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·1850·                            精细化工   FINE CHEMICALS                                  第 35 卷

            体在 MOCA 作用下发生扩链反应硫化预成型,最后                          超高孔径为 PU 材料提供了良好的孔隙通道。图 1c
            在 90  ℃下二次硫化 12 h,形成三维石墨烯/聚氨酯                      为 PU 真空条件下浸渍三维 GA 制备的 3DGP 的 SEM
            (3DGP)复合弹性体。                                       图,二甲苯调节 PU 流动性后,既能保持网络骨架
                 实验流程及实物图如下所示:                                 不被破坏又能良好浸渍,但因为自组装的接枝末梢
                                                               有连接强度不够的小片径,PU 浸渍流动过程中会带
                                                               动其凌乱分散,如图 1c 中小圆圈部分所示。由图
                                                               1d、e 可以看到,对比红色“吕”字型的骨架部分,
                                                               骨架形貌能保持一致,浸渍了 PU 的图 1e 只能看到
                                                               截面网络结构,而图 1d 仍能观测到内部网络骨架。
                                                               2.2   光谱特征分析
                                                                   Raman 和 FTIR 测试是三维石墨烯分子结构缺
                                                               陷程度与表面官能团的有力表征手段                 [21-22] ,因此将
                                                               其用作于 GO、GOH、GA 分子结构和表面官能团表
                                                               征分析,Raman 和 FTIR 分析结果分别如图 2、3 所示。


            2   结果与讨论

            2.1   微观结构分析
                 通过 AFM 和 SEM 考察 GO 片层在特定条件下
            自组装形成高孔隙率气凝胶的网络骨架,以及聚氨
            酯材料真空浸渍气凝胶形成复合材料的微观结构形
            貌,如图 1 所示。



                                                                     图 2  GO、GOH、GA 的 Raman 光谱图
                                                                     Fig. 2    Raman spectra of GO, GOH and GA



















                                                                         图 3  GO、GA 的 FTIR 光谱图
            图 1  GO 的 AFM 形貌图(a),GA 的 SEM(b)及其局部放                       Fig. 3    FTIR spectra of GO and GA
                  大图(d),3DGP 截面的 SEM(c)及其局部放大图(e)
                                                                                                       –1
            Fig. 1    AFM topography of GO (a), SEM(b) images of GA   从图 2 可看出,GA 在 1347 和 1589 cm 分别
                   and its partial  enlargement  (d), SEM(c) images of   出现了拉曼特征峰 D 和 G 带,与 GO 相比,G 带峰
                   3DGP section and its partial enlargement (e)
                                                                                –1
                                                               值向左位移(–5 cm ),说明片层上的含氧官能团被
                                                                             2
                 图 1a 为 GO 的 AFM 形貌图,片径约为 20 μm、               去除,恢复了 sp 电子轨道杂化共轭域。此外,常用
            单片层厚度约为 1.2 nm。GO 片层上因具有丰富的                        D 带与 G 带峰值之比(I D /I G )来判断结构缺陷程度,
            含氧官能团和超高宽厚比的二维共轭大分子,在还                             GO、GOH、GA 对应的比值分别为 0.91、1.07、1.11,
            原剂 EDA 和水热还原作用下发生 π-π 键自发连接                [20] ,  缺陷密度出现增加趋势,其主要原因是还原剂作用
            形成六边形结构的较规整蜂窝状三维结构,其网络                             下,GO 进行接枝自组装缩合脱水形成 GOH 的过程
            骨架 SEM 图如图 1b 所示,形成的孔径约 0.8 mm,                    中破坏了 GO 片层上原本的结构,并且因为冷冻时
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