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·884·                             精细化工   FINE CHEMICALS                                  第 36 卷

            2    计算方法                                          说明所得到的分子为热力学稳定结构。HYP 又名槲
                                                               皮素-3-O-β-D-吡喃半乳糖苷,由两个苯环、一个六
                 采用 GaussView 5.0.9 程序建立 HYP、AM 和 IA           元氧杂环和一个吡喃半乳糖苷              [25] 所构成。在 HYP
            的分子结构模型,根据 DFT 和利用 Gaussian  09 软                  分子结构中,含有醚键(3 个)、羰基(1 个)、羟
            件对其进行理论计算。采用 Becke 三参数混合函数                         基(8 个)等基团,因此具有印迹活性,可与功能
            (B3)   [15-16] 和 Lee-Yang-Parr(LYP) [17] 梯度校正函     单体发生印迹相互作用。HYP、AM 和 IA 的分子
            数相结合的 B3LYP      [18] 方法进行计算,且几何结构计                静电势分布如图 1 所示,HYP、AM 和 IA 分子的
            算时不加以任何限制          [19] ,为提高计算精度,基组中               单点能量理论计算值分别为−4503.94、−649.50 和
            加入极化函数和弥散函数,以获得可靠的体系中分                             −1300.17 MJ/mol。
            子几何结构和振动频率。在 DFT/B3LYP/6-31++G(d,
            p)理论水平下展开对分子几何结构的频率计算。为
            校正理论振动频率与实验测量值的偏差,所有频率
            均采用校正因子        [20] (f=0.9613)进行校正,以获得
            与实验测量值更加吻合的计算结果。通过振动频率
            计算,确认完全优化的平衡几何结构(HYP、AM、
            IA 以及不同摩尔比例的 HYP-AM、HYP-IA 复合物)
            在势能表面上的最小值。通过采用 VMD 1.9.1 程序
            分析模板分子和功能单体的 MEP,研究 HYP、AM
            和 IA 的印迹活性位点。分子印迹复合物属于多体弱
            相互作用系统       [21-22] ,可通过式(1)、(2)计算相互
            作用:
                       E     E    E     nE         (1)
                         IE   C(C)  A(A)   B(B)
                       E SE    E C(C)    E A(C)    nE B(C)    (2)

            式中:n 为 AM(或 IA)和 HYP 的摩尔比例,取值
            为整数;A、B、C 分别为 HYP、AM(或 IA)及其
            不同摩尔比例的 HYP-AM(或 HYP-IA)复合物;
            E IE 和 E SE 分别为 HYP 和 AM(或 IA)分子间相互
            作用能和稳定能,kJ/mol。
                 理 论 计算中 对基组重 叠误差( Basis  Set
            Superposition Error,BSSE)进行矫正     [23] ,以获得经

            矫正的相互作用能和矫正能(E BSSE )。上述两个方
                                                                 图 1    HYP (a)、AM (b)和 IA (c)的分子静电势分布
            程中所有的能量项均用不同摩尔比例 HYP-AM、
                                                               Fig.  1    Molecular  electrostatic  potential  distribution  of
            HYP-IA 复合物的完整基组计算,E A(A) 、E B(B) 和 E C(C)                 HYP (a), AM (b) and IA (c)
            分别 用 HYP 、 AM 、 IA 及 其不同 摩尔比例的
                                                                   由图 1 中的标尺可知,原子负电性越强,其静
            HYP-AM、HYP-IA 复合物的优化稳定构象计算,而
                                                               电势图越接近于红色,易失去电子,对正电荷的吸
            在相应复合物中的 HYP、AM 和 IA 的冷冻几何结构
                                                               引力越强;原子正电性越强,其静电势图越接近于
            中获得 E A(C) 和 E B(C) 。以上所有讨论都是基于气相计
                                                               蓝色,易得到电子,对负电荷的吸引力越强。因此,
            算的结果。
                                                               从 HYP 的正、负电荷区域,可以推断出 HYP 的活
            3    结果与讨论                                         性位点主要位于酮基氧原子(趋于红色)和羟基氢
                                                               原子(趋于蓝色)上,从而可与功能单体形成多个
            3.1    分子静电势分析                                     分子间氢键。同理,AM 的活性位点主要位于胺基
                 分子静电势(Molecular Electrostatic Potential,      氢原子(趋于蓝色)和羰基氧原子(趋于红色)上,
            MEP)与电子密度有关,对研究模板分子的印迹活                            所以 AM 上胺基氢原子与 HYP 上酮基氧原子,AM
            性位点、识别过程以及氢键的形成非常重要                     [24] 。在    上羰基氧原子与 HYP 上羟基氢原子可能发生相互
            相同理论水平上[DFT/B3LYP/6-31++G(d,p)]进行几                 作用;IA 的活性位点主要位于羟基氢原子(趋于蓝
            何结构优化和频率计算,计算结果表明均无虚频                     [20] ,   色)和羰基氧原子(趋于红色)上,所以 IA 上羟基
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