Page 122 - 《精细化工》2022年第5期
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·976· 精细化工 FINE CHEMICALS 第 39 卷
图 4a 为 Ni 2p 的 Ni 2p 3/2 峰、Ni 2p 1/2 峰及其相 CC@Al-NiCo 2 S 4 电极的 CV 曲线显著区别于双电层
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应的卫星峰,其中 853.06、870.36 eV 处为 Ni 的特 电容特性,显示出明显的氧化还原峰,表明 CC@Al-
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征峰,856.16、873.46 eV 处为 Ni 的特征峰。图 4b NiCo 2 S 4 为典型的赝电容材料,且在电极中发生了可
为 Co 2p 的 Co 2p 3/2 峰、Co 2p 1/2 峰及其相应的卫星 逆的法拉第反应,具体如式(6)~(8) [26-28] :
峰,其中位于 778.3、793.2 eV 处的特征峰对应于 CoS OH CoSOH e (6)
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Co ,位于 781.4、796.9 eV 处的特征峰对应于 Co 。
CoSOH OH CoSO H O e 2 (7)
图 4c 显示 S 元素在 161.30、162.43 eV 处存在 S 2p 3/2
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峰、S 2p 1/2 峰,分别归属于 S (金属—S)。另外, NiS OH NiSOH e (8)
163.71 eV 处的宽峰归属于 C—S 键,168.70 eV 处 图 5d 为 CC@Al-NiCo 2 S 4 电极在不同电流密度
的特征峰归属于 S==O 键 [24] 。图 4d 中 Al 2p 在 68.16 (1、2、4、6、8、10、20 A/g)下的 GCD 曲线。
eV 处的强峰归属于 Al 3+[17] 。 由图 5d 可知,在不同的电流密度下,曲线始终呈现
上述结果表明,Al 元素已被成功引入到 CC@ 对称的三角形状,证明 CC@Al-NiCo 2 S 4 电极具有良
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NiCo 2S 4 中,且 CC@Al-NiCo 2 S 4 中含有 Ni 、Ni 、 好的库仑效率。此外,当电流密度增加到 10 A/g 时,
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Co 、Co 、S 、Al 等多种价态的离子。虽然 Al CC@NiCo 2 S 4 电极的电容保持率下降为 70.4%,而
本身不具有电活性,不参与法拉第氧化还原反应 [25] , CC@Al-NiCo 2 S 4 电极仍具有 1184.2 F/g 的高比电容,
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但 Al 可以提高 NiCo 2 S 4 的法拉第活性,有利于法 约为初始比电容的 78.1%,倍率性能优异,这是因
拉第电荷储存 [18] 。 为 Al 元素可以提高 NiCo 2 S 4 的导电性,有利于电子
2.2 材料的电化学性能测试 传输。将其与已经报道的文献进行对比,如表 1 所
图 5a 为 CC@NiCo 2 S 4 和 CC@Al-NiCo 2 S 4 两种 示,CC@Al-NiCo 2 S 4 表现出较高的电化学性能。对
电极在扫描速度为 5 mV/s 时的 CV 曲线。由图 5a CC@NiCo 2 S 4 、CC@Al-NiCo 2 S 4 进行 EIS 测试,相
可知,与 CC@NiCo 2 S 4 电极相比,CC@Al-NiCo 2 S 4 应的奈奎斯特图见图 5e。在高频区,曲线与实轴的
电极的 CV 曲线闭合区域面积更大。对比 CC@ 交点表示电解质电阻(R s ),包括材料内阻、电解质
NiCo 2 S 4 电极和 CC@Al-NiCo 2 S 4 电极在 1 A/g 下的 离子电阻和活性材料与集流体之间的界面电阻。半
GCD 曲线(图 5b)可以看出,CC@Al-NiCo 2 S 4 电 圆的直径表示电荷转移电阻(R ct )。低频区域中的直
极具有更长的放电时间,CC@NiCo 2 S 4 电极的比电 线斜率表示 Warburg 电阻(W),主要是由氧化还原
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容为 844.5 F/g,而 CC@Al-NiCo 2 S 4 电极的比电容为 产物在电解液中扩散引起的,与电解液中的 OH 有
1515.8 F/g,表明 Al 的掺杂可以显著提高 CC@ 关。由图 5e 可知,与 CC@NiCo 2 S 4 相比,CC@Al-
NiCo 2S 4 电极的比电容。图 5c 为 CC@Al-NiCo 2S 4 电 NiCo 2 S 4 具有更小的半圆直径和直线斜率,表明
极在电压窗口–0.2~0.5 V 不同扫描速度(5、10、20、 CC@Al-NiCo 2 S 4 的电子传输动力学和离子扩散速率
40、50 mV/s)下的 CV 曲线。由图 5c 可知, 更快,电化学性能更为优异。
图 5 CC@NiCo 2 S 4 和 CC@Al-NiCo 2 S 4 的电化学性能
Fig. 5 Electrochemical properties CC@NiCo 2 S 4 and CC@ Al-NiCo 2 S 4