Page 126 - 《精细化工》2021年第12期

·2488· 精细化工 FINE CHEMICALS 第 38 卷

图 3 CdS-Al（a）、PGS（b）、15% PGS/CdS-Al（c）的 SEM 图及 CdS-Al（d）、15% PGS/CdS-Al（e）的 EDS 谱图
Fig. 3 SEM images of CdS-Al (a), PGS (b) and 15% PGS/CdS-Al (c), EDS images of CdS-Al (d) and 15% PGS/CdS-Al (e)

2.1.4 比表面积分析 的 UV-Vis DRS 谱图。因 CdS 中掺入了 Al 后在
图 4 为 CdS-Al、15% PGS/CdS-Al 的 N 2 吸附- 200~500、550~750 nm 区域的吸光度大于 CdS [11] ，
脱附等温线。在整个 p/p 0 范围内属于Ⅳ型等温线，为 与 PGS 复合后，CdS-Al 表面的 PGS 影响了复合材
H3 型滞后环，平均孔径分别为 7.623、6.438 nm，说 料对光的吸收，其在 200~500 nm 处吸光度低于 CdS
明样品均为介孔材料。15% PGS/CdS-Al 的比表面积 或 CdS-Al，吸收边缘移至 577 nm。根据经验公式
2
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是 54.488 m /g，比 CdS-Al 的比表面积小 6.800 m /g， E g =1240/λ max （E g 为禁带宽度，eV；λ max 为最大吸收
可能是部分 PGS 镶嵌在中空球状的 CdS-Al 空隙中， 波长，nm），CdS-Al、15% PGS/CdS-Al 的禁带宽度
导致比表面积有所降低。 分别为 2.17、2.15 eV，拓宽了 CdS（2.11 eV）的禁

带宽度，表明 CdS 掺杂 Al 复合一定量的 PGS 后，
复合材料对可见光的吸收能力依然较强。

图 5 CdS-Al、CdS、PGS 和 15% PGS/CdS-Al 的 UV-Vis
DRS 谱图
Fig. 5 UV-Vis DRS spectra of CdS-Al, CdS, PGS and 15%
PGS/CdS-Al

2.1.6 PL 分析
图 6 为 PGS、CdS-Al、15% PGS/CdS-Al 的 PL
谱图。通常半导体材料在某一激发波长的荧光强度

与其荧光猝灭率有关，而材料光生电子、空穴的复
图 4 CdS-Al（a）和 15% PGS/CdS-Al（b）的 N 2 吸附- 合率直接影响荧光猝灭率的高低。当半导体材料光
脱附曲线
Fig. 4 Nitrogen adsorption-desorption isotherms of CdS-Al 生电子与空穴对的复合率高时，该波长下荧光猝灭
(a) and 15% PGS/CdS-Al (b) 率下降，荧光强度变强 [25-26] 。CdS-Al 在 528 nm 处

2.1.5 UV-Vis DRS 分析 的荧光强度最低，表明其荧光猝灭率最大，CdS-Al
图 5 为 CdS-Al、CdS、15% PGS/CdS-Al、PGS 吸收光后产生的电子与空穴对复合率低，参与光催