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第 8 期                   杨晓武,等:  双层结构 Si/PPy 复合负极在锂离子电池中的应用                              ·1379·









































              图 4   样品的 X 射线衍射谱图(a)和拉曼谱图(b)                               a—纯硅负极;b—双层结构负极
            Fig. 4    X-ray diffraction pattern (a) and  Raman spectra
                   pattern (b) of samples                           图 5   样品循环前 20 次的电压-比容量曲线
                                                               Fig. 5    The first twenty-cycle voltage-specific capacity
            将聚吡咯炭化为无定形碳且并不改变硅的晶型结                                     curves of samples

            构。在图 4b 的拉曼光谱中可以看到微波处理后的复                          次时比容量已经降到 1000 mA•h/g 以下。图 5b 中,
                                                     –1
                             –1
            合材料在 1360 cm 左右(D 峰)和 1580 cm 左右                   双层结构的首次放电比容量为 1890.8 mA•h/g,充电
                                                       –1
            (G 峰)出现了两个特征峰,而在 510 和 950 cm 附                    比容量为 1453.9 mA•h/g,对应的首次不可逆容量损
            近硅的特征峰并没有明显的变化,510 cm                 –1  处的峰      失约为 23.11%,与纯硅负极相比双层结构负极的首
            稍有左移可能是微波过程中 Si 和 C 之间的热应力作                        次不可逆容量损失明显降低。第 2 次的不可逆损失
            用引起的。拉曼光谱同样证明了在微波处理 Si/PPy                         仅为 4.72%,并且在随后的循环中电压-比容量曲线
            的混合物后,将聚吡咯碳化为无定形碳而不改变硅                             几乎重合,说明比容量没有明显的衰减。与纯硅负
            的晶型结构。                                             极相比,双层结构电极在循环过程中具有良好的可
            2.2    电化学性能分析                                     逆性,较高的容量保持率,能够实现缓解硅的体积
            2.2.1   电压-比容量曲线                                   膨胀、阻止膨胀后的硅从集流体上脱落的实验设想。
                 图 5a、b 分别是纯硅负极和双层结构负极在                        2.2.2   充放电循环曲线
            500 mA/g 电流密度条件下,前 20 次的电压-比容量                         图 6 为在 500 mA/g 的电流密度条件下,各负极
            曲线。                                                材料(纯硅、Si/PPy 微波前、Si/PPy 微波后、双层
                 如图 5a 所 示,纯硅的首次放电比容量为                         结构)的循环比容量曲线。
            2596.7 mA•h/g,充电比容量为 1697.2 mA•h/g,对                   从图中看出,纯硅负极的初始放电比容量高达
            应的首次不可逆容量损失为 34.64 %。这种不可逆的                        2596.7 mA•h/g,但在第二周期时比容量迅速下降到
            容量损失主要是由于电解液的电化学还原而形成的                             1681.6 mA•h/g,并且在随后的循环中容量不断地衰
            固体电解质界面膜(SEI 膜)以及锂离子嵌入时产                           减,循环到第 100 次时的比容量为 246.7 mA•h/g,
            生的硅颗粒膨胀使得部分硅颗粒脱离附着点而导致                             容量保持率仅为 9.5 %。显然,纯硅负极在首次循环
            的部分失活,这种失活对于纯硅负极尤为严重                      [29] 。   后存在巨大的不可逆容量损失,随着不断地充放电
            第 2 次的放电比容量为 1681.6 mA•h/g,充电比容量                   过程,硅的体积膨胀也在不断加剧,从而导致活性
            为 1559.3 mA•h/g,不可逆容量损失减小到约 7.27%,                 物质从集流体上碎裂脱落失去电接触。对比发现微
            并且可逆比容量在随后的周期中不断地衰减,到第 20                          波处理前的 Si/PPy 复合材料循环性能并没有明显的
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