Page 78 - 《精细化工)》2023年第10期
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·2156· 精细化工 FINE CHEMICALS 第 40 卷
能带结构、界面载流子转移和光催化性能的关键因 利用性和光稳定性,循环 3 次后的光催化降解效率
素 [78-79] 。在构建 ZnS/ZnO 异质结光催化剂时,研究 几乎不变。
者常通过调节 n(ZnS)∶n(ZnO)来调控其光催化性 3.4 表面缺陷
能。WU 等 [80] 采用硫化方式,以 ZnO 纳米棒为模板、 ZnS/ZnO 异质结光催化剂中的表面缺陷主要包
Na 2 S 为硫源制备了具有不同 n(ZnS)∶n(ZnO)的Ⅱ型 括锌间隙缺陷(I Zn )、锌空位(V Zn )、氧空位(V O )、
ZnS/ZnO 异质结光催化剂。研究表明,随着 n(ZnS)∶ 硫空位(V S )和 S 间隙缺陷(I S ),它们作为载流子
n(ZnO)的增加,ZnS/ZnO 异质结光催化剂的光吸收 捕获位点在很大程度上影响载流子分离效率、光催
强度和光催化活性呈现出先升高后降低的趋势。 化活性和光稳定性 [34-35,88-89] 。例如:ZnO 和 ZnS 光
SANG 等 [81] 同样采用硫化方式,以 ZnO 纳米棒为模 催化剂中的 V Zn 和 V S 可以窄化其禁带宽度,增强可
板、Na 2 S 为硫源构建了Ⅱ型 ZnS/ZnO 异质结光催化 见光吸收能力和光催化活性。KUMBHAKAR 等 [90]
剂,进而研究了 n(ZnS)∶n(ZnO)对其光催化性能的 结合溶剂热途径和硫化方式合成了Ⅱ型 ZnS/ZnO 核
影响规律。当 n(ZnS)∶n(ZnO)=0.6∶1 时,ZnS/ZnO 壳异质结光催化剂。伴随着 ZnS/ZnO 核壳结构的形
异质结光催化剂具有最佳的光催化性能,在紫外光 成,S 原子能够替换 ZnO 晶格中的 O 原子,产生更
和模拟太阳光照射下的产氢效率分别达到 2608.7 和 多的 V O ,从而在其表面形成一种对紫外-可见光敏
388.4 µmol/(g·h)。PINA-PEREZ 等 [82] 采用溶剂热法, 感的配合物,延长了载流子的寿命,提高了光催化
利用硫脲对 ZnO 进行部分硫化合成了 ZnS/ZnO 异质 活性。紫外-可见光照射 25 min 时,ZnS/ZnO 核壳
结光催化剂,发现 n(S)∶n(Zn)对其界面能带结构以 异质结光催化剂对亚甲基蓝的降解率达到 95%,比
及 CB、VB 电势具有显著的影响。当 ZnS/ZnO 异质 ZnO(对亚甲基蓝的降解率为 72%)显著提高。ZHI
−
结光催化剂中 n(S)∶n(Zn)=0.71∶1 时,e 的还原电 等 [91] 采用水热法,以廉价的商用 ZnO 和硫脲为原料,
势最负,能够为 H 2 的产生提供最大的能量,紫外光照 在中性环境下制备了水锌矿〔Zn 5(OH) 6(CO 3) 2 〕/ZnS
2
射下(6.0 mW/cm )的产氢效率达到 1242 µmol/(g·h)。 复合材料,进而通过热处理分解水锌矿制备了富含
缺陷的 ZnO/ZnS 异质结光催化剂。其中,水锌矿分
3.3 壳层厚度
解形成的 ZnO 中存在 I Zn 和 V Zn ,而焙烧后的 ZnS
众所周知,宽带隙 ZnS 和 ZnO 半导体光催化剂
组分中存在 V S 、I S 和 V Zn ,这些特定的缺陷态赋予
对可见光几乎没有吸收,当 ZnS 与 ZnO 复合形成核
了 ZnO/ZnS 异质结光催化剂高效的可见光吸收效率
壳结构时,异质结界面的晶格畸变和晶格失配会在
和光催化性能。在可见光和模拟太阳光的照射下,
材料中产生应变,窄化整体禁带宽度,使 ZnS/ZnO
异质结光催化剂具备一定的可见光催化活性 [83-84] 。 ZnO/ZnS 异质 结光催化剂 的产氢效率 分别达 到
11.68 和 27.94 mmol/(g·h),远高于目前已报道的大
其中,ZnS 壳层的厚度将决定 ZnO/ZnS 核壳系统的
光吸收效率、载流子分离和光催化性能 [85-86] 。 部分 ZnO/ZnS 异质结光催化剂。光催化性能及相关
RANJITH 等 [77] 采用低温水溶液生长方法和硫化方 表征结果表明,ZnO/ZnS 异质结光催化剂中载流子
的转移路径遵循 Z 型模式。值得注意的是,表面缺
式合成了 ZnO/ZnS 核壳纳米棒异质结光催化剂,发
陷的浓度和类型是缺陷化学研究的主要内容,也是
现 ZnS 壳层厚度对其载流子分离效率和光吸收效率
影响光催化性能的重要因素,在设计光催化剂时必
具有显著的影响。随着 ZnS 壳层厚度的增加,
须对其进行合理的调控。
ZnO/ZnS 核壳纳米棒异质结光催化剂对亚甲基蓝的
降解率呈现出先升高后降低的趋势。当 ZnS 壳层的 4 ZnS/ZnO 异质结光催化性能提升策略
厚度为 20 nm 时,ZnO 与 ZnS 之间形成Ⅱ型异质结,
表现出最佳的可见光光催化性能,光照 135 min 时 4.1 元素掺杂
对亚甲基蓝的降解率达到 98.7%。LIANG 等 [87] 结合 元素掺杂会在 ZnS 和 ZnO 晶格中引入各种各样
水热途径和真空溅射技术构建了Ⅱ型 ZnO/ZnS 核壳 的表面缺陷,导致晶格畸变并在禁带中形成施主能
纳米棒异质结光催化剂,并通过改变溅射时间调节 级或受主能级,它们不仅可以窄化 ZnS 和 ZnO 的禁
ZnS 壳层的厚度。当 ZnS 壳层厚度为 17 nm 时, 带宽度,而且能提高载流子的分离效率 [92-94] 。基于
ZnO/ZnS 核壳纳米棒异质结光催化剂具有最佳的光 此,研究者已经制备了一些金属或非金属掺杂的
催化性能和光电化学活性。用 100 W 氙弧灯照射 ZnS/ZnO 异质结光催化剂,如 Ce-ZnO/ZnS [95] 、
60 min 时,ZnO/ZnS 核壳异质结光催化剂对亚甲基 Ni-ZnS/ZnO [10,96] 、Cu-ZnO/ZnS [97-98] 、Al-ZnO/ZnS [99] 、
蓝的降解率达到 90%。此外,ZnS 壳层也能够降低 N-ZnO/ZnS [100] 和 C-ZnS/ZnO [101] 等光催化剂,通过
ZnO 核的表面缺陷态,抑制 ZnO 表面的光腐蚀效应。 优化掺杂量实现显著增强的光催化性能。除此之外,
因此,ZnO/ZnS 核壳异质结光催化剂具有高的重复 YU 等 [102] 采用水热法在硅衬底上生长 La-ZnO 纳米