Page 180 - 《精细化工》2023年第2期
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·402·                             精细化工   FINE CHEMICALS                                 第 40 卷

            2.1.2  XRD 分析                                      300~423  ℃的质量损失可归因于 PUF 中软段的分
                 图 2 为 MoS 2 、PUF、UiO-66-NH 2 /MoS 2 、UiO-66-   解。UiO-66-NH 2 /MoS 2 的热分解为 3 个阶段,第一
            NH 2 /MoS 2 @PUF 的 XRD 谱图。                         阶段在 100~150  ℃范围内出现质量降低,这是由样
                                                               品中结晶水在孔隙中的挥发引起的;第二阶段在
                                                               150~575  ℃范围内出现质量损失,主要是因为残余
                                                               溶剂的挥发引起的质量减少;第三阶段在 575  ℃时
                                                               出现了较少的质量损失,原因是 UiO-66-NH 2 /MoS 2
                                                               的逐渐分解,说明其具有较高的热稳定性。通过比
                                                               较 TGA 曲线拐点处的切线温度可知,与纯 PUF 相
                                                               比, UiO-66-NH 2 /MoS 2 @PUF 的初始失重温度(T 0 )、
                                                               最大失重温度(T max )和终止温度(T f )分别增加了
                                                               20.1、25.3 和 40.3  ℃,说明 UiO-66-NH 2 /MoS 2 @PUF

                                                               的热稳定性比 PUF 高,这是因为,UiO-66-NH 2 /MoS 2
            图 2  MoS 2 、PUF、UiO-66-NH 2 /MoS 2 、UiO-66-NH 2 /MoS 2 @   的分解温度较高,从而提高了 PUF 的降解温度           [26] 。
                 PUF 的 XRD 谱图                                  另外,根据 TGA 曲线计算 UiO-66-NH 2/MoS 2 在 PUF
            Fig.  2  XRD  patterns  of  MoS 2 , PUF, UiO-66-NH 2 /MoS 2    上的负载率为 28%。与文献[27-29]报道的 8%的负载率
                   and UiO-66-NH 2 /MoS 2 @PUF
                                                               相比,UiO-66-NH 2 /MoS 2 @PUF 的负载率明显提高。
                 由图 2 可知,纯 MoS 2 在 2θ=17.6°、33.5°、38.7°、       2.1.4   比表面积及孔径分析
            45.7°和 56.9°处的衍射峰分别对应 MoS 2 标准卡片                       材料的比表面积及孔径测试结果如表 1、2 所
            (JCPDS No. 37-1492)的(002)、(311)、(103)、(331)        示。由表 1 可知,根据文献[30],UiO-66-NH 2 的比
            和(008)晶面,表明该样品为六方晶体结构,但衍射                          表面积、平均孔径和总孔容均大 于
            峰的强度并不高,说明具有较低的结晶度                      [25] 。从    UiO-66-NH 2 /MoS 2 ,这是由于负载的 MoS 2 占据了
            PUF、UiO-66-NH 2 /MoS 2 @PUF 的 XRD 谱图观察到,           UiO-66-NH 2 中的一部分孔道。由表 2 可知,PUF 的
            纯 PUF 在 2θ=9.0°和 22.0°附近出现两个宽衍射峰,                  孔隙率、总侵入体积、总孔隙面积分别为 25.53%、
                                                                                   2
            表明其为非结晶态。UiO-66-NH 2/MoS 2@PUF 中出现                 0.9118 mL/g、5.305 m /g。UiO-66-NH 2 /MoS 2 @PUF
            了 PUF 的特征宽衍射峰,而且在宽衍射峰上也出现了                         的孔隙率和总侵入体积达到 80.00%和 4.3425 mL/g,
                                                               孔隙率和总侵入体积得到明显提升,将有利于吸附
            UiO-66-NH 2 /MoS 2 的特征峰,说明 UiO-66-NH 2 /MoS 2
            成功生长在 PUF 上,并且未对 PUF 结构产生影响。                       的进行。

            2.1.3  TGA 分析
                                                                     表 1  UiO-66-NH 2 /MoS 2 的孔道结构参数
                 图 3 为 UiO-66-NH 2 /MoS 2 、PUF 和 UiO-66-NH 2 /     Table 1    Pore parameters of UiO-66-NH 2 /MoS 2
            MoS 2 @PUF 的 TGA 曲线。                                                            平均
                                                                     样品         比表面积/      孔径/nm     总孔容/
                                                                                   2
                                                                                                     (mL/g)
                                                                                 (m /g)
                                                                UiO-66-NH 2      638.98     30.45     0.19
                                                                UiO-66-NH 2/MoS 2  498.97    2.38     0.07

                                                               表 2  PUF 和 UiO-66-NH 2 /MoS 2 @PUF 的孔道结构参数
                                                               Table 2  Pores parameters of PUF and UiO-66-NH 2 /MoS 2 @PUF
                                                                                 中值孔  总侵入体  总孔隙面        孔隙
                                                                      样品
                                                                                  径/nm   积/(mL/g)  积/(m /g)  率/%
                                                                                                    2
                                                               PUF                 8.6   0.9118  5.305  25.53
                                                               UiO-66-NH 2/MoS 2@PUF  14.7  4.3425  9.215  80.00


            图 3  UiO-66-NH 2 /MoS 2 、UiO-66-NH 2 /MoS 2 @PUF 和 PUF  2.2   吸附实验
                 的 TGA 曲线                                      2.2.1  pH 对吸附性能的影响
            Fig. 3    TGA curves of UiO-66-NH 2 /MoS 2 , UiO-66-NH 2 /MoS 2 @
                   PUF and PUF                                     按 1.3.8 节方法,对 UiO-66-NH 2 /MoS 2 @PUF 的
                                                               零点电荷进行了测试,结果见图 4a。由图 4a 可以看
                 由图 3 可知,PUF 的初始失重温度为 264.9  ℃,                出,pH 对 ΔpH 有影响。零电荷点(pH pzc )为 3.4。
            此时 PUF 结构中硬段氨基甲酸酯基开始分解;在                           Cr(Ⅵ)在不同的 pH 下以不同的形式存在。pH=2~4
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