Page 72 - 《精细化工》2021年第9期
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·1786· 精细化工 FINE CHEMICALS 第 38 卷
4+
近年来,MoSe 2 受到了研究者的青睐,其禁带宽度为 Mo +2Se 2 MoSe (3)
2
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1.1~1.5 eV,可以制备低功耗器件 。TMDs 制备最常 具体的制备过程如下。将 0.4 g(5 mmol)硒粉
用的方法有水热法 [13] 、气相沉积法(CVD) [10] 、机械 溶于 30 mL 水合肼中,并搅拌直至溶液呈暗红色为
剥离法 [14] 、液相剥离法 [15] 等。其中水热法具有简便 止;称取 1.4 g(6 mmol)Na 2 MoO 4 溶于 30 mL 去离
操作、成本低、工艺稳定等优点,成为制备高产量、 子水中。将上述两种溶液混合后转移至高压反应釜
高质量、高效率纳米材料首选。采用水热法制备的 中,在 190 ℃下保温 48 h。反应结束后,自然冷却
MoSe 2 粒径都比较大,如:ZHANG 等 [16] 制备的 至室温,将得到的产物用质量分数 20%的 NaOH 溶
MoSe 2 粒径约为 500 nm;MAO 等 [17] 制备的 MoSe 2 液、无水乙醇、去离子水多次清洗。最后将产物在
粒径约为 2 μm,都主要对其阻变存储性能进行研 80 ℃下干燥 6 h,得到 MoSe 2 样品。
究;FAN 等 [18] 制备了花状 MoSe 2 纳米结构,粒径约 1.2.2 柔性 MoSe 2 光电探测器的制备
为 500 nm,光电性能测试结果表明,其具有高稳定 称取 1 g MoSe 2 超声分散在 10 mL DMF 中,取
性和明显的光响应特性,但其响应速度较慢,上升 1 mL 分散液以有机尼龙膜(直径 25 mm)作为衬底,
和下降时间分别为 7.89 和 9.83 s。基于以上讨论, 采用抽滤法在有机尼龙膜上制备光敏层薄膜,然后
MoSe 2 光电性能研究较少,并且在柔性器件方面的 在薄膜上蒸镀金(Au)电极,其局部放大光镜图如
应用有待探究。 图 1a 所示,其中方形的为 Au 电极,黑色部分为光
本研究拟采用水热法来制备 MoSe 2 ,对其进行
敏层,沟道长和宽分别为 60 和 20 μm,柔性 MoSe 2
物相和形貌分析,并以柔性的有机尼龙膜作为衬底, 光电探测器的制备过程如图 1b 所示。
金作为电极制备柔性 MoSe 2 光电探测器,对其光电
性能进行测试,以期为 MoSe 2 在光电探测器领域的
研究提供理论基础和实验依据。
1 实验部分
1.1 试剂与仪器
硒粉(Se),AR,北京中金研新材料科技有限
公司;Na 2 MoO 4 ,AR,上海晶纯生化科技股份有限
公司;NaOH、水合肼(N 2H 4,质量分数 80%)、N, N- 图 1 柔性 MoSe 2 光电探测器局部放大光镜图(a)及其
二甲基甲酰胺(DMF),AR,天津市大茂化学试剂厂。 制备流程图(b)
Fig. 1 Partial magnifier (a) and fabrication flow chart of
D2 PHASER Gen2 型 X 射线衍射仪(XRD),
flexible MoSe 2 photodetector (b)
德国 Bruker AXS 公司;JEM2010 型透射电子显微镜
(TEM),日本电子公司;Quanta 400 FEG 型扫描电 1.3 结构表征与性能测试
子显微镜(SEM), 美国 FEI 公司;LabRAM HR XRD 测试条件:靶材 Cu,管电压 30 kV,管电
Evolution 型显微共焦拉曼光谱仪(Raman),法国 流 10 mA,扫描范围为 5°~80°;TEM 测试条件:工
HORIBA Jobin Yvon 公司;QuantaMaster 8000 型稳 作电压 200 kV;SEM 测试条件:电子束加速电压
态瞬态荧光光谱仪(PL),加拿大 Horiba 公司; 5 kV;Raman 测试条件:532 nm 固态激光器(光强
–1
ScanPro Advance 高分辨高速多物理量扫描综合测 100 mW),测试范围 200~300 cm ;PL 测试条件:
试系统,南京迈塔光电科技有限公司。 532 nm 固态激光器(光强 100 mW),测试范围
1.2 方法 700~900 nm。
1.2.1 水热法制备 MoSe 2
2 结果与讨论
采用水热法制备纳米花状微球 MoSe 2 。在合成
2–
MoSe 2 的过程中,Se 与 N 2 H 4 反应生成硒离子(Se ), 2.1 MoSe 2 的表征
如式(1)所示。当上述溶液与 Na 2 MoO 4 溶液混合 2.1.1 XRD 分析
2–
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时,Na 2 MoO 4 中的 MoO 4 被还原成 Mo ,如式(2) 图 2 为 MoSe 2 的 XRD 谱图。由图 2 可以看出,
4+
2–
所示。然后 Se 和 Mo 之间发生反应,最后生成 其特征衍射峰与标准谱图(JCPDS No. 29-0914)基
MoSe 2 ,如式(3)所示。 本一致,4 个特征峰全都显现出来,在 2=13.4、
2
+
2N H +3Se N +N H +3Se +6H (1) 31.7、38.0、56.0处有特征峰出现,且特征峰归属
2
4
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2
2
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4+
MoO +N H +2H O Mo +N +6OH (2) 于 MoSe 2 的(002)、(100)、(103)和(110)晶面,而且
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4
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