Page 26 - 《精细化工》2022年第9期
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·1744·                            精细化工   FINE CHEMICALS                                 第 39 卷

            小,从而能够在整体上改善电池的效率和稳定性。                             (GDYO),并将其掺杂到 NiO x 中作为无机空穴传
            4.2   修饰空穴传输层                                      输材料。通过时间分辨光致发光和电化学阻抗谱分
                 常用的空穴传输材料如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-                      析发现,GDYO 加入后,HTL/钙钛矿间的载流子平
            聚苯乙烯磺酸(PEDOT∶PSS)、2,2',7,7'-四[N,N-二                均寿命从 29.2 ns 下降到 5.4 ns,复合电阻显著增加。
            (4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)                这说明 GDYO 掺杂能够有效促进电荷提取与输运,
            普遍存在空穴迁移率低且稳定性差的问题。GD 及                            抑制电荷复合。因此,GDYO 优化的 NiO x 基电池表
            其衍生物具有透光率高、功函数适宜和易于加工等                             现出更高的 FF(81.99%)和更优的稳定性。
            特点,将其对 HTL 进行修饰,可以提升薄膜的空穴
            迁移率和稳定性,从而提升 PSCs 性能。
                 2015 年,XIAO 等   [52] 首次将 GD 作为 P3HT 的
            掺杂剂。研究发现,GD 与 P3HT 之间存在较强的 π-π
            堆积相互作用(图 8),这有利于提高空穴迁移率。
            同时,部分 GD 聚集体具有散射性质,提高了 PSCs
            在长波长范围内的光吸收,从而提升了 PSCs 的 J SC 。
            GD 修饰的 PSCs 的 PCE 达到 14.58%,且具有良好
            的稳定性和重现性。















            图 8   用 GD 改性的 P3HT 空穴传输材料的钙钛矿太阳能

                  电池的原理图     [52]                              图 9  ITO/P3CT-K(a)和 ITO/P3CT-K(GD)(b)薄膜
            Fig. 8  Schematic diagram of the perovskite solar cells with   的 AFM 图 [53]
                   GD modified P3HT hole-transporting material [52]    Fig. 9    AFM images of ITO/P3CT-K (a) and ITO/P3CT-
                                                                     K(GD) (b) films [53]

                 2018 年,LI 等  [53] 将 GD 掺杂到聚[3-(4-羧基丁
            基)噻吩-钾离子](P3CT-K)中,并作为 MAPbI 3 基
                                                               5   结束语与展望
            PSCs 的空穴传输层。如图 9a 和 b 所示,原子力显
            微镜(AFM)测得掺杂前后的薄膜均方根粗糙度分                                GD 及其衍生物天然的带隙、独特的结构和光
            别为 1.82 和 1.04 nm,证明掺杂后的 P3CT-K 薄膜的                电特性,使其在钝化缺陷,改善薄膜形貌和界面接
            表面更光滑。良好的形貌能够改善空穴传输层和钙                             触,提高载流子传输等方面展现出独特的作用。但
            钛矿层的接触,减少漏电流,降低非辐射复合,提                             是目前 GD 及其衍生物在 PSCs 领域的应用仍然较
            高空穴输运效率。GD 对 P3CT-K 的修饰使 PSCs 的                    少,存在一定的问题。首先,GD 在合成过程中会
            PCE 从 16.8%提高到 19.5%,并且迟滞可以忽略不                     难以避免地产生缺陷,这些缺陷作为非辐射复合位
            计。2021 年,LUAN 等         [54] 将 GD 作为钙钛矿层           点会直接影响光生载流子的传输。其次,GD 的修
            〔(FAPbI 3) 1−x (MAPbBr 3-y Cl y ) x 〕和空穴传输层(Spiro-   饰位置及功能化基团的种类较为单一且大多数研究
            OMeTAD)之间的界面连接剂,证明了 GD 与 Pb 原                      都是针对其溶解性的改善。另外,目前 GD 及其衍
            子能够通过配位作用显著抑制金属 Pb 的形成,减少                          生物修饰的 PSCs 得到的光电转化效率普遍未能达
            载流子复合。GD 连接剂与空穴传输层之间的 π-π 堆                        到较高水平,在材料自身特性及修饰工艺方面仍需
            积相互作用能够促进光生空穴的收集与传输,提升                             进一步探索。
            器件性能。结果表明,该电池的 PCE 由 19.94%提                           因此,通过进一步研究 GD 材料特性及其与钙
            高到 22.17%,同时其湿度、热稳定性和空气稳定性                         钛矿间的相互作用机理,在此基础上通过化学修饰
            均有较大提高。                                            杂原子或其他更具配位能力的官能团得到更富功能
                 2021 年, TANG 等     [55]  制备 了氧 化 石墨炔          性的 GD 衍生物,并将其通过更新颖的电池制备工
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