Page 204 - 《精细化工》2021年第11期
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·2350·                            精细化工   FINE CHEMICALS                                 第 38 卷

                                                               品中可以观察到,Si 元素周围分布的 Ti 元素(图
                                                               4b~d)。其中,P-Si@3a-TiO 2 样品的 Ti 质量分数最
                                                               高,为 20.97%。当 Ti 质量分数较低时,可以观察
                                                               到表面明显的珊瑚状孔洞结构,而含量高时孔洞结
                                                               构被覆盖,说明 TiO 2 较好地包覆在样品表面。
                                                                   为了测得样品表面包覆层的厚度,对其进行了
                                                               TEM 测试,如图 5 所示。


                                                               表 1   通过 XPS 分析得到 P-Si@a-TiO 2 的 O 1s 拟合数据
                                                               Table 1    Fitting data of O 1s of P-Si@a-TiO 2  samples from
                     图 3  P-Si@a-TiO 2 样品的 XPS 光谱                     XPS analysis
                  Fig. 3    XPS spectra of P-Si@a-TiO 2  samples
                                                                    O 1s       化学键      结合能/eV     相对含量/%
                 表 1 为 O 1s 的拟合数据。由表 1 可知,随着钛                   P-Si@1a-TiO 2  Ti—O      530.08      20.38
            酸四丁酯用量的增加,Si—O 键的相对含量基本不                                           O—H       531.36      58.72
            变,保持在 21%左右;Ti—O 键的相对含量逐渐增                                         Si—O      532.02      20.90
            多,由 20.38%增加到 48.05%;而 O—H 键的相对含
                                                                P-Si@2a-TiO 2  Ti—O      529.53      34.71
            量则由 58.72%降为 30.09%。结合 XRD 的分析结果,
                                                                               O—H       530.99      44.12
            证明形成了不同含量的无定形 TiO 2 。
                                                                               Si—O      531.25      21.17
            2.2    形貌分析
                                                                P-Si@3a-TiO 2  Ti—O      529.40      48.05
                 图 4 为样品的 SEM 图。由图 4 可知,Al-Si 中
                                                                               O—H       530.26      30.09
            Al 质量分数很高,P-Si@a-TiO 2 样品中的 Al 则很少,
                                                                               Si—O      531.35      21.05
            说明大部分 Al 被成功去除,并且在 P-Si@a-TiO 2 样























                     图 4  Al-Si(a)、P-Si@1a-TiO 2 (b)、P-Si@2a-TiO 2 (c)和 P-Si@3a-TiO 2 (d)的 SEM 和 EDS 图
                  Fig. 4    SEM images and EDS mapping of Al-Si (a), P-Si@1a-TiO 2  (b), P-Si@2a-TiO 2  (c) and P-Si@3a-TiO 2  (d)
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