Page 44 - 《精细化工》2023年第2期
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·266·                             精细化工   FINE CHEMICALS                                 第 40 卷

                                           –1
            羟基减少。此外,2850、2920 cm 处出现 HDTMS
            链上—CH 2 —的对称和不对称伸缩振动吸收峰;
                           –1
            1194 和 1092 cm 处分别出现了 Si—C 的吸收峰和
            Si—O 键的伸缩振动峰         [33] 。









                                                               图 3  PSP 和 H-PSP 的 XPS 谱图(a);H-PSP 中 Si 2p 的
                                                                    高分辨 XPS 谱图(b);PSP(c)和 H-PSP(d)中
                                                                    C 1s 的高分辨 XPS 谱图
                                                               Fig. 3    XPS spectra of PSP and H-PSP (a); High resolution
                                                                     XPS spectra of Si 2p of H-PSP (b); High resolution
                                                                     XPS spectra of C 1s of PSP (c) and H-PSP (d)
                      图 2  PSP 和 H-PSP 的 FTIR 谱图
                    Fig. 2    FTIR spectra of PSP and H-PSP        通过图 3a(全谱图)发现,PSP 中含有 C、N、
                                                               O 元素,而 H-PSP 中出现 C、N、O 和 Si 元素           [34-35] 。
            2.1.2  PSP 和 H-PSP 的 XPS 分析
                                                               进一步地,H-PSP 中 Si 2p 的高分辨 XPS 谱图(图
                 利用 XPS 研究了 PSP 和 H-PSP 的表面化学成
                                                               3b)在 101.81 和 102.32 eV 处出现特征峰,分别归
            分,结果如图 3 所示。                                       属于 Si—O 和 Si—C    [36] ,且 Si—O 和 Si—C 峰面积

                                                               比约为 3∶1,符合 HDTMS 的分子式。图 3c 是 PSP
                                                               中 C 1s 的高分辨 XPS 谱图,拟合得到 284.60、
                                                               286.05、288.54 eV 3 个特征峰,分别对应于 C—C、
                                                               C—O、C==O 基团     [37-38] 。与之相比,H-PSP 中 C 1s
                                                               被分为四个峰(图 3d),多出峰为 284.43 eV 处 C—
                                                               Si 的特征峰    [39] 。FTIR 和 XPS 检测结果表明,PSP
                                                               上成功引入了 HDTMS。
                                                               2.1.3  PSP 和 H-PSP 的润湿性分析
                                                                   通过静态水接触角(CA)测试评估了 PSP 和
                                                               H-PSP 的润湿性,结果如图 4 所示。由图 4 可知,
                                                               PSP 的水接触角为 0°,材料是超亲水的。这是因为
                                                               PSP 表面富含亲水的羟基基团,对水分子具有极强
                                                               的亲和力。经 HDTMS 改性后,H-PSP 的静态水接
                                                               触角达到 145.2°。这主要是因为 HDTMS 的水解产
                                                               物与 PSP 表面的羟基发生了氢键结合,将疏水的长碳
                                                               链硅氧烷接枝到 PSP 上,从而使 H-PSP 的水接触角
                                                               明显增大。











                                                                         图 4  PSP 和 H-PSP 的水接触角
                                                                    Fig. 4    Water contact angle of PSP and H-PSP

                                                               2.2  H-PSP-PUF-n 的表征
                                                               2.2.1  H-PSP-PUF-n 的润湿性分析
                                                                   H-PSP 负载量对 H-PSP-PUF-n 疏水性的影响如
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