Page 161 - 《精细化工》2023年第9期

第 9 期 郭玉静，等: 用于合成气制高值产物的 InZrO x 制备及性能 ·2009·

拐点，在相对压力较低时几乎不发生吸附，而随
着分压的增加，吸附量逐渐增加，属于Ⅲ型等温
吸附线。说明样品中的微孔（<2 nm）数量较少。
样品的回滞环在相对压力接近于 1.0 时没有达到
平衡，表明样品中松散颗粒形成狭缝孔状，符合
IUPAC 分类的 H3 型回滞环。样品为介孔结构，
有利于气固催化反应中对反应气体分子的吸附
活 化。

a、b—InZr-500 ℃；c、d—InZr-550 ℃；e、f—InZr-600 ℃
图 7 不同煅烧温度下制得产物的 N 2 吸附-脱附等温线
（a、c、e）及孔径分布（b、d、f）
Fig. 7 N 2 adsorption-desorption isotherms (a, c, e) and
pore size distribution (b, d, f) of products prepared
at different calcination temperatures

通过全自动气体吸附系统测定了 InZrO x 的织构
性质，结果见表 3、4。

表 3 不同合成方法制得样品的织构性质
Table 3 Texture properties of samples prepared by different
synthesis methods
孔容/(cm /g)
3
2
样品 S BET/(m /g) D pore/nm
V micro V meso
InZr-550 ℃ 53.83 0.0008 0.2496 15.39
InZr-H 32.44 0.0007 0.0958 9.55
注：S BET 为通过 BET 比表面积法测试出的样品比表面积；
V micro 为微孔孔容；V meso 为介孔孔容；D pore 为基于 BJH 方法对脱
附曲线计算出的平均孔径。

表 4 不同煅烧温度下制得样品的织构性质
Table 4 Texture properties of samples prepared at different
calcination temperatures
3
孔容/(cm /g)
2
样品 S BET/(m /g) D pore/nm
V micro V meso
InZr-500 ℃ 55.95 0.0001 0.1647 9.79
InZr-550 ℃ 53.83 0.0008 0.2496 15.39
InZr-600 ℃ 42.05 0.0005 0.1554 13.00

由表 3、4 可知，共沉淀法合成的 InZr-C 比表
面积、介孔孔容及平均孔径明显大于水热法合成的
InZr-H。随着煅烧温度的升高，产物的比表面积逐
渐减小，但煅烧温度 500 和 550 ℃的氧化物比表面
积相差不大；而煅烧温度为 550 ℃的氧化物的介孔