Page 206 - 《精细化工》2021年第11期
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·2352·                            精细化工   FINE CHEMICALS                                 第 38 卷

            电测试,结果如图 7 所示。                                         由图 8 可知,电流重新回到 0.1 A/g 时,放电比
                                                               容量恢复到 1735.1 mA·h/g,表现出较好的容量恢复
                                                               能力。P-Si@2a-TiO 2 这种结构可以有效提高材料的
                                                               恒流充放电能力。
                                                                   图 9 为不同样品循环前的 EIS 拟合曲线及其相
                                                               应的等效电路。









                        图 7   样品的循环性能曲线
                     Fig. 7    Cycle performance of samples

                 由图 7 可知,Al-Si 的初始充、放电比容量分别
            为 445.4 和 1462.6 mA·h/g,但由于未经过改性处理,

            结构快速崩塌,比容量便迅速衰减。而经过设计多
            孔结构与无定形 TiO 2 包覆后的 P-Si@1a-TiO 2 、                          图 9   样品的交流阻抗谱拟合曲线
                                                                          Fig. 9    EIS patterns of samples
            P-Si@2a-TiO 2 和 P-Si@3a-TiO 2 在经过活化后的充/

            放电比容量分别为 2419.8/3303.7、2449.2/3190.0、
                                                                   从图 9 可以看出,曲线都由高频区的半圆和低
            2103.0/2740.9 mA·h/g,初始库伦效率分别为 73.2%、
                                                               频区的直线组成,分别与电极-电解液界面的电荷转
            76.8%和 76.7%。经过 50 次循环后,库伦效率均达                                        +                       [5]
                                                               移电阻(R ct ,Ω)和 Li 在电极中的扩散行为有关 。
            到 99%左右,且 P-Si@2a-TiO 2 的放电比容量为
                                                                                                    +
                                                               表 2 为拟合后得到的阻抗参数,D Li +为 Li 扩散系数
            1357.4 mA·h/g ,远高 于 Al-Si ( 64.3 mA·h/g )、
                                                                   2
                                                                                             1/2
                                                               (cm /s),σ 为 Warburg 因子(Ω/s )。从表 2 可以
            P-Si@1a-TiO 2 ( 939.5 mA·h/g )、 P-Si@3a-TiO 2
                                                               看出,改性处理后样品的 R ct 均有所降低,可能是由
            (425.9 mA·h/g)。经过 80 次循环后,P-Si@2a-TiO 2
                                                               于多孔结构提供了更多的电荷转移通道,且包覆层
            仍具有 771.4 mA·h/g 的充电比容量。结果表明,当
                                                               抑制了材料与电解液之间的副反应,减小了材料的
            表面包覆层较薄时,内部的孔洞结构保留较好,与
                                                               极化效应,从而使得阻抗降低,P-Si@2a-TiO 2 的 R ct
            无定形的 TiO 2 层共同作用,缓冲材料的体积膨胀,
                                                               最小,对应的 D Li +最大。但包覆层过厚时会减弱多
            且包覆层能够防止 Si 与电解液之间接触所发生的副                                                +
                                                               孔结构的作用,增加 Li 的迁移距离,因此 P-Si@
            反应,样品在经过数次循环后仍保持稳定的结构;                             3a-TiO 2 的阻抗与 Li 扩散难度都有所增加。
                                                                                +
                                           +
            而当表面包覆层过厚时,增加了 Li 在材料表面的迁
            移距离,脱嵌难度加大,且过多的 TiO 2 使得复合材                                      表 2   样品的阻抗参数
            料整体的比容量降低。因此,P-Si@2a-TiO 2 的包覆                     Table 2    Relationship of real part of impedance and frequency
                                                                      of samples
            效果最佳。对其在电流密度为 0.1、0.3、0.5、1.0
                                                                                         1/2
                                                                    样品        R ct/Ω   σ/(Ω/s )   D Li +/(×10 –13  cm /s)
                                                                                                         2
            和 3.0 A/g 下进行了倍率性能测试,结果如图 8 所示。
                                                                Al-Si         364.6   288.95       0.20
                                                                              278.2   78.63        1.62
                                                                P-Si@1a-TiO 2
                                                                P-Si@2a-TiO 2  161.6  44.46        1.71
                                                                              193.9   95.98        0.53
                                                                P-Si@3a-TiO 2

                                                                   图 10 为活性材料充放电测试前后的表面形貌图。





                     图 8  P-Si@2a-TiO 2 的倍率性能曲线

                   Fig. 8    Rate performance of P-Si@2a-TiO 2
   201   202   203   204   205   206   207   208   209   210   211