Page 220 - 《精细化工》2020年第1期
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·206·                             精细化工   FINE CHEMICALS                                  第 37 卷

                                                                                        3
                                                                               15
                 在反应产品中发现有微量的 SiCl 4 组分出现。分                    中碳含量小于 3×10 atoms/cm ,达到电子一级品指标。
            析有两种原因:一是原料 SiHCl 3 中含有少量的聚硅                          (2)在氯化反应产物中出现少量的 SiCl 4 ,分析
            烷,聚硅烷以 Si 2 HCl 5 形式存在,在氯化步骤后,聚                    是聚硅烷和 SiHCl 3 发生氯化反应生成,因 SiCl 4 与
            硅烷发生氯化反应,Si—H 键断裂发生氯化,Si—Si                        SiHCl 3 物性差异较大,所以在后续的精馏中较易进
            键断裂形成 Si—Cl 键,从而 1 分子的 Si 2 HCl 5 形成 2             行分离。
            分子的 SiCl 4 ;二是过量的氯离子与 SiHCl 3 发生氯化                    (3)与反应釜相比,微反应器气液反应传质、
            反应,生成 SiCl 4 ,反应式如下所示。                             传热和光利用效率高,持液量小,极大缩短了化学
                        S  i  2 HCl 5 +2Cl 2 →2SiCl 4 +HCl      反应时间,减少副反应的产生,提升了反应效率。
                         SiHCl 3 +Cl 2 →SiCl 4 +HCl            过程属于平推流反应,不存在返混等现象,更利于
            2.6   间歇反应中反应时间对 CH 4Cl 2Si 去除率的影响                 反应的进行。
                 间歇反应采用高硼硅玻璃双层反应釜,在相同                              实验研究并论证了反应联合精馏工艺去除
            的条件下进行实验,考察了反应时间对去除率的影                             SiHCl 3 中碳含量的可行性,下一步研究工作主要有:
            响,结果见表 3。                                          (1)研究是基于实验室小试基础上开展的,进行产
                                                               业化研究过程中可能存在放大效应;(2)因 Cl 2 剧
                  表 3    反应时间对 CH 4 Cl 2 Si 去除率的影响
            Table 3    Influence of reaction time on the removal rate of   毒,过量 Cl 2 的安全处理和回收利用是研究重点之一。
                    CH 4 Cl 2 Si
                                                               参考文献:
                          反应物中 CH 4Cl 2Si 含量/
               时间/min                            去除率/%         [1]   Cai Yanguo (蔡延国), Wei Dongliang (魏东亮), Zhu Yongqiang (祝
                                  –6
                              (×10  g/g)
                                                                   永强),  et al.  Effects  of  carbon  content  on  quality  of  polysilicon
                 20               13              13.33
                                                                   products  and  treatment  process[J].  Chemical  Reaction  Engineering
                 30               8.9             40.67            and Technology (化学反应工程与工艺), 2016, 32(4): 373-377.
                 40               6.8             54.67        [2]   Fang  Xin  (方昕),  Shen  Wenzhong  (沈文忠).  Oxygen  and  carbon
                 50               3.1             79.33            behaviors  in  multi-crystalline  silicon  and  their  effect  on  solar  cell
                 60               2.7             82.00            conversion  efficiency[J].  Acta  Physica  Sinica  (物理学报),  2011,
                                                                   60(8): 795-806.
                 70               2.5             83.33
                                                               [3]   Wang  Yuxin  (王宇鑫).  Influence  of  micro-defects  and  electronic

                                                                   structure  in  the  silicon-based  semiconductor  on  photoelectric
                 由表 3 可见,在相同的反应条件下,反应釜的                            property of the materials[D]. Nanning: Guangxi University (广西大
            气液反应效率与微通道连续流反应器相比偏低,产                                 学), 2008.
                                                               [4]   Gou Xianfang (勾宪芳). Investigation on the behavior of oxygen and
            品中 CH 4 Cl 2 Si 含量仍偏高,气液反应不彻底。原因
                                                                   carbon  action  and  the  passivation  and  anti-reflection  of  Si 3N 4 of
            可能是反应器的比表面积较低,传热性能相对较差,                                MC-Si used for solar cells[D]. Tianjin: Hebei University of Technology
            温度分布不均匀。另外,外部光照时,也存在光照                                 (河北工业大学), 2006.
                                                               [5]   Standardization Administration of the People's Republic of China(中
            面积小和光照均匀度差、光照利用率及光量子密度
                                                                   国国家标 准化 管 理委员会 ).  Electronic-grade  polycrystalline
            低等问题。同时,反应釜采用机械搅拌来强化反应                                 silicon: GB/T 12963—2014[S]. Beijing: Standards Press of China(中
            过程,存在返混及反应死区的问题,不利于反应效                                 国标准出版社), 2015: 1-2.
                                                               [6]   Zhou  Qiling  (周齐领),  Zhang  Xiaohui  (张晓辉).  Design  and
            率的提高。微通道反应器有很高的传热、传质和混
                                                                   optimization of chlorosilane rectification process in electronic grade
            合效率,且过程属于平推流反应,不存在返混等现                                 polysilicon production[J]. Chemical Engineering Design (化工设计),
            象,更利于反应的进行。                                            2010, 20(3): 11-13.
                                                               [7]   Yuan Xigang (袁希钢), Gong Chao (龚超), Duan Changchun (段长
                                                                   春),  et al.  Multi-stage  full  thermal  coupling  distillation  production
            3    结论                                                device  and  process  method  prepared  by  ultra-pure  trichlorosilane:
                                                                   CN102285658[P]. 2011-12-21.
                 采用连续流微通道反应器,利用光氯化反应将                          [8]   Segado A R, De  La Fuente F  C, Aguilar A M.  Laboratory data of
            CH 4 Cl 2 Si 转化为甲基高氯硅烷,再利用精馏塔进行                        structured  gauze  packings  as  a  base  for  scale-up  in  distillation[J].
                                                                   Chemical Engineering Communications, 2002, 189(11): 1470-1484.
            分离,考察了不同因素对 CH 4 Cl 2 Si 含量的影响,得                   [9]   Liu  Qinjun  (刘秦君).  Simulation  and  analysis  of  dividing  wall
            出如下结论:                                                 column based on the rigorous model[D]. Beijing: Beijing University
                                                                   of Chemical Technology (北京化工大学), 2016: 45-58.
                (1)确定了光氯化反应的最优条件:n(Cl 2 )∶
                                                               [10]  Peng Lei (彭雷), Sun Wei (孙巍), Du Zengzhi (杜增智). Research
            n(CH 4 Cl 2 Si)=5∶1,反应温度 50 ℃,紫外光波长为                   and application of a dividing wall column for separating of amulti-
            365 nm,光强为 15 W,反应时间为 20 s。在最优条                        component aromatics mixture[J]. Computers and Applied Chemistry
                                                                   (计算机与应用化学), 2017, 34(9): 681-684.
            件下进行实验,最终产品中 CH 4 Cl 2 Si 含量为 5×10           –8
                                                               [11]  Ghetti G. Process and plant for the purification of trichlorosilane and
            g/g,去除率为 99.67%;以此高纯 SiHCl 3 为原料,                      silicon tetrachloride: WO54325A2[P]. 2006-05-26.

            与 H 2 在化学气相沉积还原炉内生长多晶硅,多晶硅                                                        (下转第 216 页)
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