Page 13 - 《精细化工》2022年第11期
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第 11 期 王 帅,等: 锂离子电池硅负极表面改性的研究进展 ·2163·
2 硅负极表面改性 注。硅表面包覆主要机理是在硅表面通过物理或化
学方法制备一层或多层保护层来改善硅负极电化学
要实现硅负极产业化应用,针对硅负极面临的 性能,通常保护层具有以下功能:(1)稳定硅负极结
挑战,需要从抑制体积膨胀、稳定 SEI 膜、增强导 构、抑制硅负极体积膨胀效应,以提升循环性能;
电性三方面综合考虑来提升硅负极性能。表面改性 (2)屏障作用,减少硅与电解液的直接接触,抑
技术通过化学或物理方法改变材料的表面化学成分 制副反应的发生,减少 Li 的消耗,提升其 ICE;
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或结构,且在保持材料固有性能的条件下赋予表面 (3)该表面保护层具有传输离子和电子的能力,提
新的性能。目前,硅负极表面改性技术主要包括表面 升硅基体导电性。硅表面包覆被认为是商业硅碳负
包覆、表面功能化、人造 SEI 膜等,均有效地改善了 极应用的最主要方法之一。如表 1 所示,通常采用
硅负极的电化学性能。①表面包覆是在硅表面通过物 湿化学法、机械球磨、喷雾干燥、沉积技术以及其
理或化学方法制备单层或多层保护层来抑制硅充放电 他类似方法进行硅表面包覆前驱体的制备,随后进
过程中的体积膨胀以及改善材料的导电性 [15-31] 。其主 行热处理,或者直接合成包覆结构,故从包覆方法
要优点是包覆方法多样且易于规模化生产,并且包 出发对表面包覆层结构以及硅电极的电化学性能进
覆层能很好地抑制硅充放电过程中的体积膨胀,增 行简要综述。
强循环性能。②硅表面功能化则是在纳米硅表面原
位嫁接官能团,以及利用表面特有官能团实现硅负
极电化学性能的改善 [32-44] 。其主要优点是改性方法
简单,缺点是应用范围局限于纳米尺度的硅。③人
造 SEI 膜主要根据电解质成分来提前构建 SEI 膜以
减少电解质的降解,通过预防二次 SEI 膜的形成来
实现硅表面的稳定,以改善硅负极电化学性能。其
优点是方法多样且构造膜层模型丰富,缺点是难以
控制均匀 SEI 膜层的生成,且不具备规模生产应用。
图 3 形象地展示了硅负极的主要改性方法。此
外,还综述了这些表面改性方法在硅负极方面的研
究进展,分析这些改性策略的优缺点及电化学性能
改进机理,并展望该技术的未来发展前景,以便更
好地改善硅负极电化学性能,充分发挥硅负极材料
在锂离子电池中的应用价值。
2.1 表面包覆
表面包覆技术由于其不改变基体内部特性,并
且通过表面涂层结构获得一种新的性能,广泛应用 图 3 硅负极表面改性方法 [15-51]
在各领域,在锂离子电池材料方面亦得到广泛关 Fig. 3 Surface modification methods of silicon anodes [15-51]
表 1 硅表面包覆法的研究进展
Table 1 Research progress of silicon surface coating methods
包覆技术 优缺点 循环性能(ICE) 改性结构(包覆层) 参考文献
球磨/砂磨+ 工艺简单、高效,便于规模化;包 120 Cycles,943 mA·h/g (≈70%) Si/TiSi 2/G@C(硅合金和碳包覆) [16]
高温热解 覆层均匀性较差,不可控 500 Cycles,670 mA·h/g (87.8%) Si/G/C(碳包覆) [17]
湿化学法 包覆层均匀性好,且形貌可控,可 100 Cycles,1439 mA·h/g (61.6%) Si@PEDOT(导电聚合物) [18]
合成多种包覆层以及构建特殊表面 200 Cycles,1230 mA·h/g (—) Si@ZIF-67(MOF 层) [19]
形貌;过程繁琐耗时,不易于工程化
100 Cycles,1196 mA·h/g (78.47%) Si@TiO 2(金属氧化物) [20]
喷雾干燥+ 高效、便于规模化;包覆层均匀性 500 Cycles,1034 mA·h/g (55.88%) Si@void@C/CNTs(碳包覆) [21]
高温热解 较差,包覆层一般为碳,比较单一 100 Cycles,1600 mA·h/g (87.04%) (Si/G)@C(碳包覆) [22]
沉积法 包覆层均匀性较好,厚度可控;但 100 Cycles,1600 mA·h/g (84.7%) Si/Cu 3Si@C(碳包覆) [23]
成本较高 120 Cycles,1124 mA·h/g (77.8%) Si@graphene(石墨烯) [24]
注:TiSi 2 为硅化钛;G 表示石墨;PEDOT 表示聚乙烯二氧噻吩导电聚合物;ZIF-67 具有钴基金属有机骨架,2-甲基咪唑钴盐;
TiO 2 为二氧化钛;CNTs 表示碳纳米管;void 表示空心;Cu 3Si 表示硅铜合金;表中百分数为 ICE。