Page 68 - 精细化工2019年第12期
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·2396·                            精细化工   FINE CHEMICALS                                  第 36 卷

                                                               中,在 2θ 为 38.1°(111)、44.2°(200)、64.5°(220)、
                                                               77.4°(311)处出现银粒子特征衍射峰;同时,GO
                                                               在 2θ 为 10.5°处的特征衍射峰消失了。这是由于 GO
                                                               表面带有大量的羟基(—OH)和环氧基(C—O—C),
                                                               GO 边缘带有羧基(—COOH)和羰基(C==O),使
                                                               得 GO 带负电,加入硝酸银(AgNO 3 )后,银离子
                                                                   +
                                                               (Ag )静电吸附在 GO 片层上,再加入还原剂,在
                                                               原位还原银离子的同时还原了 GO,达到了在石墨
                                                               烯片层上负载银纳米粒子的目的               [20] 。


















                                                                       图 3  C、GO 和 IGAH 的 XRD 谱图
                                                                     Fig. 3    XRD patterns of C, GO and IGAH

                                                               2.1.4    UV 谱图分析
                                                                   图 4 为 IGAH 和 Ag-WPUA 的 UV 谱图。
























            图 2  GO 与 IGAH 的 XPS 全谱(a)与 C  1s(b、c)以
                  及 IGAH 的 N 1s(d)XPS 图
            Fig. 2    Full range XPS spectra(a), C 1s XPS spectra of GO
                   and IGAH(b,c) and N 1s XPS spectra(d)

            2.1.3    XRD 谱图分析
                 图 3 为 C、GO 和 IGAH 的 XRD 谱图。如图 3
                                                                  图 4  IGAH(a)和 Ag-WPUA(b)的 UV 曲线
            所示,石墨在 2θ=25.7°(d=0.344 nm)的位置出现一
                                                                  Fig. 4    UV spectra of IGAH (a) and Ag-WPUA(b)
            个衍射峰,GO 在 2θ=10.5°(d=0.842 nm)处有一个衍
            射峰,在 2θ=18°~34°的位置出现一个宽峰,这是由                           由图 4 所示,IGAH 在 200~300 nm 区间内,在
            于石墨经氧化后,碳骨架上出现了许多含氧官能团,                            230  nm 和 300  nm 的位置出现了两个吸收峰,可分
            层间距变大,破坏了有序的晶格结构。IGAH 谱图                           别理解为 C—C 键 π-π*跃迁和 C==O 键 n→π*跃迁,
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