Page 56 - 《精细化工》2022年第12期
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·2422· 精细化工 FINE CHEMICALS 第 39 卷
由图 9 可知,BMI 热分解过程主要分两个阶段: 4.46,主要是 m-LAP 粒子均匀地分散在 BMI 基体中,
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375~480 ℃的低温热分解阶段和 530~660 ℃的高温 形成了良好的界面结合 [26] 。在 1×10 ~1×10 Hz 的高
热分解阶段。结合图 7 的 FTIR 谱图,热处理后复合 频范围内,所有样品的介电常数呈现下降趋势,且
材料内部的官能团基本稳定,而表面炭化层的含氧 随着 m-LAP 含量的增加,高频与低频区的介电常数
官能团大大减少,说明 BMI 表面炭化层能起到热绝 落差加大,其中 m-LAP/BMI-3.5 的介电常数落差为
缘体和传输屏障作用 [21] ,抑制了热氧化分解。但随 0.37,而 p-BMI 的仅为 0.27。根据导电填料/聚合物
着温度的升高,炭化层开始向内部扩散,促使树脂 渗透理论 [27] ,介电常数随着填料含量的增加而迅速
全面炭化。在高温热分解阶段,高温产生的氧化自由 提高。由于 m-LAP 与 BMI 基体形成了复合相,可
基使样品逐渐热氧化分解 [22] ,但 m-LAP 粒子能够防
能引发电子隧穿效应,提高 m-LAP/BMI 复合材料的
止热量向树脂内部传递,从而改善耐热分解性能。
介电常数。但随着频率的增加,复合相与 m-LAP 偶
此外,m-LAP 还能抑制高温自由基形成而减少 BMI 极子反转跟不上电场的变化速度,进而形成驰豫,
基体树脂的分解和热破坏 [23-24] ,改善 m-LAP/BMI 复
导致介电常数逐渐下降。图 10b 中,复合材料在低
合材料的耐高温热分解性能。
频区的介电损耗较小,但随着频率的增加介电损耗
综上,在 375~480 ℃范围内,复合材料的热分
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也逐渐增加。在 1×10 ~1×10 Hz 内,复合材料的介
解主要为树脂含氧基团的分解以及表层炭化;而在
电损耗最高值仍<0.02,说明 m-LAP/BMI 复合材料
530~660 ℃范围内,复合材料的热分解则体现为树
具有低介电损耗特性 [28] 。
脂基体的热氧化分解。m-LAP 粒子的加入使复合材
料的耐热性得到一定程度的改善。
3 结论
2.6 材料介电性能
图 10 为 m-LAP/BMI 复合材料的介电性能。 (1)以 APTES 和 MA 两步表面修饰 LAP 粒子,
成功制备了含端马来酰亚胺基团的 m-LAP 粒子。
(2)m-LAP/BMI-3.5 复合材料的弯曲强度最高
达 173.37 MPa,比纯 BMI 提高了 15.1%;而 m-LAP/
BMI-2.0 复合材料的拉伸强度为 86.79 MPa,比纯
BMI 提高了 30.6%。
(3)根据 DMA 分析,m-LAP/BMI 复合材料的
T g 提高到 234.83~240.04 ℃,增强了高温适用性。同
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时,m-LAP/BMI 复合材料在 1×10 ~1×10 Hz 频率范
围的介电常数介于 3.80~4.46 之间,介电损耗<0.02。
采用 APTES 和 MA 两步表面修饰 LAP 粒子,
能有效改善 m-LAP/BMI 复合材料的界面结合,提高
复合材料的力学性能和介电性能,增强复合材料的
高温适用性,在耐高温涂层、结构材料、电容器及
电介质等领域有较好的应用前景。
参考文献:
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Fig. 10 Dielectric properties of p-BMI and m-LAP/BMI dielectric properties[J]. Journal of Applied Polymer Science, 2022,
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由图 10 可知,在 1×10 ~1×10 Hz 的低频范围 aluminum phosphates coated sepiolite in epoxy resin[J]. Journal of
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内,m-LAP/BMI 复合材料的介电常数表现稳定,介
[4] YAN S C, XUE Y H, YANG Y L, et al. Thermal, mechanical, and
电常数介于 3.80~4.46 之间,说明其具有良好的宽频 dielectric properties of aluminum silicate fiber reinforced aluminum
区介电常数稳定性 [25] 。随着 m-LAP 含量的增加,介 phosphate-poly(ether sulfone) layered composites[J]. Journal of
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电常数从 p-BMI 的 3.74 提高到 m-LAP/BMI-3.5 的 [5] WANG C J (王成江), FAN Z Y (范正阳), ZHAO N (赵宁), et al.