Page 23 - 《精细化工》2021年第10期
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第 10 期                   陕绍云,等:  基于天然高分子的可再生光刻材料的研究进展                                   ·1953·


            辨率可达 32 nm。但这种抗蚀剂要采用抗蚀剂材料、                         对较差,从而阻碍了天然生物材料的工程应用。因
            硬掩模材料和蚀刻转移材料的三层堆叠工艺刻蚀来                             此,提升可再生光刻材料的实用性,可从以下几点
            降低抗蚀剂的化学设计限制,克服抗蚀剂在转移图                             出发:(1)蛋白类光刻材料可从提取工艺入手,减
            案时选择性低的缺点。而第二种抗蚀剂由质量分数                             少蛋白质相对分子质量分布较宽的问题,从而增加
            分别为 30%的糊精基聚合物、7%的重氮对苯二酚衍                          分辨率;(2)将蛋白类光刻材料光响应基团有机结
            生物、55%的带有二氮杂醌基和羟基的糊精衍生物                            合,提升灵敏度;(3)通过光响应基团的可控性修
            以及 8%的烷基磺酸盐作为乙醇显影的促进剂组成。                           饰来提升多糖类光刻材料的分辨率、灵敏度,及缩
            使用纤维素基底层、乙醇显影,可获得的 20 nm 孔                         小其线边缘粗糙度;(4)还可结合光刻材料的实际
            图案和 40 nm 线图案,所获分辨率接近目前非环保                         性能,优化光刻技术来缩小分辨率尺寸。
            开发的分辨率极限。尽管糊精类抗蚀剂可以产生纳
                                                               参考文献:
            米级的图案和高分辨率,但光刻材料需要特定的工
            艺才能实现光刻,且步骤繁琐耗时较长。                                 [1]   LI L, LIU X, PAL  S, et al. Extreme ultraviolet resist materials for
                                                                   sub-7 nm patterning[J]. Chemical Society Reviews, 2017, 46(16):
                 总之,天然多糖类光刻材料的光刻机理与传统                              4855-4866.
            光刻材料的光刻机理类似,大都是通过感光基团的                             [2]   WANG F T, LIU F H, KONG L H, et al. Proximity lithography in
                                                                   sub-10 micron circuitry for packaging substrate[J]. IEEE Transactions
            光响应作用实现光刻,光刻步骤比动物蛋白光刻更
                                                                   on Advanced Packaging, 2010, 33(4): 876-882.
            复杂,但是所得图案对比度、分辨率更高,同时采                             [3]   AHN J, KWON S, JUNG S, et al. Fabrication of pyrrole-based
            用了天然可再生原料以及避免了传统光刻材料有毒                                 electrochemical biosensor platform using nanoimprint lithography[J].
                                                                   Advanced Materials Interfaces, 2018, 5(8): 1701593.
            显影剂的使用。                                            [4]   ZUEV D M, NGUYEN A K, PUTLVAEV V I, et al. 3D printing and
                                                                   bioprinting using multiphoton lithography[J]. Bioprinting, 2020,
            4    结语与展望                                             2020: e00090.
                                                               [5]   YEH C C,  LIU H  C,  HENI W,  et al. Chemical  and structural
                 光刻材料作为制作芯片的战略资源,在国民生                              investigation of zinc-oxo cluster photoresists for DUV lithography[J].
                                                                   Journal of Materials Chemistry C, 2017, 5(10): 2611-2619.
            活和国防建设中具有举足轻重的地位。目前,中国                             [6]   OBER C K, XU H, KOSMA V, et al. EUV photolithography: Resist
            已经完全实现了 I 线、G 线以及 248 nm 深紫外光光                         progress and challenges[C]//Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography
                                                                   Ⅸ. International Society for Optics and Photonics, 2018: 1059306.
            刻材料的国产化,但对于 193、157 和 13.5 nm 的紫
                                                               [7]   WAGNER C, HARNED N. Lithography gets extreme[J]. Nature
            外光光刻材料仍处于攻坚阶段。而高端的光刻材料                                 Photonics, 2010, 4(1): 24-26.
            依旧被欧美、日本、韩国等国家的企业所垄断。因                             [8]   CHEN  Y F. Nanofabrication  by electron beam lithography and its
                                                                   applications: A review[J]. Microelectronic Engineering, 2015, 135:
            此,中国先进光刻材料方面的研发仍任重道远,同                                 57-72.
            时,结合摩尔定律预测集成电路上的晶体管数量每                             [9]   TRAUB M  C, LONGSINE W, TRUSKETT V  N. Advances in
            两年翻一番的规律和“十四五”提出在加快发展方                                 nanoimprint lithography[J]. Annual Review of Chemical and
                                                                   Biomolecular Engineering, 2016, 7: 583-604.
            式绿色转型的背景下,开发高分辨率且环保的光刻                             [10]  TRIKERIOTIS M, BAE W J, SCHWARTZ E, et al. Development of
            材料势在必行。                                                an inorganic photoresist for DUV, EUV, and electron beam imaging
                                                                   [C]//Advances  in Resist  Materials and Processing Technology  ⅩⅩⅧ.
                 本文从传统光刻材料到天然高分子光刻材料绿
                                                                   International Society for Optics and Photonics, 2010: 76390E.
            色转型的角度出发,为实现光刻材料向“高”、“精”、                          [11]  HOFMANN  M, AYDOGAN C, LENK C,  et al. Selective pattern
            “专”发展提供新思路。总结出了蚕丝、蛛丝、蛋                                 transfer of nano-scale features generated by FE-SPL in 10 nm thick
                                                                   resist layers[J]. American Journal of Nano Research and Applications,
            清以及羊毛蛋白各自的实用性、光刻机理和发展前                                 2018, 6(1): 11-20.
            景。通过对比得出动物蛋白光刻材料不仅本身作为                             [12]  WANG X L, TASDEMIR Z, MOCHI I, et al. Progress in EUV resists
                                                                   towards  high-NA EUV lithography[C]//Extreme Ultraviolet (EUV)
            光刻主体,而且还承担了感光的作用;而纤维素等
                                                                   Lithography  Ⅹ. International Society for Optics and Photonics,
            多糖通常只是作为光刻主体而少有具备感光能力,                                 2019: 109570A.
            需要外赋感光能力。但无论是动物蛋白还是天然多                             [13]  HYDER A A, SRINIVASAN K S V. Photoresponsive functionalized
                                                                   vinyl cinnamate polymers: Synthesis and characterization[J]. Polymer
            糖光刻材料都解决了光刻材料的可再生性和有机显                                 International, 1997, 43(4): 310-316.
            影两大生态问题,同时,这些研究方法可为研究绿                             [14]  TREUSHNIKOV V M, FROLOVA P V, OLEINIKl A V, et al. Light
                                                                   sensitivity of photoresistant films prepared using a polymer-bisazide
            色高分辨率的光刻材料提供思路。
                                                                   system[J]. Polymer Science USSR, 1977, 19(2): 445-453.
                 尽管可再生光刻材料拥有诸多优点,但由于目                          [15]  SINGH V, SATYANARAYNA V S V, SHARMA S K, et al. Towards
            前相关的系统研究相对较少,且没能形成从原料到                                 novel non-chemically amplified (n-CARS) negative resists for electron
                                                                   beam lithography applications[J]. Journal of Materials Chemistry C,
            成品的完整光刻体系;同时,由于天然材料的多晶
                                                                   2014, 2(12): 2118-2122.
            性和分散性的变化较大,也使得光刻性能重复性相                             [16]  COX L M, MARTINEZ  A M,  BLEVINS A K,  et al. Nanoimprint
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