Page 26 - 《精细化工》2022年第11期
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·2176·                            精细化工   FINE CHEMICALS                                 第 39 卷

                                                               2.2    掺杂改性
                                                                   通过掺杂一些杂原子如硫、氮、碳以及过渡金
                                                               属等也能改善 MXene 的电化学性能。硫、氮、碳等
                                                               元素可与 MXene 表面基团(—F、—OH 和—O)形
                                                               成化学键,进而提高 MXene 的导电性,同时也可改
                                                               善其表面润湿性以增加表面活性位点。使用过渡金
                                                               属掺杂 MXene 还可赋予其优异的析氢反应(HER)
                                                               催化活性,有望开发出用于清洁能源的新型无贵金
                                                               属催化剂。
                                                                   氮掺杂是常见的掺杂方法之一              [59] 。LU 等 [60] 全
                                                               面研究了 MXene 的氮掺杂机理(图 3)。如图 3a
                                                               所示,在 Ti 3 C 2 T x (T=F、OH 和 O)中发现了 3 个
                                                               可能的位点来容纳氮掺杂剂:C 的晶格取代(LS)、

                         +                                     —OH 的功能取代(FS)和—O—端的表面吸收(SA)。
            SI-Ti 3C 2T x 表示 Na 插层 MXene;CPX@SI-Ti 3C 2T x 表示 SI-Ti 3C 2T x
            吸附 CPX                                             通过测量掺氮前后的能差,计算出各构型的形成能
            图 2   插层改性的 MXene 去除废水中环丙沙星的吸附和                    (E f),所得结果如图 3b 所示。在取代官能团时,发
                  电化学再生示意图       [53]                          现—OH 的形成能为−4.71 eV,其次是—F(−3.84 eV),
            Fig. 2    Schematic diagram of adsorption and electrochemical
                   regeneration of ciprofloxacin  from  wastewater by   而—O—的形成能为 0.02 eV,认为相应的取代过程
                   intercalation modified MXene [53]           是不可行的。













































            图 3  Ti 3 C 2 中氮掺杂剂的模拟:Ti 3 C 2 T x 的原子结构与所有可能的氮掺杂剂位置(a);形成能计算结果(阴影为正值)
                  (b);氮原子与在 Ti 3 C 2 超级单体能量最有利位置的原子方案(俯视图)(c);过渡态能量计算结果(d)                                [60]
            Fig. 3    Simulation of all nitrogen dopant atomic scheme of Ti 3 C 2 T x  in Ti 3 C 2  (a); Formation energy calculation results (shaded
                   part for positive values) (b); Nitrogen atom and atomic scheme at optimal position of energy in Ti 3 C 2  supercell (top
                   view) (c); Transition state energy calculation results (d) [60]
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