Page 18 - 《精细化工》2020年 第10期
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·1948· 精细化工 FINE CHEMICALS 第 37 卷
在两者的边界处,电解液中 H 2 O 分子中的 O 原
极表面,发现裸露的 Pt(111)晶面在修饰了 Ni(OH) 2
纳米簇后,Ni(OH) 2 对 Pt 电极表面的覆盖作用使电 子与 Ni(OH) 2 之间以及 H 2 O 分子中的 H 原子与 Pt
极表 面可 用 的 Pt 活性位 点减 少了 35%,但 是 之间同时存在相互作用,H 2 O 分子在 Ni(OH) 2 纳米
Ni(OH) 2 /Pt(111)电极相较于未修饰单晶 Pt 电极,其 团簇表面被分解后,生成的氢中间体 H ad 随后被吸
HER 活性提升了 8 倍,表明 Ni(OH) 2 纳米团簇与 Pt 附在附近的 Pt 表面上,最终结合成 H 2 并从 Pt 电极
–
原子对催化反应的协同作用。作者对 Ni(OH) 2 /Pt(111) 表面释放,同时 OH 从 Ni(OH) 2 团簇表面脱附并为
电极的协同作用机理提出了如下猜想,Ni(OH) 2 纳米 另一 H 2 O 分子空出反应位点,从而使整个过程形成
团簇与 Pt 之间的界面在加快碱性 HER 的反应活性 一个循环。DANILOVIC 等 [46] 系统地研究了各种金
中扮演了重要角色,如图 2 所示。 属电极经 Ni(OH) 2 改性前后的 HER 性能,结果表明,
Ni(OH) 2 几乎可以促进所有金属表面上的 HER 过
程。Ni(OH) 2 与金属之间的协同作用使金属电极改性
后催化性能得到提升,进一步证实了基于过渡金属
氢氧化物异质结构催化剂的有效性。
SUBBARAMAN 与 DANILOVIC 等的相关工作
证明了 Ni(OH) 2 改性对金属的碱性 HER 性能的促进
作用,这激发了大量通过引入过渡金属氢氧化物来
构造异质型催化剂的相关工作。与之前在 Pt 等金属
表面直接电化学沉积 Ni(OH) 2 纳米团簇来构造异质
界面的方法不同,2015 年,YIN 等 [52] 成功解决了一
+
AC —溶液中金属阳离子;M—金属 维超细 Pt 纳米线在层状 Ni(OH) 2 片层表面的形核生
图 2 电催化条件下 H 2 O 分子在 Ni(OH) 2 /Pt 催化剂表面 长问题,制备出了表面附着有结晶性良好的超细 Pt
解离生成 H 2 过程的机理图 [45] 纳米线(直径~1.8 nm,长度 10~50 nm)的单层
Fig. 2 Schematic representation of water dissociation on Ni(OH) 2 纳米片(片层直径~500 nm)催化剂,如图
Ni(OH) 2 /Pt catalyst surface to generate H 2 under
electrocatalytic conditions [45] 3 所示。
图 3 Pt NWs/SL-Ni(OH) 2 催化剂的合成路径及形态结构的示意图 [52]
Fig. 3 Schematic representation of the synthesis route and morphological structure of Pt NWs/SL-Ni(OH) 2 catalyst [52]
以氢氧化物纳米片为基体的方法使得贵金属的 氢吸附自由能为 0.08 eV,在理论的最佳值 0 eV 附
用量大大减少,为引入 Ni(OH) 2 的复合界面催化剂 近 [53-54] ,但其在碱性条件下的析氢活性却较差,在
2
的实用化设计提供了新途经。金属 Pt 以该构型复合 10 mA/cm 电流密度下的过电势>100 mV [55] 。为了进
氢氧化物后的 Pt NWs/SL-Ni(OH) 2 催化剂的 HER 性 一步开发新型高效的碱性 HER 催化剂,引入氢氧化物
能有显著提升,在浓度为 1 mol/L KOH 溶液及相同 的策略也应用在了MoS 2 等更多有潜力的催化材料中。
的 Pt 用量下,其在–0.07 V vs. RHE 电势下的析氢电 ZHANG 等 [56] 以 CC 为基体,通过电化学沉积
流密度约是商用 Pt/C 电极的 4 倍,而且由于附着在 的方法将 Ni(OH) 2 颗粒沉积到预先水热合成的 MoS 2
Ni(OH) 2 片表面的 Pt 纳米线不易迁移团聚,所以催 纳米片上,最终制备出 MoS 2 纳米片垂直生长在 CC
化剂比商用 Pt/C 表现出更优的催化稳定性。 表面形成阵列,纳米尺寸的 Ni(OH) 2 颗粒(直径为
MoS 2 作为非贵金属催化剂在酸性 HER 中表现 5~10 nm)锚定在 MoS 2 纳米片表面上,具有丰富的
出优异的催化活性,理论计算证明了其边缘位置的 三维微观结构异质结构催化剂 Ni(OH) 2 /MoS 2 /CC。