分
散后的 SEM 图和 TEM 图见图 3。