Page 193 - 《精细化工》2022年第11期
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第 11 期 赵尉伶,等: 表面活性剂改性 Fe 3 O 4 对 As(Ⅴ)和 As(Ⅲ)的吸附 ·2343·
相差较小且均大于 0.99,这表明 Fe 3 O 4 @surfactants 过程存在多种作用机制,吸附过程既存在单分子层
对 As(Ⅴ)和 As(Ⅲ)的吸附过程都较容易发生,吸附 化学吸附又存在非均匀表面吸附。
图 8 Fe 3 O 4 @surfactants 纳米颗粒对 As(Ⅲ)的 Langmuir(a)和 Freundlich(b)吸附等温方程拟合曲线
Fig. 8 Langmuir (a) and Freundlich (b) adsorption isotherm equations fitting curves of Fe 3 O 4 @surfactants nanomaterial for
As(Ⅲ)
表 2 吸附等温线方程拟合参数
Table 2 Fitting parameters of adsorption isotherm equation
Langmuir 模型 Freundlich 模型
纳米颗粒 去除对象
2
q m/(mg/g) K L/(L/mg) R 2 1/n K F /(mg/g)(L/mg) 1/n R
Fe 3O 4@CTAB As(Ⅴ) 31.525 0.0353 0.999 0.853 1.173 0.997
Fe 3O 4@Gemini As(Ⅴ) 67.602 0.0158 0.999 0.928 1.097 0.998
Fe 3O 4@Bola As(Ⅴ) 56.111 0.0189 0.999 0.914 1.100 0.998
Fe 3O 4@CTAB As(Ⅲ) 18.348 0.0592 0.999 0.782 1.152 0.996
Fe 3O 4@Gemini As(Ⅲ) 55.133 0.0184 0.999 0.907 1.067 0.998
Fe 3O 4@Bola As(Ⅲ) 34.162 0.0293 0.999 0.869 1.056 0.998
对于 Fe 3 O 4 @CTAB,改性后存在于 Fe 3 O 4 表面 的差异,As(Ⅴ)含 As==O 双键氧结构,As(Ⅲ)仅含
+
的带正电离子 CTA (CTAB 阳离子部分)会吸引带 As—O 单键氧结构,在吸附过程中,As(Ⅴ)中的双
负电的 As 阴离子部分,从而形成 CTA-As 络合物, 键氧影响自身通过氢离子损失而电离的能力,发生
使 Fe 3 O 4 @CTAB 在吸附平衡时对 As(Ⅴ)的最大吸附 解离现象,分子上产生更多的负电荷,更易被经过
容量为 31.525 mg/g;表面活性剂 Gemini 12-2-12 有 阳离子表面活性剂修饰的纳米颗粒吸附。而在实验
–
两个具有强吸附驱动力的带电头基,它既可以使自 条件(pH=6)下,As(Ⅴ)主要以 H 2 AsO 4 或 HAsO 4 2–
身碳氢链间产生强相互作用,又可以和重金属离子 的阴离子形式存在,As(Ⅲ)基本以不带电的 H 3 AsO 3
结合产生更强的聚合作用。因此,Gemini 12-2-12 形式存在。结合 Langmuir 的最大吸附容量(q m )可知,
带正电离子的两条尾链与 As 阴离子之间的配位作 阳离子表面活性剂改性 Fe 3 O 4 能显著提高对阴离子
用加强,吸附更容易进行,Fe 3O 4@Gemini 对 As(Ⅴ) As(Ⅴ)的吸附能力,但对不带电的 As(Ⅲ)的去除效
的最大吸附容量为 67.602 mg/g。表面活性剂 Bola 由 果并不如 As(Ⅴ) [39] ,对 As(Ⅲ)的吸附反应可能发生
两个亲水头基与 1 条疏水链连接形成,易在气液界面 于 Fe 3 O 4 @surfactants 表面羟基与不带电的亚砷酸分
形成 U 型构象 [38] ,但 Bola 聚集体主要通过微弱的非 子之间。综上所述,Fe 3 O 4 @surfactants 对 As(Ⅴ)和
共价键作用来维持,自组装结构的稳定性较差,吸附 As(Ⅲ)都具有良好的吸附效果,其对 As(Ⅴ)的吸附
容量略低于 Fe 3O 4@Gemini,对 As(Ⅴ)的最大吸附容 效果更好。
量为 56.111 mg/g。综上可知,等温吸附过程的吸附 2.6 吸附行为及吸附-解吸实验研究
驱动力主要来自阳离子表面活性剂分子在固液界面 2.6.1 吸附行为研究
的不同的排列行为、表面活性剂头基与阴离子的静 为了研究 Fe 3 O 4 @surfactants 纳米颗粒的吸附行
电作用以及尾链与 As(Ⅴ)、As(Ⅲ)之间的配位作用。 为,以去除效率较高的 As(Ⅴ)为例进行讨论。吸附
与 Fe 3 O 4 @surfactants 对 As(Ⅴ)的吸附效果相 As(Ⅴ)后 Fe 3 O 4 @surfactants 的 XPS 全谱如图 9a 所
比,Fe 3 O 4 @surfactants 对 As(Ⅲ)的去除效率略低, 示(C 为校准元素)。由图 9a 可知,Fe 3 O 4 @surfactants
吸附效果的差异归因于 As(Ⅴ)和 As(Ⅲ)分子之间 中同时含有 Fe、O、C、As 等元素。Fe 3 O 4 @surfactants