Page 22 - 《精细化工》2022年第9期
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·1740· 精细化工 FINE CHEMICALS 第 39 卷
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刚性二维平面网络结构的全碳分子。石墨炔具有载 GD 是一种同时含有 sp 和 sp 杂化碳原子的碳
流子迁移率高、π-共轭结构、吸收系数高等优异的 材料,也是目前唯一可以大量合成的石墨炔 [25] 。GD
光电性质 [16-17] ,通过修饰 PSCs 的不同功能层,可 具有高活性的炔键单元,为引入杂原子(如氟、氧)
以改善薄膜质量和提高载流子迁移率。石墨炔及其 和其他官能团提供了丰富的位点,便于制备功能性
衍生物具有均匀的孔径、丰富的官能团和可调的带 的 GD 衍生物,例如氧化石墨炔,氯化石墨炔等。
隙,可以钝化 PSCs 中的缺陷,减少电荷复合 [18-20] 。 GD 具有丰富的碳化学键、大共轭体系、可调
本文简单介绍了石墨炔及其衍生物的结构特 的电子性质、均匀分布的三角形孔、优良的化学稳
性,重点综述了石墨炔及其衍生物在 PSCs 不同功 定性和半导体性能,在光电和催化领域有着广泛的
能层中的应用,总结了石墨炔及其衍生物在功能层 应用 [26-28] 。GD 高度 π-共轭结构使得本征电子迁移
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及其界面中钝化缺陷,改善薄膜形貌和界面接触, 率在室温下能达到 1.0×10 cm /(V·s),空穴迁移率比
提高载流子传输等方面的作用,对石墨炔及其衍生 其低一个数量级,有利于实现电子-空穴对的分离,
物在 PSCs 中的应用提出展望。 抑制电子-空穴的复合,提高载流子迁移率 [29-31] 。此
外,官能团化得到石墨炔衍生物还能进一步拓展其
1 PSCs 简介 在光电领域的应用。例如,氧化石墨炔 [32] 的含氧基
团改善了其在水溶液中的分散性,可以实现更广泛
PSCs 主要由导电玻璃基底(TCO)、钙钛矿光
的应用;甲基取代石墨炔 [33] 通过引入强疏水性甲基
吸收层(Perovskite)、载流子传输层〔电子传输层
官能团构建了超疏水的界面,在光电应用中展现了
(ETL)与空穴传输层(HTL)〕和金属对电极(Au、
显著的优势。
Ag 或 Al)等组成。其中,光吸收层的材料便是钙
钛矿,通式为 ABX 3 。其中,A 是较大的阳离子,如 3 GD 及其衍生物在光吸收层的应用
+
+
甲胺阳离子(MA ),甲脒阳离子(FA ),铯离子
+
2+
2+
(Cs );B 为较小的+2 价金属离子,如 Pb 、Sn ; 在 PSCs 众多功能层中,能产生光生伏特效应
–
–
–
X 为卤素离子,如 Cl 、Br 、I 。典型的三维钙钛矿 的光吸收层(即钙钛矿层)无疑是最核心的部分,
晶体中,A 位于立方晶胞中心,被 12 个 X 包围成 因此通过修饰光吸收层来提升器件性能一直是领
配位立方八面体,如图 1a 所示。B 与六个 X 形成八 域内的研究热点。理论计算表明,GD 及其衍生物
面体配位,为立方晶胞的角顶,如图 1b 所示,理想 和钙钛矿可通过范德华相互作用形成不同的界面
情况下形成完美的立方晶格 [21-23] 。 结构,当两者形成内建电场时,会加速光生电子和
空穴的分离与转移,使得电子-空穴复合减少,也会
钝化界面和晶界的缺陷,从而提高电池效率和稳定
性 [34] 。
LI 等 [35] 首次将 GD 掺杂到 MAPbI 3 中,发现其
图 1 钙钛矿的晶体结构图 [24] 可以影响光吸收层结晶、薄膜形貌和一系列光电特
Fig. 1 Crystal structure diagram of perovskites [24] 性。对比了 GD 不同掺杂量的钙钛矿薄膜的 XRD 谱
图,如图 3a 所示〔P3CT-K 为 GD 掺杂聚[3-(4-羧
2 石墨炔及其衍生物的结构性质 基丁基)噻吩-钾离子]〕。2θ=14.2°和 28.5°处分别对
应钙钛矿(110)和(220)晶面。随着 GD 掺杂量
石墨炔(γ-石墨二炔,GD)是由 1,3-二炔键将 的 增加, 钙钛 矿的结 晶度 先增强 后降 低。 当
苯环共轭连接形成的刚性二维平面网络结构的全碳
MAPbI 3 /GD 物质的量比为 1∶0.25 时,钙钛矿的平
分子,通过范德华力和 π-π 相互作用堆积,形成了 均晶粒尺寸最大。同时,与原始光吸收层相比,GD
由 18 个碳原子组成的三维孔道结构 [24] ,如图 2 所示。 掺杂的钙钛矿薄膜具有更高的光吸收系数,规律与
XRD 结果一致(如图 3b 所示),这有利于提高 PSCs
的短路电流(J SC )。X 射线光电子能谱研究了 GD
与 PbI 2 以及 GD 与 MAPbI 3 钙钛矿之间的相互作用。
在 GD/PbI 2 中,GD 掺杂后的 Pb 4f 峰位于 138.4 和
143.3 eV 之间,结合能明显低于未修饰的 PbI 2(138.6
图 2 GD 的结构示意图 和 143.5 eV),如图 3c 所示。同样,GD 掺杂后的 I 3d
Fig. 2 Schematic diagram of structure of GD 峰位于 619.2 和 630.7 eV,相对于 PbI 2 的 619.5 和