Page 38 - 《精细化工》2021年第7期
P. 38

·1320·                            精细化工   FINE CHEMICALS                                 第 38 卷

            在 402~498  ℃之间,800  ℃ N 2 氛围下的残炭率在                 了二胺单体Ⅵf,见图 7,相比于二胺单体Ⅵe 多了
            31%~62%范围内。LI 等      [48] 阐述了从羰基化合物中获              两个—CF 3 。由二胺单体Ⅵf 制备的 FPI-7 具有
            得氟化单体的新途径,即利用 Ruppert 试剂在羰基                        0.68~0.90 dL/g 的特性黏度,室温下在 NMP、DMAc
            上进行亲核氟烷基化反应,使羰基转化为 α-三氟甲                           和间甲酚等溶剂中溶解性能优异,吸湿率为 0.39%~
            基醇,再通过简单的衍生即得到二胺单体Ⅵd,见                             0.68%;热性能优异,T g 为 258~315  ℃,T 5% 为 550~
            图 7。                                               585  ℃,T 10% 为 579~594  ℃,750  ℃ N 2 氛围下残
                 WANG 等   [49] 合成了含吡啶的二胺单体Ⅵe,见                 炭率高于 55%;同时机械性能优异,拉伸强度为
            图 7,制备得到 FPI 的溶解性、透明性、热性能和                         74.8~103.5 MPa,拉伸模量为 1.08~1.45 GPa,断裂
            介电性能均优于非氟化类似物。ZHANG 等                   [50] 合成    伸长率为 10.6%~24.4%,材料坚韧。其他性能见表 2。

                                     表 2   部分 FPI 光学性能、热性能、吸湿率和介电常数汇总
                  Table 2    Summary of optical properties, thermal properties, hygroscopicity and dielectric constant of partial FPI
                                                    N 2 气氛下                           1 MHz 下的
                          紫外-可见吸收
                聚合物                                            800  ℃下     吸湿率/%      介电常数/        参考文献
                          截止波长/nm         T g/℃      T 5%/℃
                                                               残炭率/%                 〔C²/(N·m²)〕
                FPI-1      340~375       302~348    534~593       —          —         2.59~2.82     [23]
                FPI-2      349~394       307~314    523~563      54~57       —         2.63~2.79     [24]
                FPI-3      336~408       259~329    516~530      57~64     0.36~0.83   2.35~2.96     [32]
                FPI-4      327~343       259~281    551~561      56~58     0.59~0.68   2.69~2.85     [35]
                FPI-5      310~362       280~345    478~484      50~55       —           —           [41]
                FPI-6      330~357       247~280    499~594      58~66       —           —           [42]
                FPI-7      350~378       258~315    550~585       —        0.39~0.68   2.81~2.98     [50]
                FPI-8      344~358       369~401    550~557      60~64     0.85~1.06     —           [56]
                FPI-9      366~388       283~318    544~578    58.6~59.4   0.35~0.52   2.72~3.12     [62]
                 注:“—”为未测。

            1.6   基于其他类型二胺单体的 FPI                              2   基于含氟二酐单体的 FPI
                 除了以上结构特征显著的单体,还有一些结构
            特殊、性能优异的二胺可用于制备 FPI。MANDAL                             二酐结构设计和合成路线较二胺更为复杂,所
            等 [51] 合成了含—CF 3 和 P==O 的二胺单体Ⅶa,见图                 以其研究相对较少,而改性二酐依然可从分子设计
                                                               入手  [52] 。早期,LIU 等 [53] 合成了二酐单体Ⅷa 和Ⅷb,
            8。PI 由两种不同比例的二胺单体(4,4′-二氨基二苯
                                                               见图 9,引入含—CF 3 的侧基使得 FPI 在有机溶剂中
            乙烯-2,2′-二磺酸和二胺单体Ⅶa)和等物质的量的
                                                               溶解性能较好,便于铺制坚韧的薄膜。MYUNG 等                    [54]
            1,4, 5,8-萘四羧基二酸酐制得,其均可溶于多种有机
                                                               合成了单取代二酐单体Ⅷc,见图 9,与其他不含氟
            溶剂,表现出较高的质子导电性和氧化水解稳定性。
                                                               的二酐所制得的 PI 相比,此类 PI 介电常数较低,
            二胺单体作为合成 FPI 不可缺少的部分,其结构设
                                                               显示了—CF 3 基团的影响;MYUNG 等             [55] 还制备了
            计灵活,在设计中注重提高可溶性、透明度的同时,
                                                               一种双取代二酐单体Ⅷd,见图 9,制备的 FPI 具有
            还需要兼顾耐热性和机械性能,以便铺制形成坚韧                                                                         –8
                                                               高的 T g (>311 ℃)、低热膨胀系数〔(3.5~5.0)×10 /
            薄膜,满足柔性显示面板/基板应用需求。                                ℃〕、低吸湿率(1.26%~1.35%),以及介电常数为
                                                               2.49~2.52 C²/(N·m²)。近期,LI 等    [56] 合成了一种刚
                                                               性半脂环二酐单体Ⅷe,见图 9,其具有—CF 3 、半
                                                               脂环结构,链堆积被破坏,故链间相互作用和结晶
                                                               度均有所降低,赋予了 FPI-8 良好的溶解性,同时
                                                               T g 在 369~401  ℃之间。该二酐单体未来有望成为
                                                               OLED 基板的关键单体。SIMONE 等            [57] 设计了二酐

                                                               单体Ⅷf,见图 9,五氟苯基和—CF 3 的引入使制备
                图 8   含—CF 3 和 P==O 的二胺单体Ⅶa 的结构式               得到 FPI 的介电常数较大多数类似的刚性 PI 更低;
            Fig. 8    Structural formula of diamine monomer  Ⅶa containing
                                                               N 2 氛围下,该 FPI 的 T 5% 在 463~545  ℃之间,T 10%
                   —CF 3  and P==O
                                                               在 537~581  ℃之间,表现出优异的热稳定性。
   33   34   35   36   37   38   39   40   41   42   43