Page 220 - 《精细化工》2020年第1期
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·206· 精细化工 FINE CHEMICALS 第 37 卷
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在反应产品中发现有微量的 SiCl 4 组分出现。分 中碳含量小于 3×10 atoms/cm ,达到电子一级品指标。
析有两种原因:一是原料 SiHCl 3 中含有少量的聚硅 (2)在氯化反应产物中出现少量的 SiCl 4 ,分析
烷,聚硅烷以 Si 2 HCl 5 形式存在,在氯化步骤后,聚 是聚硅烷和 SiHCl 3 发生氯化反应生成,因 SiCl 4 与
硅烷发生氯化反应,Si—H 键断裂发生氯化,Si—Si SiHCl 3 物性差异较大,所以在后续的精馏中较易进
键断裂形成 Si—Cl 键,从而 1 分子的 Si 2 HCl 5 形成 2 行分离。
分子的 SiCl 4 ;二是过量的氯离子与 SiHCl 3 发生氯化 (3)与反应釜相比,微反应器气液反应传质、
反应,生成 SiCl 4 ,反应式如下所示。 传热和光利用效率高,持液量小,极大缩短了化学
S i 2 HCl 5 +2Cl 2 →2SiCl 4 +HCl 反应时间,减少副反应的产生,提升了反应效率。
SiHCl 3 +Cl 2 →SiCl 4 +HCl 过程属于平推流反应,不存在返混等现象,更利于
2.6 间歇反应中反应时间对 CH 4Cl 2Si 去除率的影响 反应的进行。
间歇反应采用高硼硅玻璃双层反应釜,在相同 实验研究并论证了反应联合精馏工艺去除
的条件下进行实验,考察了反应时间对去除率的影 SiHCl 3 中碳含量的可行性,下一步研究工作主要有:
响,结果见表 3。 (1)研究是基于实验室小试基础上开展的,进行产
业化研究过程中可能存在放大效应;(2)因 Cl 2 剧
表 3 反应时间对 CH 4 Cl 2 Si 去除率的影响
Table 3 Influence of reaction time on the removal rate of 毒,过量 Cl 2 的安全处理和回收利用是研究重点之一。
CH 4 Cl 2 Si
参考文献:
反应物中 CH 4Cl 2Si 含量/
时间/min 去除率/% [1] Cai Yanguo (蔡延国), Wei Dongliang (魏东亮), Zhu Yongqiang (祝
–6
(×10 g/g)
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件下进行实验,最终产品中 CH 4 Cl 2 Si 含量为 5×10 –8
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与 H 2 在化学气相沉积还原炉内生长多晶硅,多晶硅 (下转第 216 页)