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·222·                             精细化工   FINE CHEMICALS                                  第 36 卷

            附上一层 PVAm-g-PBA 后,PS 微球表面的电势发                          由图 7 可知,在酸性环境下,组装了 PVAm-g-
            生了较大的变化,显示了较强的正电性,说明聚苯                             PBA/PVA 的硅片表面粗糙度基本维持在 0.5 nm。然
            乙烯微球表面已经被 PVAm-g-PBA 严密包裹。随后,                      而,随着组装溶液 pH 的升高,硅板表面的粗糙度
            当改性聚乙烯胺表面的苯硼酸官能团与非离子型聚                             逐步增加。当 pH 为 12 时,表面组装两层 PVAm-g-
            乙烯醇通过硼酸缩合形成弱共价键后,PS 微球正电                           PBA/PVA 高分子薄膜的硅晶片的表面粗糙度逐渐
            荷迁移率有所下降。这可能是因为非离子型聚合物                             达到 0.87 nm,说明 pH 对改性聚乙烯胺上苯硼酸官
            层将带电微粒表面的滑动面移除了                 [16] 。这一现象与        能团与 PVA 间的相互作用存在影响。从整体上看,
            已知的 pH 可控的硼酸多醇缩合反应一致                 [15] 。同理,     自组装薄膜的粗糙度比较均匀。Yang  H 等人曾报
            在第 4 步,PVAm-g-PBA 再次通过硼酸多醇相互作                      道,在预处理后的 SiO 2 表面接枝聚苯乙烯链后,表
            用吸附在 PVA 表面,PS 微球表面的正电荷密度再                         面粗糙度从 0.2 nm 增加到 1.5 nm      [17] 。该报道与本文
            次增强并基本回到原有强度。由于 PVAm-g-PBA 与                       中自组装高分子薄膜显示的粗糙度很相近。此外,
            PVA 在 pH=7.8 下可以通过硼酸多醇相互作用而反                       从硅晶片表面组装了一对 PVAm-g-PBA/PVA 高分
            复组装,因此,PS 微球表面电泳呈现出如图 6 所示                         子薄膜前、后的三维表面轮廓图(如图 7 中插图所
            的有规律多边形线性变化。                                       示)可以更直观地发现,未处理的硅晶片表面非常

                                                               光滑(平均粗糙度仅为 0.24 nm),而高 pH 下处理
                                                               后的硅晶片表面相对粗糙。
                                                               2.6    pH 对自组装纤维素膜机械性能的影响
                                                                   自组装膜层数量及 pH 对再生纤维素膜机械性
                                                               能的影响如图 8 所示。可以发现,纤维素膜的抗张








               图 6    吸附过程中 PS 微球表面电泳迁移率的变化
            Fig.  6    Electrophoretic  mobility  of  PS  microspheres  as  a
                   function of absorption steps

            2.5    pH 对硅板表面自组装膜层粗糙度的影响
                 硅晶片表面组装上两层 PVAm-g-PBA/PVA 高
            分子薄膜后的表面粗糙度通过光学轮廓仪进行检
            测,结果如图 7 所示。


















            图 7    不同 pH 下表面组装有一对高分子的硅晶片表面粗
                  糙度(内嵌图为 pH=10 下,自组装前、后硅晶片
                  表面粗糙度轮廓图,扫描尺寸为 121 μm×92 μm)
            Fig. 7    Surface roughness of the silicon wafer after bilayer
                   absorption  as  a  function  of  pH  (Inset  shows  the
                   surface roughness of silicon wafer before and after
                   bilayer self-assembly at pH=10. The scanning area
                   of the images is 121 μm×92 μm.)
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