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·1378·                            精细化工   FINE CHEMICALS                                  第 35 卷

            叶变换红外光谱仪(FTIR)测定聚吡咯经微波处理                           描电压范围 0.001~1.5 V,扫速为 0.03 mV/s。

            前后的红外光谱。采用蓝电电池测试系统对电池进                             2    结果与讨论
            行恒流充放电测试,电压窗口为 0.01~1.5 V,电流
            密度为 500 mA/g。采用电化学工作站测试电化学交                        2.1    形貌及结构分析
            流阻抗谱(EIS),测试频率范围 100 kHz~10 mHz,                       图 2 是微波处理前后的聚吡咯以及制得的极片
            交流电位振幅为 10 mV;循环伏安曲线(CV),扫                         表面的扫描电镜照片。
























              a—微波处理前的聚吡咯;b—微波处理后的聚吡咯;c—内层极片表面;d—外层极片表面;e—单层极片断面;f—双层极片断面

                                                    图 2   样品的 SEM 图
                                                Fig. 2    SEM images of samples

                 由图 2a、b 可以看出,制备的聚吡咯具有较为                       尽,特征峰消失,由此可认为聚吡咯已经炭化,而
            均一的线性结构,而微波处理后聚吡咯形成的碳材                             聚吡咯的炭化可以在一定程度上避免其他活性基团
            料基本保持了其原有的线性特征。图 2c 可以看到线                          在锂离子电池工作过程中发生不必要的副反应。
            型碳材料相互交叉排列形成的网状结构,直径在
            0.5~5 μm 之间的硅颗粒均匀地嵌入网状结构中,这
            样的网状结构可以为硅粉在充放电过程中产生的巨
            大体积膨胀提供一定的缓冲空间,能在一定程度上
            缓解多次充放电后的极片崩碎粉化。而由图 2d 可以
            看出,经过外层涂覆后,极片表面看不到内层的结
            构且片状颗粒之间的孔隙明显小于内层结构中的网
            状孔隙,证明外涂层均匀但不致密的涂覆在了内层表
            面,形成了一个壳层。图 2e 为单层极片断面,涂覆
            厚度为 10.91  μm。从图 2f 中能看到一个双层的断面

            结构,内层厚(10.91  μm)、外层薄(4.36 μm),外
            层均匀地覆盖在内层表面。这样的双层结构能够更                                  图 3   聚吡咯用微波处理前后的红外光谱图
                                                               Fig. 3    FTIR spectra  of polypyrrole before and after
            大程度的缓解负极材料与集流体的脱离现象,内层
                                                                      microwave treatment
            聚吡咯网状结构为硅粉的膨胀提供缓冲空间,外层
            石墨烯层阻止了负极材料碎裂后的脱落,使其即使                                 图 4a、b 分别为复合材料经微波处理后的 X 射
            发生了粉碎仍然能与集流体保持接触。                                  线衍射及拉曼谱图。
                 图 3 为聚吡咯经微波处理前后的红外光谱图。                            由图 4a 可以看出,经微波炭化处理的 Si/PPy
                 由图 3 可知,微波处理前聚吡咯有一系列的特征                       复合材料在 2θ = 24°左右出现一个典型的无定形碳
                              –1
            峰,包括在 1559 cm 处有吡咯环特征峰,1477 cm               –1    宽峰,而在 2θ = 28.4°、47.2°、56.8°、69.3°、76.6°
                                        –1
            为==C—H 面内振动,1185 cm 为 C—N 的伸缩振                     处为硅的特征峰。将其与纯硅、纯微波处理后聚吡
                      –1
            动,920 cm 为—C—H 弯曲振动等            [28] 。经过微波处        咯的 X 射线衍射谱图进行对比,微波处理后的 Si/Ppy
            理后,可观察到其中的含氮基团、含氧基团消失殆                             复合材料的峰基本与前两者相符,表明微波处理
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