Page 125 - 《精细化工》2021年第12期
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第 12 期                 李德丽,等:  坡缕石/Al 掺杂 CdS 复合材料光催化降解罗丹明 B                             ·2487·


                          D/%=[( 0 – t )/ 0 ]×100   (1)     效利用增加      [22] 。同时也验证了电负性较大的元素
                                                                                    2+
                                                                                                   +
            式中: 0 、 t 分别是染料的初始质量浓度、光照一                       Ni、Ag 掺杂 CdS 后,Ni (X=1.91)、Ag (X=1.93)
            定时间 t 的质量浓度,mg/L。                                  引起 S 原子核外的电子云密度增加,生成 Ni—S 或
                                                               Ag—S 键,结合能变化明显          [23] 。此外,图 2a 中出现
            2   结果与讨论
                                                               的 C、O 元素可能与 CdS-Al、CdS 表面吸附了 CO 2
                                                               有关  [24] 。
            2.1   材料表征
            2.1.1  XRD 分析
                 PGS、CdS-Al 和 15% PGS/CdS-Al 的 XRD 谱图
            如图 1 所示。由图 1 可知,Al 掺杂后的 CdS 在
            2θ=24.7°、26.4°、28.2°、36.7°、43.8°、47.9°、51.9°
            处出现了分别对应纯 CdS 的(100)、(002)、(101)、
            (102)、(110)、(103)、(112)晶面的衍射峰(JCPDS No.
            41-1049) [19-20] ,表明 Al 掺杂 CdS 没有影响其六方
            晶体结构,与 Ni 掺杂 CdS 后没有新的晶态、结构
                       [9]
            产生相符合 。与 PGS 复合后,上述衍射峰均出现
            在 15% PGS/CdS-Al 中,可能是 PGS 负载量少的缘
            故,仅在 2θ=8.3°处有一个弱衍射峰,2θ=26.5°处衍
            射峰与 CdS 中 2θ=26.4°的衍射峰重合,其他特征衍
            射峰没有出现。


















            图 1  CdS-Al、CdS、PGS 和 15% PGS/CdS-Al 的 XRD
                  谱图
            Fig. 1    XRD patterns of CdS-Al, CdS, PGS and 15% PGS/
                   CdS-Al

            2.1.2  XPS 分析

                 图 2 为 CdS-Al、CdS 的 XPS 谱图。由图 2a 可                      图 2  CdS-Al、CdS 的 XPS 谱图
            知,CdS-Al 的组成元素为 Cd、S、Al。CdS 中 Cd             2+           Fig. 2    XPS spectra of CdS-Al and CdS
                               2–
            的 3d 5/2 、3d 3/2 峰及 S 的 2p 3/2 、2p 1/2 峰的结合能分
            别是 404.8、411.6、161.3、162.5 eV    [21] 。由图 2b、c     2.1.3  SEM 分析
                                            3+
            可知,当 Al 掺杂 CdS 后由于 Al 的电负性(X)                          图 3 为 CdS-Al、PGS、15% PGS/CdS-Al 的 SEM
                             2+
                                                2–
            (X=1.61)仅比 Cd (X=1.69)小 0.08,S (X=2.58)            图及 CdS-Al、15% PGS/CdS-Al 的 EDS 谱图。溶剂
            核外的电子云密度变化不大,其 2p 3/2 、2p 1/2 结合能                  热法制备的 CdS-Al 为表面粗糙的中空微球,PGS
                                                 2+
            没有明显变化,分别为 161.4、162.6 eV,Cd 的 3d 5/2 、            为针状。当二者复合后 CdS-Al 中空球体表面附有针
            3d 3/2 结合能则为 405.0、411.8 eV。这一现象与 Mg               状 PGS(图 3a~c)。EDS 结果显示,CdS-Al 中含有
            掺杂 CdS 的结果相似,Al 掺杂 CdS 没有产生新的                      3 种元素 Cd、Al、S,15% PGS/CdS-Al 含有 Cd、
            结晶形态(图 1)或结构变化,只是杂质的引入影                            Al、S、Si 4 种元素,表明复合材料中 PGS 的存在
            响了光生电子与空穴对的分离效率,对可见光的有                             (图 3 d、e)。
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