Page 192 - 精细化工2019年第9期
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·1920·                            精细化工   FINE CHEMICALS                                  第 36 卷

                                                               能方向移动了 0.2  eV。图 6e 中结合能 642.2 和
                                                               654.2 eV 的特征峰分别对应于 Mn2p3/2 和 Mn2p1/2,
                                                               归属为 BiVO 4 -MnO 2 中的 Mn   4+ [35] 。
                                                                   复合材料中的 Bi、V、O 结合能较 BiVO 4 均发
                                                               生了移动,说明复合材料中 Bi、V、O 周围电子云
                                                               密度发生了变化       [16] ,BiVO 4 与 MnO 2 之间发生了电
                                                               子耦合和化学键的作用,从而佐证复合样品中
                                                               BiVO 4 与 MnO 2 复合成功。



















            图 5  MnO 2 、BiVO 4 、B-M5、B-M10、B-M15 的等温吸
                  附/脱附曲线(a);BiVO 4 、MnO 2 和 B-M10 的孔径
                  分布图(b)
            Fig.  5    N 2   adsorption-desorption  isotherms  for  MnO 2 ,
                   BiVO 4 ,  B-M5,  B-M10  and  B-M15  composites(a);
                   BJH  pore  size  distribution  plots  of  BiVO 4 ,  MnO 2
                   and B-M10(b)

            2.2.5    XPS 分析
                 为了进一步确定样品的化学组成、化学价态以
            及 MnO 2 和 BiVO 4 之间的相互作用,对纯 BiVO 4 、
            B-M10 两种催化剂进行了 XPS 表征,结果如图 6 所
            示。图 6a 为样品全扫描图谱,可以看出,BiVO 4 样
            品中含有 Bi、V、O、C 4 种元素,B-M10 样品中含
            有 Bi、O、V、Mn、C  5 种元素,其中 C 元素来自
            仪器本身和环境的干扰。图 6b 为 Bi4f 的高分辨谱
            图,可见,B-M10 的 Bi4f 图谱在结合能 E b =158.5、

            168.8  eV 处出现 2 个明显的特征峰分别对应 Bi4f 7/2
                                          +3
            和 Bi4f 5/2 ,说明样品中的 Bi 以 Bi 价形式存在           [31] 。
            较纯 BiVO 4 其结合能向高能方向移动了 0.1 eV             [32] 。
            图 6c 中 B-M10 的 V2p 谱图中 E b =516.1、523.6  eV
            处的特征峰分别归属为 V2p 1/2 和 V2p 3/2 的结合能,
                       5+
            表明 V 以 V 的形式存在         [17] 。相较纯 BiVO 4 ,其结
            合能向高能方向移动了 0.3 eV。图 6d 为 O1s 的 XPS
            图谱,BiVO 4 样品的特征峰 528.9  eV 对应于 Bi—O
            键 [33] ,531.3  eV 可归属为附着在表面的羟基            [34] ,
            B-M10 复合材料中 O1s 的结合能分别为 529.1 和
            530.5 eV,529.1 eV 对应复合材料 B-M10 中的晶格
                  2–
            氧(O )占总氧含量 88.15%,530.5 eV 对应样品表
                        2–
                                2–
                             –
            面吸附氧(O 和 O /O 2 )      [34] ,晶格氧较 BiVO 4 向高
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