Page 64 - 《精细化工》2023年第2期
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·286·                             精细化工   FINE CHEMICALS                                 第 40 卷

                 图 8c 是 4 种材料在 100、300、500、1000、               电曲线如图 9b 所示。从图 9b 可以发现,LTO(Y)的
            1500 mA/g 不同电流密度下的倍率性能。从图 8c 可                     充放电平台变化最大,平台间隙 ΔV 增加到 0.30~
            以发现,在小电流密度下(100~500 mA/g),4 种电                     0.35 V 之间,LTO 的平台间隙 ΔV 增加到 0.18~
            极的放电比容量随着电流密度增加而下降得幅度较                             0.20 V,而 LTO@RGO 和 LTO(Y)@RGO 的平台间
            小;当电流密度增大时,4 种材料的放电比容量的                            隙变化不大,只是随着电流密度增加,平台的长度
            变化幅度出现了明显的差异,其中,钇掺杂后的                              变短,即放电比容量减小。继续增加电流密度到
            LTO(Y)放电比容量下降最快,在 1500 mA/g 电流密                    1000 mA/g 时,4 种材料的充放电曲线如图 9c 所示。
            度下放电比容量只有 65 mA·h/g,再恢复小电流密
            度,相较其他电极,其放电比容量保持率也是最低
            的。这是因为由于钇元素的掺杂,材料的晶格常数
            发生了轻微的改变,晶胞结构产生轻微变形,导致
            结构的稳定性下降         [27] ,在大电流密度下晶体的结构
            遭到不可逆的破坏,导致其倍率性能最差。与氧化
            石墨烯复合形成的 LTO@RGO 的倍率性能较单一材
            料有一定的提升,且还原为小电流密度之后其放电
            比容量也恢复到初始状态,其放电比容量基本和初
            始状态持平,这得益于导电性良好且比表面积较大
            的氧化石墨烯对材料性能的改善               [28] 。而对于钇掺杂
            和氧化石墨烯复合得到的 LTO(Y)@RGO,无论在小
            电流密度还是大电流密度下,其倍率性能在 4 种材
            料里都是最好的,在 1500 mA/g 电流密度下放电比容
            量依然有 100 mA·h/g,在经过一系列的不同电流密度
            的测试之后,再返回到初始小电流密度状态时其容量
            衰减几乎为零,这说明钇掺杂与氧化石墨烯复合两种
            方式协同作用可以显著改善材料的性能。根据倍率性
            能测试结果,为了进一步研究 LTO(Y)@RGO 的长循
            环性能,对其进行 300 圈的长循环性能测试,如图
            8d 所示。从图 8d 可以发现,经过 100 圈充放电循
            环后容量衰减几乎为 0,经过 200 圈循环后容量衰
            减 1.59%,经过 300 圈循环后容量衰减 3.24%,与
            目前放电比容量保持率只有 80%左右的石墨负极相
            比有明显的改进,表现出优异的循环性能。与其他
                               2+
                         3+
                                           2+
                                     2+
            金属元素如 Al 、Zn 、Co 、Mn 掺杂后 20 圈循
            环的放电 比容量保 持率( 98% )相比                   [29-30]  ,

            LTO(Y)@RGO 样品具有更加优异的循环性能。
                                                               图 9  LTO、LTO(Y)、LTO@RGO、LTO(Y)@RGO 在不
                 为了研究 4 种材料在充放电过程中的极化程
                                                                    同电流密度下的充放电曲线
            度,对其在 100、500、1000 mA/g 的电流密度下稳                    Fig. 9    Charge-discharge curves of LTO, LTO(Y), LTO@RGO
            定后(充放电 3 圈后)充放电平台进行了考察,结                                 and LTO(Y)@RGO at different current densities

            果如图 9 和表 1 所示。表 1 中充放电平台之间的间                       表 1  LTO、LTO(Y)、LTO@RGO、LTO(Y)@RGO 在不
            隙 ΔV(平台间隙)代表了电极极化程度,ΔV 越大,                              同电流密度下充放电的平台间隙 ΔV(单位 V)
            极化程度越高。当电流密度为 100 mA/g 时,可以发                       Table 1    Charge discharge platform gaps of LTO, LTO(Y),
                                                                      LTO@RGO and LTO(Y)@RGO at different
            现每一种材料的充电平台和放电平台都分别在 1.62                                 current densities (unit V)
            和 1.55 V 左右,平台间隙 ΔV 在 0.15~0.17 V 之间,                                      电流密度/( mA/g)
            充放电平台平缓且平台间隙很小,如图 9a 所示。                                            100       500        1000
                                                                LTO           0.15~0.17  0.18~0.20  0.21~0.23
                 说明在 100 mA/g 的电流密度下 4 种材料结构稳
                                                                LTO(Y)        0.15~0.17  0.30~0.35  0.50~0.55
            定,具有良好的锂离子脱嵌能力,材料的极化程度                              LTO@RGO       0.15~0.16  0.16~0.18  0.18~0.20
            很小。当电流密度增加到 500 mA/g 时,材料的充放                        LTO(Y)@RGO    0.15~0.16  0.16~0.17  0.18~0.19
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