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·1188·                            精细化工   FINE CHEMICALS                                  第 36 卷

            效率较低,为 80.67%,充放电循环 3 次后库伦效率                       合材料样品中 Si/VGCF-1〔m(Si)∶m(VGCF)=1∶
            提高到 96.8%并趋于稳定         [17] 。                      0.125〕的 VGCF 含量最低,首圈充电比容量为
                                                               2683.6 mAh/g,在 100 次 循环后比容 量下降 到
                                                               840.0 mAh/g,容量保持率仅为 31.3%。而 Si/VGCF-4
                                                               〔m(Si)∶m(VGCF)=1∶1〕中的 VGCF 含量最高,
                                                               电极循环稳定性很好,但由于电活性物质 Si 含量不
                                                               足,电极的可逆比容量相对降低,在循环 100 次后
                                                               比容量为 976.4 mAh/g。而 Si/VGCF-3 中 VGCF 含
                                                               量适中,首次比容量为 2047.8 mAh/g,首次库伦效
                                                               率为 80.7%;充放电循环 10 次后电极比容量为
                                                               1528.4 mAh/g 并逐渐形成稳定的电压平台;充放电
                                                               循环 100 次后,Si/VGCF 复合电极的比容量能够稳
                                                               定在 1470 mAh/g。
                                                                   图 3d 为 Si/VGCF 复合电极的倍率性能曲线。
                                                               从图中可以看出,随着碳含量的逐渐提高,复合电
                                                               极的倍率性能明显改善。其中,Si/VGCF-3 电极在
                                                               200、500、1000 和 2000 mA/g 的电流密度下,平均
                                                               比容量分别为 1801.8、1442.9、1057.4、802.9 mAh/g;
                                                               当电流密度再回到 200  mA/g 时,比容量恢复到
                                                               1658.1  mAh/g,约占初始容量的 92.0%,具有较高
                                                               的容量保持率。这主要是因为 Si/VGCF 的多级框架
                                                               结构提高了电极的结构稳定性,具有丰富的电子和
                                                               离子的传输通道,进而表现出良好的倍率性能。
                                                               2.3   多种碳材料的性能对比
                                                                   为了进一步确定 VGCF 在复合材料中的作用机
                                                               制,选取常用颗粒状碳材 Super P、AB 和 BP2000,
                                                               其平均粒径分别为 40、38 和 15 nm,以相同的制备
                                                               方法和相同碳含量〔m(Si)∶m(C)=1∶0.5〕制备复合
                                                               电极材料,并进行电化学性能测试和充放电前后材
                                                               料结构稳定性分析。
                                                                   表 1 是不同碳材的物理性能参数。由表 1 可知,
                                                               VGCF 与 Super  P 的电阻率相近,但是复合后
                                                               Si/VGCF-3 的电阻率仅为 Si/Super P 的 38.3%;BET
                                                               比表面积和平均孔径的测量结果表明,Si/VGCF-3
                                                               的比表面积比 Si/Super  P 或 Si/AB 低,而且孔径较
                                                               大,这有助于保持 SEI 膜的稳定性以及缓解体积效
                                                               应,从而形成利于传质且稳定的电极结构                   [12,18] 。
                                                                   图 4a 为 Si/VGCF-3 电极与 Si/Super  P、Si/AB
                                                               和 Si/BP2000 电极充放电循环性能对比,电流密度

            图 3  Si/VGCF-3 复合电极的 CV 曲线(a),充放电曲线                为 500 mA/g。从图中可以看出,Si/VGCF-3 复合材
                 (b);不同组成的 Si/VGCF 复合电极的充放电循环                  料具有最好的循环稳定性,显然与材料微米级的三
                 性能(c)和倍率性能(d)
            Fig. 3    Cyclic voltammetry profiles(a) and voltage profiles   维导电框架、适中的比表面积以及良好的孔结构有
                   of  Si/VGCF-3  electrode  at  0.5  A/g(b),  cycling   关。Si/BP2000 具有超细的颗粒结构和超高的比表面
                   performance at 0.5 A/g (c) and rate performance of   积,在充放电过程中易造成 Si 粒子团聚和不稳定的
                   different Si/VGCF composite electrode (d)
                                                               SEI 膜。3 种颗粒结构的复合材料中以 Si/Super P 最
                 图 3c 为不同 VGCF 含量的 Si/VGCF 复合电极                佳,这与 Super  P 分散性较好有关,但是 100 次充
            在电流密度 500 mA/g 下的充放电循环性能曲线。复                       放电循环后 Si/Super  P 电极并没有形成稳定的电压
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