Page 73 - 《精细化工》2021年第9期
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第 9 期 冯 浩，等: 二维 MoSe 2 及其柔性光电探测器的制备与性能 ·1787·
图中无其他明显杂峰出现，说明制备出的样品为纯 由图 4 可见，其发光峰 λ 位于 820 nm 处，根据
相 MoSe 2 ，具有六方晶系结构。 式（4）计算其跃迁能：
c
E h （4）
8
式中：E 为跃迁能，eV；c 为光速 3.0×10 m/s；h
为普朗克常量，6.626×10 –34 J·s。
由式（4）计算出该样品的跃迁能为 1.51 eV，
当入射光照射到光敏层表面所产生光辐射的光子能
量≥其跃迁能时发生电子跃迁。
2.1.4 形貌分析
图 5a、b 分别为 MoSe 2 的 SEM 和 TEM 图。由
图 5a、b 可以看出，制备的样品形貌均一，都为花
图 2 MoSe 2 的 XRD 谱图 状微球，而且制备的样品尺寸较小，粒径约为
Fig. 2 XRD patterns of MoSe 2 200 nm；为了进一步看清其形貌，对样品采用高分
辨透射电子显微镜（HRTEM）进行表征，如图 5c
2.1.2 Raman 分析 所示。由图 5c 可以看出，所制备的样品是由纳米片
图 3 为 MoSe 2 的 Raman 谱图。由图 3 可知， 组装而成，花瓣的厚度约为 6 层纳米片厚度，边缘
–1
其特征峰分别位于 239.99 和 284.54 cm 处，分别 处呈卷曲褶皱状，这与 SEM 图相吻合，将其红框范
为 MoSe 2 产物的 A 1g 面外振动模式和 E 2g 面内振动 围放大后见图 5d。图 5d 显示，MoSe 2 主要由蜂窝晶
模式 [19] 。 格结构的 2H 相组成。
图 3 MoSe 2 的 Raman 谱图
Fig. 3 Raman spectrum of MoSe 2
2.1.3 PL 分析
图 4 为 MoSe 2 的 PL 谱图。
图 5 MoSe 2 的 SEM（a）、TEM（b）及 HRTEM（c、d）图
Fig. 5 SEM (a), TEM (b) and HRTM (c, d) images of MoSe 2
2.2 不同波长下柔性 MoSe 2 光电探测器的性能
图 6a、b 为不同激光波长（405、520、650 nm）
下 MoSe 2 光电探测器的电流-电压（I-V）和电流-时
间（I-t）曲线。由图 6a 可以看出，当固定光强为
0.5 mW 时， MoSe 2 光电探测器的光电流随着电压
的增加呈线性增加，说明制备的光电探测器的光敏
图 4 MoSe 2 的 PL 谱图 层和电极的接触是欧姆接触。由图 6b 可以看出，在
固定电压为 10 V，光强为 0.5 mW 时，I-t 曲线随着
Fig. 4 PL spectrum of MoSe 2
