Page 72 - 《精细化工》2020年第4期
P. 72

·706·                             精细化工   FINE CHEMICALS                                 第 37 卷

            空穴复合率导致对可见光的利用率很低。CQDs 具                               由图 6a 可见,按国际纯粹与应用化学联合会
            有很高的电子传输性能,能作为电子受体和电子供                             (IUPAC)的分类属于Ⅳ型,H3 滞后环              [29] 。表明有
            体提高各种光催化剂光生电子-空穴分离率,这与各                            介孔的存在,主要为片状粒子堆积的狭缝孔                    [30] 。与
            种贵金属沉积催化剂表面修饰,促进催化剂表面光                             g-C 3 N 4 相比,g-C 3 N 4 / CQDs-3 在各相对压力范围内
                                                        [8]
            生电子快速捕获,增加光催化剂响应范围相类似 ;                            均有较高的吸附,说明 g-C 3 N 4 /CQDs-3 的比表面积
            另一方面,CQDs 的上转换效应               [11-12] 也可以增加       增大。由图 6b 可见,g-C 3 N 4 和 g-C 3 N 4 /CQDs-3 在宽
            g-C 3 N 4 /CQDs 复合材料对光的吸收响应。                       度 2~100  nm 的范围内有大量介孔和大孔存在;同
                                                               时,出现了 2 个较为明显的孔分布峰,较小的峰值
                                                               约为 3.8  nm,较大的峰值约为 32  nm。表 1 列出了
                                                               g-C 3 N 4 和 g-C 3 N 4 /CQDs-3 的 BET 比表面积、孔体积
                                                               和孔径数据。从表 1 可见,g-C 3 N 4 的比表面积和孔
                                                                                         2
                                                                                                        3
                                                               体积都比较小,分别为 21  m /g 和 0.143  cm /g。
                                                               g-C 3 N 4 与 CQDs 复合后,g-C 3N 4/CQDs-3 的比表面积
                                                               和孔体积都有所增加,比表面积和孔体积分别为
                                                                                3
                                                                   2
                                                               52 m /g 和 0.216 cm /g;平均孔径由 22.3  nm 变为
                                                               17.1 nm,可能是由于 CQDs 的负载使其有所减小。
                                                               比表面积和孔体积的增加更有利于污染物的扩散和

             图 5  g-C 3 N 4 和 g-C 3 N 4 /CQDs-3 的紫外-可见漫反射光谱    吸附,增加反应空间,从而有利于进一步提高其催
             Fig. 5    UV-vis absorption spectra of g-C 3 N 4  and g-C 3 N 4 /CQDs-3   化活性。

            2.3    N 2 吸附-脱附等温线                                   表 1  g-C 3 N 4 和 g-C 3 N 4 /CQDs-3 的基本属性参数
                                                                Table 1    Basic parameters of g-C 3 N 4  and g-C 3 N 4 /CQDs-3
                 g-C 3 N 4 和 g-C 3 N 4 /CQDs-3 的 N 2 吸附-脱附等温
                                                                                     2
                                                                                                  3
                                                                   催化剂      比表面积/(m /g)  孔体积/(cm /g)  孔径/nm
            线及其孔径分布曲线如图 6 所示。
                                                                g-C 3N 4         21          0.143     22.3

                                                                g-C 3N 4/CQDs-3  52          0.216     17.1

                                                               2.4   光催化活性评价
                                                                   在不同 CQDs 含量的 g-C 3 N 4 /CQDs 催化剂作用
                                                               下 Rh B 的降解率,结果如图 7 所示。从图 7 可以看
                                                               出,在光照前催化剂主要对 Rh B 存在吸附作用,其
                                                               中负载了 CQDs 的催化剂吸附作用更强,且复合量
                                                               越多吸附作用越强。这主要与 CQDs 纳米材料具有
                                                               大的比表面积,g-C 3 N 4 复合 CQDs 后,比表面积改
                                                               变有关。CQDs 的负载使得催化剂比表面积更大,
                                                               更有利于吸附作用。光照后,Rh B 浓度降低速率可
                                                               以看出催化活性的相对大小,浓度降低速率越快,
                                                               则活性越高。由此可见,负载 CQDs 后,随着 CQDs
                                                               含量的增加,复合材料的光催化活性呈现出先升高
                                                               后降低的规律。g-C 3 N 4 /CQDs-2、3、4 材料均比纯
                                                               g-C 3 N 4 (即 g-C 3 N 4 /CQDs-1)的光催化性能高,其中,
                                                               当加入 CQDs 含量为 1.5%时,光催化活性最大,即
                                                               g-C 3 N 4 /CQDs-3 复合材料的催化降解率(54.5%)最
                                                               大,是纯 g-C 3 N 4 的 1.38 倍。这表明适量的 CQDs
                                                               可以与 g-C 3 N 4 之间形成有效的接触面,有利于光生
            图 6  g-C 3 N 4 和 g-C 3 N 4 /CQDs-3 的(a)N 2 吸附-脱附等
                                                               载流子的迁移,从而有效地抑制光生载流子的复合;
                  温线及(b)孔径分布曲线
            Fig. 6    (a) N 2 adsorption-desorption isotherms and (b)   过量的 CQDs 会沉积在 g-C 3 N 4 表面,减弱 g-C 3 N 4
                   corresponding pore size distribution curves of   对光的吸收。其原因:一是,过多的 CQDs 会导致
                   g-C 3 N 4  and g-C 3 N 4 /CQDs-3            g-C 3 N 4 接受光照的有效面积变小         [14] ;二是过多的
   67   68   69   70   71   72   73   74   75   76   77