Page 138 - 《精细化工》2021年第4期
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·772·                             精细化工   FINE CHEMICALS                                 第 38 卷

                图 12a 中,横坐标为特定电压,在每个特定电压                       3 次)和浮充测试(电池先充/放电 3 次,后电池继
            下都对应一个拟合的 k 1 值,k 1ν即为赝电容对电流的                      续充电 24 h,再充放电 3 次)来评估电池副反应                [25] ,
            贡献。将众多电压与 k 1ν(i,mA)通过平滑曲线连接起                      结果见图 14。自放电过程中的电压逐渐降低,但以
            来进行非线性拟合,然后对拟合的闭合曲线进行积分                            ZMO/MO/10CNT 为正极的电池电压为 1.5241 V,高
                                                               于纯相 ZMO/MO,且自放电过程中也仅有 1.5 mA·h/g
            求面积,再对特定扫速下的 CV 曲线进行积分求总面
                                                               的容量衰减(第 3 次和最后 1 次的放电比容量之差),
            积。拟合曲线的积分面积占 CV 曲线积分总面积的百
                                                               说明自放电速率更小。ZMO/MO/10CNT 的浮充电流
            分比即为特定扫速下的赝电容贡献率。同理也可以求
                                                               密度迅速下降到 0,说明电池在充满状态下,放电
            其他扫速下的赝电容贡献率。
                                                               现象较小。
                 如图 12a 所示,阴影区域属于赝电容,在固定

            扫描速率为 0.1 mV/s 的条件下,该过程仅贡献了总
            电流的 12.1%。赝电容效应是一种发生在电极材料
            表层或近表层的可逆电化学反应                [22-24] 。而且赝电容
            效应不同于嵌入/脱出反应,不会发生材料的相变。
                                           +
            阴影区域的赝电容可能归因于 H 的赝电容贡献和
                                  2+
            材料表层 ZnMn 2 O 4 中 Zn 的嵌入。嵌入/脱出反应可
                                        2+
            能主要 归因 于 Mn 2 O 3 的 Zn 嵌 入和材 料内 部
                                                     2+
                          2+
            ZnMn 2 O 4 中 Zn 的嵌入,并且 Mn 2 O 3 随着 Zn 的嵌
            入会发生由斜方晶系向层状相的结构相变,即
            α-Mn 2 O 3 转变为层状的 Zn-birnesite 相,对应于 Mn      3+
                      2+
            还原为 Mn 的过程,充电过程刚好相反。如图 12b
            所示,虽然随着扫速的增加,ZMO/MO/10CNT 电极
            的赝电容贡献率由 12.1%逐渐提高到 34.2%,这也
                           +
            与高倍率下的 H 电容贡献率增加相对应,进一步证
                                          2+
            明了整个电化学反应过程仍以 Zn 的扩散为主。
                                                       2+
                 此外,为了深入研究电极的电荷转移和 Zn 扩
            散动力学,比较了用 Zview 2.0 模拟的电池循环前的
            EIS-Nyquist 图和等效电路图,如图 13 所示。拟合结
            果表明,ZMO/MO/10CNT 的电荷转移阻抗(R ct=41.92
                                                               图 14   自放电过程中 AZIBs 放置 24 h 后的电压变化(a)
            Ω)远低于 ZMO/MO 的电荷转移阻抗(R ct =63.04 Ω),                     及 AZIBs 的浮充电流密度(b)
            说明 CNT 的包覆加速了电荷转移过程。                               Fig. 14    Voltage change  of  AZIBs after  standing for  24 h
                                                                      during self-discharge process (a) and float charge
                                                                      current density of AZIBs (b)


                                                               3   结论


                                                                   采用表面活性剂辅助溶剂热法成功合成了 CNT
                                                               包覆的 ZMO/MO/CNT 复合材料,以此为正极、2 mol/L
                                                               ZnSO 4 为电解液、商业锌片为负极构建了 AZIBs。得
                                                               益于 ZnMn 2 O 4 和 α-Mn 2 O 3 的相复合协同作用,使得
                                                                                 2
                                                               材料拥有 6×10    –13  cm /s 的超高离子扩散系数。CNT

            图 13  ZMO/MO 和 ZMO/MO/10CNT 电池的 EIS-Nyquist        的包覆可以很大程度地抑制锰的溶解,提升材料的
                   图与等效电路图                                     导电性和稳定性。在不使用 MnSO 4 添加剂的条件
            Fig.  13  EIS-Nyquist  plots  and an equivalent circuit  of   下,ZMO/MO/10CNT 复合材料在 0.1 A/g 电流密度
                    ZMO/MO and ZMO/MO/10CNT batteries
                                                               下放电比容量为 112.8 mAh/g,并且在 300 次循环
                 电池经常会出现自放电等副反应,采用自放电                          后仍能保持在 49.6 mAh/g 的可逆比容量。此外,在
            (电池先充/放电 3 次,后电池静置 24 h,再充放电                       电流密度分别为 0.1、0.2、0.4、0.8、1.2、2.0 A/g
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