Page 60 - 精细化工2020年第2期
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·262·                             精细化工   FINE CHEMICALS                                  第 37 卷

            渐失效,充放电比容量逐渐降低。                                    2.2.4    负极材料的 CV 曲线

                                                                   图 9 为 GSSP 负极的前 3 次 CV 曲线。
















                        图 7  GSSP 负极的循环性能
                   Fig. 7    Cyclic performance of GSSP anode

                 除去形成 SEI 的前两次不稳定的充放电比容                                   图 9  GSSP 负极的 CV 曲线
                                                                         Fig. 9    CV curves of GSSP anode
            量。经过活化的 GSSP 负极比容量最高值出现在第
            26 次循环,其放电和充电的比容量分别为 495.68 和
                                                                   由图 9 可见,充电曲线在 0.36、0.48、0.65 和
            500.41 mA·h/g,此时 GSSP 负极完全活化。经过 400
                                                               1.28 V 处出现 4 个峰。其中 0.36 和 0.48 V 处的两个
            次充放电循环后,其放电和充电的比容量分别为
                                                                                                        +
                                                               氧化峰归因于 Si-Li 去合金化失去电子生成 Li 和 Si
            449.51 和 447.06 mA·h/g。与完全活化后的 GSSP 负
                                                               的过程,对应着放电曲线 0.2  V 处的还原峰,这处
            极的充放电比容量相比,400 次充放电循环后放电
                                                                          +
                                                               还原峰是 Li 与 Si 的 Si-Li 合金化过程。充电曲线
            和充电比容量保持率分别为 90.69%和 89.34%。可
                                                               0.65  V 处的氧化峰对应着 Sn-Li 的去合金化过程。
            见 GSSP 负极在 1000  mA/g 的大电流密度充放电仍
                                                               1.28  V 处较弱的宽氧化峰对应着 Li 2 O 和 Sn 反应生
            然具有较好的循环性能。                                        成 SnO 2 与 Li 的过程。放电曲线 1.0 和 0.6 V 处的两
                                                                          +
            2.2.3    负极材料的充放电性能
                                                                                                +
                                                                                    +
                                                               个弱还原峰分别对应 Li 与 SnO 2 和 Li 与 Sn 的合金
                 图 8 是 GSSP 负极在 100 mA/g 电流密度下,第
                                                               化过程。因此,Si-Li 和 Sn-Li 的氧化还原过程具有
            1、2、5、10 次循环的充放电曲线图。第 1 次放电
                                                               一定的可逆性      [26] 。3 次循环的氧化还原峰强度逐渐
            曲线中,在 1.7  V 处曲线的曲率发生变化,这是首
                                                               减弱。这是由于在充放电过程中形成 SEI 包覆在活
            次放电过程中形成 SEI 所致。第 2、5、10 次放电曲
                                                               性材料表面使活性材料部分失效。这也是造成锂离
            线上,在 1.1 和 0.5 V 附近曲线的曲率均发生变化,
                                                               子电池在充放电过程中容量衰减的主要原因。由于
            分别对应着 Sn-Li 合金化过程与 Si-Li 合金化过程。
                                                               SEI 的形成是不可逆过程,造成锂离子电池的不可
            第 1、2、5、10 次充电曲线上,在 0.3、0.7 和 1.1 V
                                                               逆容量损失。这一结果与充放电曲线得到的结论基
            附近曲线的曲率也发生变化,分别对应着 Si-Li、
            Sn-Li 的去合金化过程以及 Li 2 O 与 Sn 的氧化反应过                 本相同。
                                                               2.2.5    负极材料的 EIS 曲线
            程。随着循环次数的增加,充放电比容量均有明显
                                                                   图 10 是 GSSP 负极材料循环前和循环 1、10、
            降低。这与 GSSP 负极材料在充放电循环过程中的
            失活有关。                                              50 次的 EIS 谱图。Nyquist  曲线由高频区的半圆和
                                                               低频区的直线部分组成。高频区半圆表示电极与电

                                                               解液接触的界面阻抗和电解液在电极表面形成 SEI
                                                                                                  +
                                                               后的电子转移阻抗。低频区的直线代 Li 扩散过程的
                                                               Warburg 阻抗  [13] 。随着循环充放电的进行,高频区
                                                               的半圆直径逐渐减小,表明电极在形成 SEI 过程的
                                                               同时也不断活化,电解液与电极材料充分接触,转
                                                               移阻抗和界面阻抗明显降低。阻抗降低后电子能够
                                                               在电极表面快速转移,所以负极材料的倍率性能较
                                                               好。而低频区直线的斜率基本相同,说明 SEI 形成

                                                                         +
                                                               过程中,Li 的扩散路径及扩散速率未受到影响,
                       图 8  GSSP 负极的充放电曲线
               Fig. 8    Charge and discharge curves of GSSP anode   Warburg 阻抗基本不变。
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