Page 41 - 《精细化工》2021年第11期
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第 11 期 李 宁,等: TiO 2 光催化剂的研究进展 ·2187·
面上选择性沉积纳米 MoS 2 ,主要暴露的是高活性 杂量的 Ag-TiO 2 光催化剂,Ag 在该复合光催化剂表
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(001)面。MoS 2 @TiO 2 复合材料(选择性沉积)显示 面以单质(Ag )形式存在,有效地降低了电子-空
出高的光催化活性,MoS 2 负载量为 15%(质量分数) 穴对的复合,而空穴与 TiO 2 表面的—OH 作用生成
的复合材料的制氢速率高达 2.16 mmol/(g·h),分别 具有强氧化性的•OH。该复合催化剂在紫外光照射
比纯 TiO 2 纳米线和 MoS 2 @TiO 2 复合材料(随机沉 下对罗丹明 B 的降解率可达到 91%,是纯 TiO 2 的
积)高 32 倍和 3 倍。此方法对太阳能利用效率高, 1.18 倍。OUYANG 等 [47] 使用化学还原方法将负载质
是一种具有应用前景的制氢技术。 量分数为 1%~5%的 Ru 基催化剂沉积到高度结晶的
构建复合半导体能在很大程度上提高 TiO 2 光催 锐钛矿载体中。在可见光区,RuO 2 表面的等离子体
化材料的催化性能,但目前对 TiO 2 复合半导体的研 共振效应可显著改善催化剂的光学性质。此外,Ru
究仍存在一些不足,例如在提高光催化性能方面只 的表面浓度以及 RuO 2 -TiO 2 界面效应也是影响光催
集中在热处理温度及各组分比例的问题上,而对催 化剂活性的重要因素。结果表明,负载质量分数为
化剂本身的性质和结构的变化并没有深入涉及。 3%的 Ru 基催化剂的光催化活性最高,在紫外光照
TiO 2 复合半导体光催化材料的进一步研究需要考虑 射下其量子效率可达到 3%。
对复合方法进行改进,控制缺陷和杂质含量,并提 目前,制备的贵金属/TiO 2 催化剂的光催化性能
高材料的稳定性。 比纯 TiO 2 有一定程度的提高,但是贵金属/TiO 2 催
4.5 染料敏化 化剂中贵金属大多是以金属态形式存在,这使得改
染料敏化能够有效扩宽 TiO 2 对近红外光和可见 性后的 TiO 2 红移程度并不大,对太阳光利用率也较
光的吸收光谱范围,提升载流子分离效率,增强其 低。此外,在进行贵金属沉积时,贵金属在 TiO 2 表
光催化活性。 面往往分布不均匀,导致复合催化剂的制备过程重
1997 年,FANG 等 [43] 通过酞菁和卟啉的化学吸 复性很差,难以进行大规模工业化生产。尽管目前
对于贵金属沉积 TiO 2 制备光催化材料的报道比较
附改性 TiO 2 ,发现染料敏化可以有效地拓宽 TiO 2
的光电流谱和吸收光谱。MENG 等 [44] 通过改进的热 少,但是随着研究的进一步深入,该催化剂也将会
回流工艺成功制备了负载在 TNT 表面的 Fe(Ⅲ)介- 具有较好的发展前景。
四(4-羧苯基)卟啉。该复合材料在可见光下可降解
5 结语与展望
90%以上的亚甲基蓝,经 6 次循环后仍具有很好的
稳定性。CHOWDHURY 等 [45] 利用曙红染料对 TiO 2 TiO 2 光催化是一种环境友好的新型多相光催化
进行敏化,该催化剂在可见光下成功实现了对 Cd(Ⅱ) 技术,在抑菌抗癌、氢气制备、污水处理、防晒、
的还原。曙红染料在 TiO 2 表面的掺入使 TiO 2 带隙减 自清洁等领域有着广泛的应用前景,因而受到越来
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小了约 1 eV。在 pH=7.0 和 100 mW/cm 光强密度条 越多的关注。目前,TiO 2 光催化剂仍存在波长响应
件下,在 3 h 内实现了 Cd(Ⅱ)的完全光还原。在较 范围较窄、太阳能利用率低、催化活性低等问题。
低可见光强密度下,用曙红染料敏化的 TiO 2 可以观 本文讨论了 TiO 2 光催化机理,总结出催化材料的晶
察到 Cd(Ⅱ)光还原的最高表观量子产率(约 0.3%)。 型、粒径和缺陷是影响 TiO 2 光催化活性的重要因素,
该法缺点是有机污染物与敏化剂之间存在竞争吸 指出可以通过离子掺杂、复合半导体掺杂、染料敏
附,导致有机污染物降解过程十分复杂,对催化剂 化、贵金属沉积等方法拓宽 TiO 2 催化材料的光响应
的制备提出了更高要求,因而染料敏化改性 TiO 2 催 范围、提升载流子分离效率、降低电子-空穴对的复
化剂在实际应用中受到了很大限制。另外,还存在 合,进而有效提高光催化效率。
敏化剂被 TiO 2 光催化降解的问题。这些都是染料敏 目前,开发的各种光催化产品仍未达到预期的
化方法需要进一步改进的方向。 性能,难以实现大规模的工业应用。因此,TiO 2 光
4.6 贵金属沉积 催化技术的未来发展取决于它是否能够实现可见光
金属与半导体表面接触的时候,载流子会发生 响应、催化活性高、寿命长、吸附容量大等特性目
重新分布,电子从费米能级高的 n 型半导体迁移到 标。需要继续加深对 TiO 2 光催化反应机理的理解,
费米能级较低的金属,直到它们的费米能级相同为 并提高 TiO 2 催化剂的制备水平和催化性能。将来的
止,这导致肖特基能垒的产生,进而变成捕获激发 光催化技术研究应主要集中在以下几个方面:对机
电子的陷阱,光生载流子也被分离,从而阻止了电 理的深入理解、具有较宽光响应范围和量子效率高
子-空穴对的复合。 的 TiO 2 光催化材料的制备、光催化氧化反应器的设
朱晓东等 [46] 采用溶胶-凝胶法制备了不同 Ag 掺 计和新型光催化剂的研发等。